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Fターム[4K030FA12]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの励起、活性化 (9,777) | 高エネルギービームによるもの (62)

Fターム[4K030FA12]に分類される特許

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【課題】 真空系内への導入ガスによる真空度の低下等に起因する電子線源等の粒子線源への上記のような悪影響を排除し、特に走査型あるいは透過型の電子顕微鏡に適用した場合にも通常の電子顕微鏡に改造を加えることなく、原料ガスの供給を行うことができる、粒子線を用いたガスデポジション法における原料ガス供給方法及び供給装置を提供する。
【解決手段】 構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを基板材料上に流しながら、粒子線を基板材料上の所望位置に向かって照射することにより、基板材料上に微細構造物を作製するガスデポジション法のための原料ガス供給方法であって、穴を有する容器内に、構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生する固体物質を入れ、固体物質を入れた容器を基板材料の近傍に配置し、容器の穴から基板材料上に原料ガスを供給することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト(4)の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー(8)の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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