【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの電極を確実に分離することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各凹部１０ａの側面及び各凹部１０ａ周辺のシリコン基板１０上面には、シリコン酸化膜１１が形成してあり、さらに、シリコン酸化膜１１の上面には、シリコン窒化膜１３が形成されている。シリコン窒化膜１３の縁辺は、シリコン酸化膜１１の縁辺より突出させてオーバハング形状（庇状）にしてある。また、各凹部１０ａの開口部周りのシリコン酸化膜１１は、等方性エッチングによってオーバハング形状にしてある。すなわち、各凹部１０ａの開口部周りは、シリコン窒化膜１３によるオーバハングとシリコン酸化膜１１によるオーバハングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み性がよくアスペクト比が高いコンタクトビアを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、前記半導体層上に設けられ、前記半導体層に電気的に接続する第１コンタクトビアを有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、第２コンタクトビアを有する第２絶縁層とを備え、前記第１絶縁層から前記半導体層の方向に形成されたトレンチの底面近傍において、前記第１コンタクトビアと第２コンタクトビアとが電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】孔の中や溝の中などに金属材料を埋め込んだ際のカバレッジ性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置９１の製造方法は、まず、基板５１上に低透過率のレジスト膜２
２を形成する。次に、ホログラフィック露光装置１１を用いてレジスト膜２２を露光及び
現像する。これにより、ホログラフィック露光装置１１側が広いテーパ状の開口孔６２ａ
を有する第１レジストパターン６１ａを形成することができる。この第１レジストパター
ン６１ａをマスクとしてシリコン酸化膜５３を異方性にエッチングするとともに、第１レ
ジストパターン６１ａも異方性にエッチングする。これにより、第１レジストパターン６
１ａの形状から第２レジストパターン６１bの形状にすることができ、口元が広いテーパ
状のコンタクトホールを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより２段以上の段差形状を精度よく形成する。
【解決手段】１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む構造体を形成する第１の工程と、形成された構造体の表面をレジスト層で被覆する第２の工程と、レジスト層１０２にフォトマスク２００を透過した光を照射し、現像することによりレジスト層１０２をパターニングする第３の工程と、パターニングされたレジスト層１０２をエッチングマスクとして２回目のドライエッチングを行い、２段の段差形状を含む構造体を形成する第４の工程を有し、フォトマスク２００は、光の透過率の異なる２つ以上の領域を有し、２段目の段差形状を形成する部分のうち、深さ方向に沿った面に照射される光が透過する領域の透過率が、パターニングの深さに対応した０％と１００％の間の値であり、それ以外の部分に照射される光が透過する領域の透過率が１００％である。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより２段以上の段差形状を形成する場合に、レジストの残留によるエッチング残りを防止する。
【解決手段】１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む構造体を形成する第１の工程と、形成された構造体の表面をレジスト層１０２で被覆する第２の工程と、レジスト層１０２にフォトマスク２００を透過した光を照射し、現像することによりレジスト層１０２をパターニングする第３の工程と、パターニングされたレジスト層１０２をエッチングマスクとして２回目のドライエッチングを行い、２段の段差形状を含む構造体を形成する第４の工程を有し、フォトマスク２００は、光の透過率の異なる２つ以上の領域を有し、２段目の段差形状を形成する部分のうち、光の進行方向に平行な面に照射される光が透過する領域の透過率は、それ以外の部分に照射される光が透過する領域の透過率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンリッチなガスとＯ₂及び希ガスとを含むエッチングガスを用い、層間絶縁膜２０の途中までを選択的にエッチングして上部の大径コンタクト孔を形成する第１の異方性エッチング工程と、水素ガスを含むガスを用いて上部コンタクト孔にデポジション膜を堆積するデポジション工程と、Ｏ₂を含むガスを用いコンタクト孔の底部のデポジション膜を選択的に除去する第２の異方性エッチング工程と、第１の異方性エッチング工程と同じガスを用い、層間絶縁膜２０の残りの部分をエッチングして、下部の小径コンタクト孔を形成する第３の異方性エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高温・高湿環境下における化合物半導体素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】 ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。上記拡散防止層３として、タンタル（Ta）またはニオブ（Nb）を用いた構造とする。
上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 チャネル長を十分増大させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アクティブ領域を画定する素子分離膜２が形成された半導体基板１を設けるステップと、半導体基板１上に絶縁膜３を形成するステップと、絶縁膜３上にリセス予定領域を画定するマスクパターンを形成するステップと、マスクパターンをエッチングマスクに絶縁膜３をエッチングしてリセス予定領域を露出させるステップと、露出されたリセス予定領域を一次等方性エッチングして第１溝７を形成するステップと、第１溝７の底面下の半導体基板部分を２次ドライエッチングして第２溝８を形成するステップと、第２溝８を含む第１溝７上にゲート１３を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 微小開口の孔の形成が容易で、断線が発生しにくく、且つオーバーエッチングによる電極等の再付着現象を発生させないようにする。
【解決手段】 有機系の第２の絶縁層２２を珪素系の第１の絶縁層２１と第３の絶縁層２３で挟んで絶縁膜２０を形成し、その絶縁膜に対して、異方性エッチングと異方性の強いエッチングを交互に繰り返すことにより、第２の絶縁層２２部分に段部２９を有し、基板側に向かって凸型の孔３０を形成し、回路素子１の電極１ａと絶縁膜表面との間を接続する配線部として蒸着される導電材が、段部２９に堆積する導電材を介して一体化するようにしている。 （もっと読む）

【課題】 少ない労力でビアホール等を形成するときのエッチング条件が適切か否かを確認できるようにする。
【解決手段】 基準部、該基準部より低地である低地部、及び前記基準部より高地である高地部を有する半導体基板１上に、導電膜２及び層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。層間絶縁膜３をエッチングすることにより、低地部の上方に位置する第1及び第２の接続孔３ａ、前記基準部の上方に位置する第３の接続孔３ｂ、及び高地部の上方に位置する第４の接続孔３ｃを同時に形成する。第１〜第４の接続孔３ａ〜３ｃそれぞれに、第1〜第４の導電体４ａ〜４ｃを埋め込む。層間絶縁膜３上に、第1の導電体３ａ、第３の導電体４ｂ及び第４の導電体４ｃを互いに接続する上部電極５ｂを形成し、上部電極５ｂと、第１の導電体３ａとの間の抵抗を測定する。 （もっと読む）