Fターム[4J100AP12]の内容
付加系(共)重合体、後処理、化学変成 (209,625) | S、P、Se、Te、B、Si、金属等停止オレフィン (878) | Se、Te、B停止オレフィン (3)
Fターム[4J100AP12]に分類される特許
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電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
【課題】超微細領域での、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のオキシムスルホネート構造を有する繰り返し単位及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。
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ラジカル重合用触媒
ポリマー前駆体と、リチウムカルボラン触媒、及び開始剤とを、重合条件下で接触させるステップを含む、ポリマー前駆体を重合するための方法が提供される。反応溶媒を使用してもよいが、必ずしも必要ではない。末端アルケニル又はアルキニル基を有するリチウムカルボランポリマー前駆体と、開始剤、及び任意選択の反応溶媒とを、重合条件下で接触させるステップを含む、リチウムカルボランポリマーを調製する方法も提供される。官能化カルボラン陰イオンも提供される。 (もっと読む)
電気化学デバイス用重合性ホウ素化合物、その製造方法、重合性組成物及びイオン伝導性高分子電解質
【課題】イオン伝導性の高いイオン伝導性高分子電解質を製造することができる重合性ホウ素化合物及びその高分子を提供すること。
【解決手段】式(1)で示される重合性ホウ素化合物と電解質塩とを含む電気化学デバイス用高分子電解質。
【化6】
式(1)で示される電気化学デバイス用重合性ホウ素化合物。
式中、Bはホウ素原子、Zは重合性官能基、Xは2価の炭素数1〜12の炭化水素基であり、Xが存在しない場合にはZはBに直接結合する。AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基、mおよびnはオキシアルキレン基の付加モル数で各々独立に2以上6未満であり、R1およびR2は炭素数1〜12の炭化水素基である。
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