【課題】対象物を加熱することなく樹脂フィルムなどの絶縁体膜上に炭素系膜を成膜し、透明性を保つ形成法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極によりイオンビームを引き出して加速し酸化シリコンをコーティングした対象物に照射することにより炭素原子と酸化シリコン原子が結合する事により、透明性の高いダイヤモンドライクカーボン膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、配向性の高いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えた低コストのＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ＰＺＴ薄膜３０ａの製造にあたっては、結晶成長用基板１の主表面側の成長表面である最表面Ｓｕｒに電子銃２から電子ビームを照射しながらスパッタ法によりＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面Ｓｕｒ付近の電子４に起因した電場と最表面Ｓｕｒに向かって飛来するＰＺＴ粒子３の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させることができる。ＢＡＷ共振器における圧電薄膜の形成方法としてＰＺＴ薄膜３０ａの製造方法を利用すれば、ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタの低コスト化を図れる。 （もっと読む）

【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム１０８を生成するクラスタイオン源１０２を使用して加工物１１２を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはＸｅをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム（電子ビームカラム１０６または集束イオンビームカラム）を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム処理用保護層を提供すること。
【解決手段】表面の方に流体を導くことによって、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護する保護層が加工物に塗布される。アプリケータは表面に接触しないことが好ましい。インク・ジェット・プリント型プリント・ヘッドは適切なアプリケータである。インク・ジェット型プリント・ヘッドにより種々さまざまな流体を使用して保護層を形成することができる。保護層を形成する有用な流体は、小さい銀の粒子を有するコロイダル・シリカ、炭化水素ベースのインク、および染料を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ８を複数有し、該パイプ８の出口であるノズル８ａ同士が１次イオンビーム１７の軸と対称で内部を通過する流体が試料１８面に向かう形状で構成され、該パイプ８への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】使用の当初の摩擦係数を低下させることにより、安定した摺動特性を長時間有する硬質炭素被膜を形成しようとするものである。
【解決手段】炭化水素系ガスを用いたプラズマ気相合成法によって硬質炭素被膜を形成した基材に、ガスプラズマによるボンバード処理によって表面処理を行う。 （もっと読む）

一端に放出口をもつ液体供給導管を有するアトマイザの提供、放出口の上流で液体供給導管のポートに開口するガス供給導管、及び、アトマイザに振動エネルギーを与えるための手段を含む、液体を噴霧化する方法。１つの実施形態において、液体供給導管及びガス供給導管は、互いに関して同軸になるように配置される。本方法は、更に、ガスをガス供給導管を通して流すのと同時に、液体を液体供給導管を通って放出口に流すことと、放出口から出てる液体を噴霧化するために振動エネルギーをアトマイザに与えることを含む。ポートでガスを導入することによって、液滴スプレーの寸法特性が改善される結果を得る。
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【課題】カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法。
【解決手段】半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 （もっと読む）

【課題】対象物を加熱したり、対象物表面へ下地層を形成したりすることなく、低コストで炭素系膜を形成することが可能な炭素系膜の形成装置および形成方法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部５によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極７ａ，７ｂによりイオンビームを引き出して加速し、この引き出されたイオンビームを対象物Ｘ上へ照射することにより、対象物Ｘ表面の改質とこの対象物表面への炭素系膜の形成とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】複数のウェーハ基板上にラジカルアシストにより同時膜成形するためのプロセスを提供する。
【解決手段】複数のウェーハ基板が所要の膜堆積温度にまで加熱される反応器内に装荷される。酸化物又は窒化物の対イオンの安定化学種源が反応器内に導入される。原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。堆積温度は、原位置ラジカル発生反応物が存在しない従来型の化学蒸着温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ボラジン骨格を含む絶縁膜を用いた半導体装置のデバイス信頼性を向上させる。
【解決手段】ボラジン化合物を原料として成膜し、当該膜に波長４５０ｎｍ以下の波長を有する紫外線または電離放射線を照射することを特徴とする層間絶縁膜の製造方法および当該製造方法を用いて製造された層間絶縁膜、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 収束した荷電ビームを用いたＣＶＤでデバイスを形成した場合、生産性が低く同一のものを安く大量に生産することが難しかった。
【解決手段】 複数の荷電ビームをレンズで収束し、且つ、偏向器で偏向して試料に照射する手段と、試料室にガスを導入する手段を備えた荷電ビーム装置において、加工条件に基づいて導入ガスを制御する手段と複数の荷電ビームを制御する手段により、試料表面に材料堆積、または、エッチング反応により構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを３次元で測定するための方法の提供。
【解決手段】前駆体ガスは、直径約0.7mmのガス噴射システムの管状ノズル５０を用いてサンプル上方に導入される。約8×10¹⁷mol/cm²sのガス流が用いられる。図２に例示される実施形態においては、２つのノズル５０および６０が存在し、２種類の異なる前駆体ガス５５、６５が基板上方に導入される。対象となる領域を走査する走査電子顕微鏡の電子ビーム７０は、前駆体ガス５５、６５を活性化させるために用いられ、この結果、選択された領域４０の基板のトポグラフィカルフィーチャ上に金属層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】各種の描画対象体に対して十分に小さい図画を容易に描画し得る描画方法を提供する。
【解決手段】描画対象体（物体：基材１０）の一面に描画用ガスを吹き付けると共に描画すべき図画Ｇａ（星の絵）を構成する各画素に対応する一面上の各所定位置（形成位置Ｐｂ１０，Ｐｃ１０・・）に描画用ビームを照射して描画用ビームの照射領域に描画用ガス中の描画材料を堆積させることにより、描画対象体の一面とは電気抵抗値が相違する点（マーク４ａ）を所定位置に形成して図画Ｇａを描画する。 （もっと読む）

【課題】均一な超撥水膜を成膜することができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円柱状又は短冊状で軸中心部３１ａが周辺部３１よりも密度が高い分布をもつプラズマを用い、圧力が高く気体の拡散が少ない雰囲気下で気相成長もしくは重合により基板２８に成膜を行う成膜装置において、反応ガス３２を供給するガス管２７が複数に分岐され、該分岐されたガス管の噴出口はガス流が該プラズマの軸中心の周辺部に向かって噴出されるように配置され、かつ、該基板は成膜面３３の背面側から覆われるように囲い３６が設置されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ−ＣＶＤを用いて、小型で、任意の場所、形状で微小電磁誘導装置を作製することができる微小電磁装置の作製方法及びそれによって作製される微小電磁装置を提供する。
【解決手段】 微小電磁装置の作製方法において、三次元ＣＡＤを用いて設計した微小電磁装置の三次元構造モデルに基づいた描画データから、原料ガスに集束イオンビームを照射するＦＩＢ−ＣＶＤ装置の集束イオンビームの照射位置とビームの強度、照射時間、照射間隔、照射方向を制御し、ガラスキャピラリー３１の先端面に鉄芯３５とＤＬＣコイル３６とからなる微小電磁装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ−ＣＶＤを用い、簡便に任意形状の３次元的な微小立体構造操作具を作製する微小立体構造物操作具の作製方法及びそれによって作製される微小立体構造操作具を提供する。
【解決手段】微小立体構造操作具の作製方法において、３次元ＣＡＤを利用して設計した微小立体構造操作具を三次元モデルから算出した描画データに基づいて、原料ガスへの集束イオンビームの照射によるＦＩＢ−ＣＶＤ法を用い、集束イオンビームの照射位置、ビームの強度、照射時間、照射間隔を制御することで任意形状のＤＬＣブレードナイフ１２，１３及びニードル１４を有する微小立体構造物操作具としてのナノカッターを作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜空間を高圧雰囲気にした場合であっても、成膜空間側に長くプラズマを引き出すことができる装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０は、プラズマ生成室２１と、陰極３１と、成膜用容器２４の内部に配置された陽極２６と、第１および第２中間電極２２，２３とを含み、第２中間電極２３には、電位制御部２８が接続され、陽極２６と陰極３１との間の電圧降下により第２中間電極２３の位置で生じる電位よりその電位を低くする。これにより、第２中間電極２３と陽極２６との間の空間の電位勾配を、電圧降下による電位勾配より大きくすることができるため、プラズマ発生源から引き出された電子（プラズマ）を加速して、成膜空間に長く引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いた高精度の表面改質方法を提供する。
【解決手段】電気的スイッチ式イオンビーム源を提供するステップと、サンプル表面の座標をxおよびyとしたときの滞留時間トポロジーt(x,y)を、イオンビーム源の機械的位置決め系の特性に依存する機械的滞留時間t_mechanicalと電気的スイッチ式イオンビーム源の特性に依存するパルス式滞留時間t_pulseの和として定義するステップと、サンプルの初期表面プロファイルz(x,y)を測定するステップと、目標最終等高線プロファイルf(x,y)を指定するステップと、f(x,y)とz(x,y)の差から目標除去トポロジーh(x,y)を計算するステップと、h(x,y)からデコンボリューションによってイオンビームの滞留時間トポロジーt(x,y)を計算するステップと、電気的スイッチ式パルスイオンビームを用いて順次、サンプル表面を改質するステップとを含む。 （もっと読む）