成膜装置は、２２０ｃｍ²以上の面積を有する下地（１）上にＣＶＤによって透明導電膜を堆積するための成膜室（３）と、有機金属蒸気を含む第１のガスを輸送する第１のガス管と、酸化剤蒸気を含む第２のガスを輸送する第２のガス管と、第１と第２のガス管を結合させて第１と第２のガスを混合するためのガス混合空間（１２）と、そのガス混合空間おいて混合された反応ガスを成膜室内へ導入するガス導入手段（１０）と、成膜室から排ガスを排出するための排気装置（６）とを含む。 （もっと読む）

基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
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【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）