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Fターム[4K030FA12]の内容

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Fターム[4K030FA12]に分類される特許

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【課題】本発明は、安定して成膜できる3次元中空容器の薄膜成膜装置を提供する。
【解決手段】円筒型金属製容器内の中心軸上に中空容器を固定する手段と、原料ガスを注入する金属製原料ガス導入管が中心軸上に配置され、前記金属製容器内を真空状態にする排気する手段と、方形導波管を介してマイクロ波エネルギー注入手段を具備し、円筒型金属製容器の内面と金属製原料ガス導入管で形成される半同軸共振器モードで封じ込められたマイクロ波エネルギーによって得られるプラズマを用いてCVD法により薄膜を成膜する装置において、半同軸共振器モードの中心導体である前記金属製原料ガス導入管先端部と円筒型金属製容器の天面部との間に、マイクロ波の伝搬モードである導波管モードから半同軸共振器モードに変換するために円筒型空洞器における最適な導波管モードが存在する空間部を設けたことを特徴とする3次元中空容器の薄膜成膜装置である。 (もっと読む)


本発明は、データ媒体や銀行券や証明書などの重要書証及び/又は包装及び同様なものを、偽造防止や追跡調査できるようにすることを目的とするものであって、対象物にコーティングを施して、このコーティングの発色を介して光学的に容易に識別でき、かつ、一義的に関連づけできるように特性表示するシステムに関する。本発明は、また、この特性表示システムのための、セキュリティエレメント及びセキュリティマーキングにも関するものであり、これらは、PVD法又はCVD法による蒸着によって製造することができるもので、本発明は、それらの製造方法及びそれらの使用にも関する。 (もっと読む)


本発明は、HTSコーティングのテープの製造のための、高スループット、紫外線(UV)励起の有機金属化学気相成長(MOCVD)システムである。本発明の前記UV励起のMOCVDシステムは、堆積ゾーンを照射し、薄膜成長率を改善するUV光源を含む。前記MOCVDシステムはさらに、反応速度を最適化するため、前駆体蒸気の励起を増加し、従来の二原子酸素(O2)よりも単原子酸素(O)の大気を利用し、これにより、前記薄膜成長率は増加する。別の実施形態では、マイクロ波プラズマ注入器は、前記UV光源の代替となる。
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【課題】第2の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明による中性ビーム蒸着装置を利用した蒸着方法は、被処理基板に化学的に吸着されない物質を含む第1の反応ガスを被処理基板がローディングされた反応チャンバ内に供給して化学的に吸着されない物質を含む第1の反応物吸着層を被処理基板上に化学的に吸着させて形成する段階と、第1の反応物吸着層が形成された被処理基板上に第2の反応ガスにより生成された中性ビームを照射して化学的に被処理基板上に吸着されない物質を第1の反応物吸着層から除去して第2の反応物吸着層を形成する段階と、を備える。本発明による中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を利用することによって、チャージングによる損傷なしに工程を実行することができる。 (もっと読む)


【課題】 基体に対する密着性が良好であるばかりか、水分、特にアルカリ水溶液に対する耐性にも優れたプラズマCVD法による蒸着膜を提供する。
【解決手段】 有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたプラズマCVD法により基体表面に形成した蒸着膜において、前記有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素(O)及び炭素(C)の3元素基準で、前記蒸着膜は、炭素濃度が5元素%以上の基体側接着層領域と、炭素濃度が5元素%未満の中間層バリアー領域と、炭素濃度が5元素%以上の表面保護層領域とに区画され、表面保護層領域の外面では、炭素(C)濃度が酸素(O)濃度及び金属元素(M)濃度よりも高く、金属元素(M)の酸化度xが1.3以下であり、且つ金属元素(M)の結合エネルギーが、前記中間層バリアー領域での金属元素結合エネルギーの平均値よりも1.0eV以上小さく、中間層バリアー領域では、金属元素(M)の酸化度xが平均して1.8より高く且つ2.4以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜101上にパッド102を形成する工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜103を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部104を形成する工程と、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層105を形成する工程と、前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプ15を形成する工程と、前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、を具備するものである。 (もっと読む)


【課題】 薄くて軽い基材の上に所定膜種の膜を成膜し、半導体素子等を製造することができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基材2に対向配置される筐体3と、基材2上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスGを、基材2と筐体3との間に供給するガス供給手段18と、筐体3に配置され、基材2に励起線Eを照射する複数の励起線源17と、基材2と励起線Eとを相対移動させる移動手段15,16,24と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。
【解決手段】 基材10上に、当該基材10と相性の良い中間層としての金属膜12が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層12上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜(高濃度層)14が、プラズマCVD処理によって形成される。さらに、この高濃度層14上に、当該高濃度層14よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜(低濃度層と言う)16が、同プラズマCVD処理により形成される。そして、高濃度層14および低濃度層16が、一連の硬質炭素膜18を成す。このように硬質炭素膜18に含まれるシリコンの量が基材10から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜18の耐面圧性を含めた密着性が向上する。 (もっと読む)


本発明は、内壁及び床面によって画定される床と内部容量とを含む円筒形の容器を備える気相試薬分配装置に関する。容器4は、容器の内部容積内の液体試薬レベルを検出する液体試薬レベルセンサ2と、容器の内部容積内の液体試薬の温度を検出する温度センサ1及び11とを備える。容器の床は、床の表面から下向きに延在する空腔3を有し、液体試薬レベルセンサ2の下端と温度センサ1及び11とがその空腔の中に配置される。この分配装置は、半導体材料及び装置の製造において、物質の堆積のための前駆体などの試薬を分配するために用いられてよい。
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nmオーダの空中配線を作製することができる製造方法およびその製造装置を提供する。コンピュータパターン描画装置(9)にあらかじめ記憶された3次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用してCVDプロセスにより空中配線(3)を作製する。
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3次元的な微小立体構造物、特にテラス構造や中空構造等の支持部分がない構造物を作製することができるFIB−CVDによる微小立体構造物の製造方法及びその描画システムを提供する。電子計算機を利用して設計した微小立体構造物の3次元モデルから高さ方向に分割した断面形状を算出した積層構造の離散的な描画データに基づいて、ビームの照射位置、照射時間を決定し、集束イオンビームを制御することにより、微小立体構造物を作製する。
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磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜(13)と、陽極酸化アルミナ膜(13)の上部表面及び細孔(14)の内壁に形成された炭素層(15)と、細孔(14)の炭素層(15)を介して内部に形成された磁性粒子(16)と、炭素層(15)及び磁性粒子(16)の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層(15)により陽極酸化アルミナ膜(13)の表面及び細孔(14)の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜(13)を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】カンチレバーに融着固定された導電性ナノチューブ探針と試料の間に電圧を印加したり、通電させたりすることができる導電性走査型顕微鏡用融着プローブを実現する。
【構成】本発明に係る導電性走査型顕微鏡用プローブ20は、カンチレバー4に固着された導電性ナノチューブ探針12の先端14aにより試料表面の物性情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおいて、前記カンチレバー4の表面に形成された導電性被膜17と、カンチレバー4の所要部表面に基端部16が融着固定された導電性ナノチューブ12と、この導電性ナノチューブ12の基端部16から前記導電性皮膜17の一部を被覆する導電性堆積物18から構成され、導電性ナノチューブ12と導電性被膜17を導電性堆積物18により導通状態にすることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの信頼性を改善するという結果をもたらす望ましい大きさおよび距離を有したウェハー表面上にエピタキシャルの小島の製造を容易化できる選択場所にエピタキシャル膜を成長させるための装置および方法を提供すること。
【解決手段】選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置は、イオン銃3、イオンの方向とエネルギを制御する制御手段4b、ウェハーホルダ2、ガス導入口5、および排気ポート6を備えるウェハーパターニングチャンバ1と、別置きのエピタキシャル膜成長チャンバから構成されている。当該装置において、ウェハーパターニングチャンバにおけるイオン銃は予め定められた直径およびイオンエネルギのイオンビームを放射し、その結果、ウェハー表面上の衝突イオンはウェハー表面に原子間のいくつかの結合を破壊しまたは転位することによってダメージを与える。 (もっと読む)


【課題】 光学素子成形用型材の耐久性向上。
【解決手段】 離型層として硬質炭素膜、中間層として非晶質炭化けい素膜を用いる光学素子成形用型材の製造方法において、硬質炭素膜及び非晶質炭化けい素膜の形成時に、型材に直流パルスバイアスを印加して形成する。 (もっと読む)


【課題】 新規素子の開発リードタイムを短縮するとともに、さまざまな種類の材料を用いて開発・製造コストを低減し、かつ、素子の小型化・微細化を図ることができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基板2を内部に収容する容器3と、基板2上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスGを、容器3内に供給するガス供給手段11と、基板2に励起線Eを照射する複数の励起線源4と、基板2と励起線Eとを相対移動させる移動手段6と、所定膜種の膜の成膜位置および成膜状態を検出する成膜検出手段12と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 ナノサイズの超伝導細線を簡便に作製する。
【構成】 炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させる。 (もっと読む)


【課題】局部的プラズマ処理を提供すること。
【解決手段】局部的プラズマ処理方法は、帯電粒子蒸着およびエッチングに比べて、処理速度を向上させ、加工物損傷を低減する。一実施形態において、プラズマ噴流は、プラズマ生成チャンバを出て、反応ガスを活性化させる。プラズマおよび反応ガスの噴流は、加工物に衝撃を与え、それを処理する。反応ガスにおけるプラズマおよびイオンは、低運動エネルギーを有することが可能であるため、表面損傷がほとんどまたはまったく起こりえない。これは、蒸着プロセスに特に有用である。材料をエッチングすることが望まれる場合は、反応イオンをより高エネルギーにして、エッチングを増強することができる。 (もっと読む)


【課題】窒素含有率の高い硬質の窒素含有炭素膜を良好な成膜効率をもって形成する。
【解決手段】支持体1上に、プラズマCVD法によって膜形成を行う成膜装置10であって、排気系を備えた真空槽の中に、窒素によってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源20と、成膜ガス導入機構2とを具備してなり、成膜ガス導入機構2から供給された成膜ガスを、窒素により形成したプラズマにより分解し、窒素含有炭素膜の形成を行う成膜装置10を提供する。 (もっと読む)


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