本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｉ
Ｒ_ｘＳｉＯ_{（４−ｘ）／２} （Ｉ）
［式中、
ｘは１、２又は３であり、
置換基Ｒは以下
（ｉ）以下
【化１】


から選択される有機官能基、ここで、Ｒ’は、１〜１８個の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖又は環式アルキル基又は６〜１２個の炭素原子を有するアリール基である
（ｉｉ）ヒドロキシル、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、イソプロポキシ、ｎ−プロポキシ、イソブトキシ及び／又はｎ−ブトキシ基、及び
（ｉｉｉ）適当であれば、１〜１８個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル、イソアルキル、シクロアルキル又はフルオロアルキル基
であるが、但し、ケイ素原子１個当たり１個以下の有機官能基（ｉ）が結合しており、ケイ素に対する成分（ｉｉ）のモル比の商が１〜２であり、かつ一般式Ｉの化合物のためのオリゴマー化度が２〜５０の範囲内である］
の、鎖状、分枝状及び／又は環式シロキサンを含有する混合物に関する。本発明は更に前記のシロキサン混合物の特別な製造法及びその使用にも関する。
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