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Fターム[4K057WB15]の内容

Fターム[4K057WB15]に分類される特許

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【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びpH緩衝剤を含み、pHが6〜8の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 (もっと読む)


本発明は、エッチャントすなわちエッチング溶液及び該エッチング溶液用添加剤、これらの処理方法、これらを用いた基板のパターニング方法、本発明に従って処理されたパターニング基板、並びに当該パターニング基板を有する電子素子に関する。基板に係る少なくとも1層の表面コーティングを、エッチングによってパターニングする、本発明に従ったエッチング溶液は、硝酸、亜硝酸塩、化学式C(H)n(Hal)m[C(H)o(Hal)p]qCO2Hで表されるハロゲン化された有機酸、及びバランス水を有する。ここで、Halは臭化物、塩化物、フッ化物又はヨウ化物を表す。nは0,1,2又は3で、mは0,1,2又は3である。ただしm+n=3である。oは0又は1で、pは1又は2である。ただしo+p=2である。qは0又は1であるが、ただしq+m=1,2,3又は4である。
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【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板12上に高アスペクト構造体11を形成する構造体の形成方法であって、下地基板12上に、中央導電部13a及び中央導電部13aを囲う外周導電部13bを形成し、これら中央導電部13a及び外周導電部13bに無電解界めっきによってめっき23を析出させ、その後、外周導電部13bに析出しためっき23を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


防炎剤としてまたはプレス成形性を向上させる目的でアンチモン化合物を含有する支持体の上にスズまたはスズ合金層を沈着させるための方法であって、アンチモン化合物は、金属化に先立ち、酸性溶液によって基板材料の表面から取り除かれることを特徴とする方法が提供される。このために、塩酸を含有する前処理溶液が用いられることが特に好ましい。この方法は、アンチモン化合物を含有するプリント回路基板上に接合可能なスズ仕上げ層を形成するのに特に好適であり、スズ仕上げ層は、はんだストップマスクによって覆われていない導体パターンの銅部分の上に形成される。 (もっと読む)


共通の基材の一部として作製された個々の電子パッケージのシンギュレーションは、マスクパターニングおよび化学曝露を物理的ソーイングと組み合わせることによって達成される。本発明のシンギュレーション法の一つの態様では、基材のパッケージ間領域への最初の浅いソーカットが、下にある金属をその後の化学エッチング工程のために露出させる。他の態様では、別個のフォトレジストマスクを基材上にパターニングして、パッケージ間領域の金属を化学エッチングのために選択的に露出させることもできる。

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【課題】誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセスを提供することに関するさらに、本発明は、回路パターン素子からの金属損失を防ぐことに関する。
【解決手段】
(a)第1主面を有しパターン形成されていない金属層を提供すること;
(b)該第1主面に微細粗面化を施し、微細粗面化された表面を形成すること;および、
(e)該金属層をエッチングし、該金属層に回路パターンを形成することを含み、
該微細粗面化がエッチングの前に行われ、該微細粗面化された表面が、粗面計の測定で約0.3〜約0.6ミクロンの表面粗さrを有する、誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセス。 (もっと読む)


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