【課題】Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制することができる技術を提供すること。
【解決手段】 反応ガス生成室１３０は、第一壁部１３２Ａ、第二壁部１３２Ｃと、反応管１１の内面と、および閉鎖部材１９の内面とで区画され、半密閉空間となっている。
第二壁部１３２Ｃは、第一壁部１３２ＡのＡｌＣｌ_３ガス供給口である孔１３２Ａ１よりも下流側に配置され、ＮＨ_３ガス供給口１５１よりも上流側に配置されている。第二壁部１３２Ｃは、ＮＨ_３ガスがＡｌＣｌ_３ガス供給口近傍に流入することを制限する流入規制部の流入規制壁部としての役割を果たす。 （もっと読む）

【目的】 処理チャンバ内の基板上での処理ガス流パターンの均一化。
【構成】 アーチ形の排気プレナム２３は２つの端部を有し、その間の間隙には排気プレナムからでは直接接近できない。処理チャンバ２０内の処理ガス流の分布を改善する排気バッフル６０ａは、複数の穴７６，７７，７８が貫設されており、周方向に分布されている。これらの穴は排気プレナムと連通し、基板処理中に基板表面を横切る均一なガス流を形成する。また、排気バッフルには少なくとも１つのオフセット流路８１，８２があり、この流路は、前記間隙から、基板表面に対して鋭角で処理ガスを基板表面を横切って吸引し、それにより、基板全周の処理ガス流に影響を与える排気パターンを提供するようになっている。排気バッフルは互いに接合する２つの部分７１，７２から成る複合型としてもよく、これらの部分は処理チャンバからの処理ガスを前記間隙から導く少なくとも１つのオフセット流路及び複数の穴を画成する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内へ処理用ガス（材料ガス）を均一に供給すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ１内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド１０Ａが設けられている。シャワーヘッド１０Ａは、上下２段の中空構造を形成する第１室１１および第２室１２を有する。材料ガスは、ガス導入ポート１４から第１室１１へ導かれ、分散板１１ａに穿設されている複数のガス噴出孔１１ｂを通って第２室１２へ移送され、分散板１２ａに穿設されている複数のガス噴出孔１２ｂを通ってチャンバ１内へ放出される。このとき、第１室１１のガス圧力勾配は小さく、第２室１２のガス圧力勾配はさらに小さくなるので、被処理基板Ｓへ向けて材料ガスを均一に供給することができる。その結果、プラズマ処理の均一性も向上する。 （もっと読む）

【課題】反応管に設けられた細管の破損を防ぐことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、ウエハ２００を収容する反応管２０３であって、この反応管２０３は、反応管２０３の外壁から外側に突出する少なくとも一つのポート部３００と、反応管２０３に処理ガスを供給する供給系と、反応管２０３内の雰囲気を排気する排気系とを備える。さらに、反応管２０３のポート部３００の近傍に、ポート部３００の破損を防止するための突起部３０２を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合に優れた膜質の膜が形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１内にアミン系の第１の反応種を供給し、基板２００表面に第１の反応種を化学吸着させる工程と、処理室から余剰な第１の反応種を除去するため水素ガスを用いてパージする工程と、処理室２０１内に、第１の反応種とは異なる第２の反応種を供給し、基板２００表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、処理室２０１から余剰な第２の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】広い面積において膜厚および膜質がばらつくのを抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、複数のガス排出用開口部１４ａと、複数のガス排出用開口部１４ａの各々の内側に配置されたガス供給用ノズル２４ａとを含む下部電極４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】膜質の低下を抑制しながら、成膜速度を大きくすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、ガス供給口１４と、ガス供給口１４の数よりも多くの数のガス吸引口（ガス吸引口２４ａおよび２４ｂ）とを有する下部電極４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い均一性と高速な成長速度を有し、高度な厚み及び化学的組成の制御を要求する被覆物及び自立配向成長物の構築のための高温化学気相蒸着装置構成を提供すること。
【解決手段】７００℃以上の温度及び１．３×１０^４Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）を有する環境で動作する反応容器内において１以上の層を基材（５）上に蒸着または自立配向成長を形成するための装置及び方法の実施形態を提供する。装置は、反応容器内において反応体供給が前反応して少なくとも１の反応中間体を気相で生成し、反応中間体由来の基材上に均一な厚さの被覆層を蒸着するための蒸着領域（１００）とは分離した、容積空間（４００）を有する。一実施形態では、前記２の領域を規定する手段は分配器を含んでなる。別の実施形態では、前記手段は複数の反応体供給噴射または注入器を含んでなる。別の実施形態では、装置は、複数の気相化学種を分配する目的に合わせるため空間的に分離した注入手段を有する供給システムを備え、基材表面にわたって厚さ及び化学的組成がほぼ均一な蒸着を生じる。一実施形態では、装置はさらに、基材上の厚さ及び化学種をさらに均一にする犠牲基材を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマヘッドから噴射供給される処理ガスを被処理物に均質に供給することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】 所定のガスを送気するガス流路と、大気圧又はその近傍の圧力下、前記ガス流路内で気体放電を発生させて前記ガスの励起活性種を生成する少なくとも１対の電極とを備え、前記ガス流路から前記励起活性種を含む処理ガスを前記被処理物１の表面に向けて噴出するプラズマヘッドを備えて構成される表面処理装置であって、前記ガス流路からの処理ガスの流れを整流して前記被処理物１の表面に供給する整流機構５を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージやパーティクルによる薄膜及び基板の劣化を簡単な装置構成で抑制できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、チャンバー２内の圧力を真空圧力まで減圧する減圧部４と、チャンバー２内に設けられ成膜の対象となる基板Ｋを保持するための基板保持部３と、形成すべき薄膜に応じて選択されたガスをチャンバー２内に導入するガス導入部５と、ガスの分子をプラズマエネルギーにより活性化するプラズマ発生部６とを有するプラズマＣＶＤ装置１において、複数の貫通穴が形成されチャンバー２内を下室２１と上室２２とに隔絶するシールド板ＳＰを備え、下室２１はガス導入部５に連接し、上室２２は減圧部４に連接するとともに内部に基板保持部３を備え、基板保持部３は基板Ｋをその薄膜被形成面ＫＦを鉛直下方に向けて保持可能とされる。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、成長させる結晶により形成される膜質が優れるとともに、更に成長速度が速く生産性が高い気相成膜装置を提供する。
【解決手段】気相成膜装置は、成膜用の原料ガスを供給し、成膜用の基板に薄膜を形成するものであり、少なくとも１枚の基板が表面に載置されるサセプタと、前記サセプタに載置された前記基板に向けて前記原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記サセプタを回転させる回転手段とを有し、前記サセプタは、その外縁部に所定の間隔をあけて羽根体が前記サセプタの表面に複数立設されており、前記サセプタの回転に伴い、前記サセプタに供給された前記原料ガスの供給流れを前記サセプタの外縁部に向けて変更させる。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】製造装置１を構成するサセプタ２は、基板ウェーハＷの表面にエピタキシャル膜ＥＰを形成してエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する際に基板ウェーハＷが載置されるサセプタである。このサセプタ２は、基板ウェーハＷが載置された際に基板ウェーハＷおよび該サセプタ２の間で形成される空間部２２３と該サセプタ２外部とを連通する連通路２０を有する。連通路２０は、空間部２２３に面した開口、およびサセプタ２外部に面した開口がサセプタ２の厚み方向に平面的に干渉しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、真空処理室を大気開放することなく、反応ガス放出部の交換を行なうことができる装置を提供する。
【解決手段】真空処理室１と、反応ガス供給部６とを備え、反応ガス供給部６は、ミキシング部２と反応ガス放出部３から構成される。反応ガス放出部３は真空処理室１と連結した真空室１６に複数組収納され、使用済みの反応ガス放出部３をミキシング部２と分離させた後、回収し、清浄な反応ガス放出部３を真空処理室１内のミキシング部２と結合させるための、搬送、固定、保持及び回転機構を備え、真空処理室１の真空度を維持した状態で、反応ガス放出部３を交換することができるものである。これにより、メンテナンスサイクルを長くすることができ、装置の稼動ロスを低減することができる。 （もっと読む）

大気圧プラズマを利用した表面処理装置を提供する。表面処理装置は、処理ガス貯蔵部及び該処理ガス貯蔵部の下部に位置したプラズマ発生部からなり、ａ）前記処理ガス貯蔵部は処理ガスを導入する第１流入口を備え、ｂ）前記プラズマ発生部は、お互いに向かい合った上部電極及び下部電極と、該上部電極及び下部電極との間に形成されたプラズマ発生空間と、前記上部電極及び下部電極を絶縁させる絶縁体と、電極の表面温度を下げる放熱器と、前記処理ガスを前記処理ガス貯蔵部からプラズマ発生空間に導入する第２流入口と、前記プラズマ発生空間で生成されたプラズマ及びプラズマに転換されない処理ガスをプラズマ発生空間の外部に誘導する排出口と、交流電圧を印加する交流電源と、を含み、前記上部電極及び下部電極はすべて平板形電極であり、前記排出口は前記下部電極に形成され、前記下部電極の下側には基板が位置される。前記表面処理装置は、処理しようとする基板の形態に制限を受けることがなく、基板の処理面積を増加させることができるだけではなく、大気圧下で連続的な基板の表面処理を可能にする。
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【課題】 処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた縦型の処理容器２２内に、複数段に支持された被処理体Ｗを収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにする。これにより、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止する。 （もっと読む）

【課題】 複数のガスを用いて被処理基板に成膜を行う場合に、ガスの供給路で複数のガスが混合することを防止し、パーティクルの発生を抑制した安定で清浄な成膜を可能とする。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に前記金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、第１のガス供給路から前記処理容器に前記第１の処理ガスを供給する第１の工程と、第２のガス供給路から前記処理容器に前記第２の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第２の処理ガスをプラズマ励起する第２の工程と、を有し、前記第２の工程では、前記第１のガス供給路から前記処理容器に、Ｈ_２またはＨｅよりなる逆流防止ガスが供給されることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの流れを制御しつつ、パーティクルの低減も同時に図れるプラズマ処理装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１０１に、反応ガス供給と真空排気の手段を備えたシャワーヘッド１０４、排気分配手段１０６、不活性ガス導入口１０７、分岐配管１０９を備え、通常の放電加工停止と同時に１０７より不活性ガスを導入し、１０６を動作させ、シャワーヘッド１０４、分岐配管１０９、排気分配手段１０６からなる排気経路を設ける。チャンバー１０１からの不活性ガスの排出に伴って基板１０２の上方に存在するパーティクルがシャワーヘッド１０４から排出され基板に付着するパーティクルを低減する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがサセプターに当たる際の渦流の発生を防止し、膜厚均一性を向上できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応炉及び基板２を加熱用ランプヒーター５により所定の温度まで上昇させ、基板２をセットしたサセプター４を所望の回転数で回転させながら、反応炉内下部中央の反応ガス導入管１より、反応ガスを供給する。この時、反応ガスは反応ガス分岐部６の分岐点で衝突し、1回目の攪拌が行われ、その後、反応ガス合流部７の合流部で合流する際に、２回目の攪拌が行われる。反応ガスは反応ガス導入管１開口部より放射状に反応炉内に供給され、反応炉内下部の反応ガス導入管１の開口部と同軸上に位置するサセプター４の下部表面に設けられた円錐形の反応ガス流動案内部８により、サセプター４の外周方向に案内され、基板上での成膜に伴い消費された後、反応ガス排出部３より排出される。 （もっと読む）