【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板に膜を形成する場合、異物を効果的に除去し、メンテナンス性を向上させることができるとともに、生産性が高く高い稼働率で連続的に膜を形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置はチャンバ内を所定の真空度にする第１の真空排気手段と、基板の成膜面に膜を形成する成膜部と、基板の搬送方向と直交する方向に回転軸を有し基板の成膜面に接して基板を成膜部に搬送する第１の搬送ローラと、基板の搬送方向と直交する方向に回転軸を有し所定の膜が形成された基板の成膜面に接して基板を搬送する第２の搬送ローラと、第１の搬送ローラの表面の異物を検出する第１の検出手段と、第１の検出手段よりも第１の搬送ローラの回転方向の下流側に設けられ第１の搬送ローラの表面に付着した異物を除去する第１の異物除去手段と、異物が検出された際に第１の異物除去手段により異物を除去させる制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】粒子径の揃った粒子を基板上に堆積させる装置および方法の提供。
【解決手段】原料ガス中の原料を反応させることにより粒子を生成させ、前記粒子を基板上に堆積させる粒子堆積装置。この装置は、内部に反応室と後室とを有し、前記反応室に連絡した原料ガス供給口と前記後室に連絡した排気口と前記後室内に配置され且つ前記基板を保持可能なホルダとを具備してなる反応容器と、前記反応室内にプラズマを生じさせるプラズマ発生装置と、前記プラズマを生じさせながら、前記排気口より反応後のガスを排出させるガス流制御手段とを具備してなる。この装置により、導入された原料ガスを反応させて粒子を形成および成長させ、プラズマによるクーロン力と、ガス流による抗力とのバランスによって、所望の粒径を有する粒子のみを選択し、基板上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】白金化合物と鉄化合物とを気化した原料ガスを、還元性のキャリアガスと共に反応室２へ供給するＣＶＤ用気化器４を備える。ＣＶＤ用気化器４は、流入口から流出口に向けてキャリアガスが流れるキャリアガス流路42と、キャリアガス流路42に原料溶液を供給する原料溶液流路71と、キャリアガス流路42の流出口に設けられ、原料溶液流路71から供給された原料溶液を気化する気化部45とを備える。キャリアガス流路42は、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給管43と、キャリアガス供給管43からキャリアガスが供給され、原料溶液を微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて気化部45に供給するオリフィス管44とを備える。気化部45は、キャリアガス中に分散させた原料溶液を加熱して気化する加熱手段62を備えている。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【解決手段】基板を磁気ディスクメモリに製造するのに使用するための冷却装置であって、冷却プレートが基板に関して動的に配置されるところの冷却装置が説明される。これにより、効果的な冷却のために冷却プレートを基板により近く配置することが可能となる。配置は冷却プレートと冷却すべき基板との間の容量測定値により制御される。 （もっと読む）