【課題】高抵抗シリコンの電気的特性を、高い信頼性をもって評価するための手段を提供する。
【解決手段】ボロン濃度１．５０ｘ１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法。評価対象のシリコン表面を酸洗浄すること、洗浄後のシリコンに対して、該シリコンの表面温度が１５０〜３００℃の範囲となるように熱処理を施すこと、前記熱処理後のシリコンの前記酸処理を施した表面に形成された酸化膜を除去するための機械加工を施すこと、および、前記機械加工後のシリコン表面において、導電型および抵抗率からなる群から選ばれる電気的特性の評価を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】判定作業の効率化を図り、被測定用半導体材料を面的にＰＮ判定する。
【解決手段】ＰＮ型判定装置は、被測定用半導体材料に検査光を照射する光学系と、前記検査光が照射される部分に発生する電磁波を検出する同調コイルと、当該同調コイルで検出した検出波形の位相のずれ方をもとにＰ型又はＮ型を判定する判定部とを備えた。前記判定部は、前記検出波形と基本波形とを比較したとき、Ｐ型とＮ型の２種類の検出波形のうちの一方が前記基本波形と逆位相又は他方の検出波形と比較して逆位相に近いときＰ型と判定し、前記２種類の検出波形のうちの他方が前記基本波形と同位相又は一方の検出波形と比較して同位相に近いときＮ型と判定する。ＰＮ型判定方法の要部は、前記判定部での処理機能と同様である。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表層において、半導体基板の導電型と異なる導電型層の有無を判定等することのできる半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ構造を用いて半導体基板を評価する方法であって、少なくとも、半導体基板上に酸化膜を形成し、該酸化膜上に電極を形成してＭＯＳ構造を作製した後、前記電極と前記半導体基板間に半導体基板からみて蓄積側になるように電界を印加してＩ−Ｖ特性を測定し、該Ｉ−Ｖ特性において、所定の電界強度のときのＦ−Ｎ電流値から、前記半導体基板表層において、半導体基板の導電型と異なる導電型層の有無を判定する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 SiC単結晶等の基板に励起光を照射することで得られるラマン散乱光のスペクトルから極性半導体であるSiC単結晶等の面極性の判定を行う方法を用い、煩雑な手順を必要とせず、追加工又は修正加工の必要性がなく、さらに判定に要する時間を大幅に短縮し、半導体を破壊することなく半導体の面極性を判定する効果的な方法を得る。
【解決手段】極性半導体の面極性を判定する方法において、極性半導体に励起光を照射して得られるラマン散乱光を測定し、測定したラマン散乱光スペクトルから面極性を判定することを特徴とする極性半導体の面極性判定方法。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの表面を非接触にした状態で、このウエハの導電型を判別することが可能なウエハ測定装置および測定方法を提供する。
【解決手段】 一方の電極１１と他方の電極１１とを備え、ウエハ１に各電極１１、１１を接触させた状態でこれらの電極１１、１１間に電圧を印加して、この際に各電極１１、１１間で電流が流れる方向を判別し、ウエハ１の導電型を判別する構成とされたウエハ測定装置１０であって、各電極１１、１１はウエハ１を側方から狭持する構成とされている。 （もっと読む）

【課題】20ｋΩ・ｃｍ程度以上の高い抵抗率を有する半導体の伝導型を簡易かつ迅速に判定し得る伝導型判定方法および装置を提供する。
【解決手段】伝導型判定装置１は、パルス波形発生装置２と、増幅器３と、１対の対向電極４と、半導体被検体からの発光を検出する光検出器７と、信号増幅器８と、光検出器７からの発光出力波形およびパルス波形発生装置２からのパルス波形を同一時間軸上に表示するオシロスコープ９とからなる。１対の対向電極４および上記光検出器７は発光測定部１０を構成する。１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 （もっと読む）