【課題】ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路が形成された銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体であって、回路厚さ方向でくびれを有し、回路幅が、回路上部から少なくとも回路厚さ１μｍまで、回路厚さ方向に向かって減少し、回路トップ幅Ｌ（μｍ）と回路ボトム幅ｌ（μｍ）との差の絶対値｜Ｌ−ｌ｜が５μｍ以下であり、くびれの幅ｗ（μｍ）と回路トップ幅Ｌとの比ｗ／Ｌ（％）が７０％以上であり、くびれの回路ボトムからの高さｈ（μｍ）と回路厚さｔ（μｍ）との比ｈ／ｔが５０％以上である積層体。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＦｅＣｌ₃を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを０〜２．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系めっき鋼板の表面に熱可塑性樹脂を接触させた場合に、良好な密着性を付与することができる粗面化Ａｌ系めっき鋼板を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ含有量が５〜１３質量％の範囲内のＡｌ−Ｓｉめっき層を有する溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を準備する。この溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を酸化性の酸性水溶液に浸漬して、めっき層の表面に平均深さが０.２μｍ以上で、かつ前記めっき層の膜厚に対する前記めっき層表面からの平均深さの割合が８０％以下のピットを複数形成する。酸化性の酸性水溶液としては、塩化第二鉄水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも１種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

Ｉｎ、Ａｌ及びＭｏを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、４５〜７０重量％のリン酸、２〜１０重量％の硝酸、５〜２５重量％の酢酸、０．０１〜３重量％の含フッ素化合物、０．１〜５重量％のリン酸塩、及び残量の水を含む。
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【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

【課題】Snめっき金属材料からSnを分離させる化学的処理に伴って二次廃棄物や廃棄物ができてしまうのを抑える。
【解決手段】水酸化ナトリウムの溶融塩を収容した反応槽1にSnめっき廃材Wを浸漬することで、短時間にSnめっき層のSnが溶融塩中に溶出する。反応槽1の中の溶融塩には酸素が供給される。酸素を供給して酸素雰囲気で処理することで、溶融塩中に溶出したSnの化合物はSn酸化物が主体となって沈殿すると共に反応によって生成されるH₂Oで、溶融塩中の酸化ナトリウムが水酸化ナトリウムに再生される。 （もっと読む）

【課題】水道用器具における通水路の内周面から水への溶出量の低減を鉛及びニッケルの両者について実現可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、めっき工程Ｓ１０と、第１処理工程Ｓ１１と、第２処理工程Ｓ１２と、第３処理工程Ｓ１３と、第４処理工程Ｓ１４とを備えている。第１処理工程Ｓ１１では、硝酸と塩酸との混酸水溶液を第１処理液として用意し、めっき工程Ｓ１０後の第１ワークＷ１を第１処理液に浸漬して第２ワークＷ２を得る。第２処理工程Ｓ１２では、ＢＴＡ水溶液を第２処理液として用意し、第２処理液に第２ワークＷ２を浸漬して第３ワークＷ３を得る。第３処理工程Ｓ１３では、水酸化ナトリウム水溶液を第３処理液として用意し、第３処理液に第３ワークＷ３を浸漬して第４ワークＷ４を得る。第４処理工程Ｓ１４では、リン酸水溶液を第４処理液として用意し、第４処理液に第４ワークＷ４を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ₄）₂Ｓ₂Ｏ₈；ammonium persulfate）０．１〜３０質量％、無機酸０．１〜１０質量％、酢酸塩０．１〜１０質量％、フッ素含有化合物０．０１〜５質量％、スルホン酸化合物０．０１〜５質量％、アゾール系化合物０．０１〜２質量％、及び総量が１００質量％となる量の水を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ金属膜とＣｕ合金酸化物層を一括でエッチングするための、銅合金酸化物膜の溶解を制御することが可能で、とくに一括エッチングの対象となる積層において、Ｃｕ合金酸化物層を含む全ての層の溶解が適度なバランスで進む条件を実現するエッチング液およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングするためのエッチング液であって、過酸化物および有機酸を含む、前記エッチング液、および、基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングする方法であって、過酸化物および有機酸を含むエッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法。 （もっと読む）

【課題】金属基材の表面に形成された耐熱および耐環境性合金皮膜を高価な設備を用いることなく、しかも金属基材を溶解除去することなく効果的に除去することができる耐熱および耐環境性合金皮膜の除去方法を提供する。
【解決手段】金属基材の表面に形成された耐熱および耐環境性合金皮膜を除去する場合、まず、この耐熱および耐環境性合金皮膜にＡｌ拡散浸透処理を施したり、この耐熱および耐環境性合金皮膜をＡｌ融体に浸漬したりしてＡｌ濃度を５０原子％以上にする。次に、この耐熱および耐環境性合金皮膜が形成された金属基材を塩酸溶液に浸漬して化学的ストリッピングを行うことにより、この耐熱および耐環境性合金皮膜中のＡｌを選択的に溶解させ、この耐熱および耐環境性合金皮膜を金属基材から除去する。 （もっと読む）

本発明は、
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％のＢ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはＢ２）ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはＢ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；および
Ｃ）組成物の約０重量％〜約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物；ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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【課題】基板上にニッケル合金からなる第一膜と、銅又はその合金からなる第二膜とを順に重ねてなる積層膜をエッチングする際に、第一膜と第二膜との両方に対してエッチング能力があり、かつ、第一膜と第二膜に対するエッチングレートの差異が少ないエッチング液と、前記積層膜を一つのエッチング液で効率良くエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】第１のエッチング液は、塩酸と、硝酸とを含む水溶液とする。この水溶液は、燐酸をさらに含むと好ましい。また、第２のエッチング液は、塩酸と、塩鉄（ＩＩＩ）とを含む水溶液とする。この水溶液も、燐酸をさらに含むと好ましい。これら第１のエッチング液又は第２のエッチング液を用いて、基板１１上にニッケル合金からなる第一膜１２と、銅又はその合金からなる第二膜１３とを順に重ねてなる積層金属膜１４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に金属導電層を形成する工程と、該金属導電層上に第１の開口を有する第１メッキ層を形成する工程と、該第１メッキ層の側壁に該第1の開口より幅の狭い第２の開口を有する第２メッキ層を形成する工程と、該第２メッキ層をマスクとして第1のドライエッチングを行い該半導体基板をエッチングする工程と、該第1のドライエッチングの後に該第1メッキ層を残す選択的ウェットエッチングを行い該第２メッキ層をエッチングする工程と、該第２メッキ層をエッチングした後に該第1メッキ層をマスクとして第２のドライエッチングを行い該半導体基板をさらにエッチングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎメッキ付き銅材料から効率良く、かつ、確実にＳｎを除去することが可能なＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置を提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる銅基材の表面の少なくとも一部にＳｎメッキ層が形成されたＳｎメッキ付き銅材料からＳｎを除去するＳｎメッキ除去方法であって、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液を用いて、前記銅基材の表面に形成された前記Ｓｎメッキ層と、前記Ｓｎメッキ層と前記銅基材との間に生成したＣｕ−Ｓｎ合金層とを溶解する溶解工程Ｓ２を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰなどの基板上に形成する電極の電極幅を、意図するものに異ならせることのできる電極形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電極材料層とレジスト材料が形成された基板を搬送する搬送部と、電極材料層およびレジスト材料を除去するためのエッチング液を基板の上方向から噴霧させるエッチング部とを備える。エッチング部は、基板の進行方向に対して垂直方向に長い形状であり、かつ基板にエッチング液を噴霧させるための複数個のスプレーノズルが設置され、そのスプレーノズルにエッチング液を供給する複数のノズル配管部材を備える。複数のノズル配管部材は、並列に所定の間隔を空けて配置され、基板がエッチング部の下方を進行するにつれて、所定の電極幅分布を持つような電極が形成されるように、特定のノズル配管部材に設置されるスプレーノズルの個数および位置が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミホイールの製造方法において、鋳造後にノンクロメート表面処理を施した場合であっても、アルミホイールとノンクロメート皮膜との間での十分な密着性と耐食性を達成できる手段の提供。
【解決手段】アルミホイールの製造方法において、当該アルミホイール表面における酸化物Ｓｉに対する金属ＳｉのＳｉ原子割合の比が０．０１〜９となるまで、アルカリビルダー、有機ビルダー及びキレート剤を含有するアルカリ洗浄液で当該アルミホイール表面をケミカルエッチングする清浄化工程を含む、アルミホイール表面の洗浄に際してショットブラスト処理工程の省略が出来ることを特徴とする方法。 （もっと読む）