【課題】半導体基板において、表面再結合速度およびバルクライフタイムを分離評価する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板において、３種類の半導体基板に対してそれぞれの一次モードのライフタイムτ_１１、τ_２１、τ_３１を測定し、得られたτ_１１、τ_３１および数式（１）乃至数式（３）を用いて、第１乃至第３の相関曲線を得て、第３の相関曲線にτ_２１を代入し、バルクライフタイムτ_ｂを得ることができる。また、第１および第２の相関曲線に得られたτ_ｂを代入し、表面再結合速度Ｓ_０およびＳ_１を得ることができる。




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【課題】キャリア寿命をより精度よく測定することができる半導体キャリア寿命測定方法及び半導体キャリア寿命測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体Ｘ表面の第１照射範囲に互いに波長が異なる第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第１照射範囲で反射した各測定波の変化から第１の１次モードキャリア寿命τ_１−１を求め、第１照射範囲より小さな第２照射範囲に対して第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第２照射範囲で反射した各測定波の変化から第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２を求める。そして、半導体Ｘの特定の位置で求めた第１の１次モードキャリア寿命τ１−１と第２の１次モードキャリア寿命τ１−２との相関関係に基づいて、半導体Ｘの各部位での第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２ｎをそれぞれ補正することにより半導体Ｘのキャリア寿命τ_ｂを求める。 （もっと読む）

【課題】μ−ＰＣＤ法を用いて半導体の結晶性を評価するにあたって、前記半導体が薄膜半導体から成り、導電性膜上に形成される場合にも、評価を可能にする。
【解決手段】試料２の測定部位に対して、紫外励起光源１７から半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光を照射するとともに、マイクロ波発振器１１から、励起光の照射位置にマイクロ波を照射し、検出器１８が反射マイクロ波の強度を検出し、パソコン１９で、その検出結果に基づいて前記試料２の結晶性を評価するようにした前記μ−ＰＣＤ法を用いる評価装置１において、前記半導体が薄膜半導体２ａから成り、導電性膜２ｂ上に形成される場合に、試料２とマイクロ波発振器１１との間に、前記励起光に対して透明である誘電体３を設ける。したがって、光励起キャリアの発生を阻害することなく、誘電体３の表面からの反射マイクロ波の振幅を大きくし、評価を可能にできる。 （もっと読む）

【課題】近年の清浄度の高い半導体基板であっても、清浄度評価を製造過程においてＳＰＶ法によって行うことによって、先端デバイスに最適な半導体基板を供給することができるようなウェーハ選別工程が組み込まれたシリコン単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造工程において、裏面再結合速度と半導体基板の厚さを組み込んでＳＰＶ法によって拡散長を計算し、照射する光の波長を変えて所定回数行って、計算した拡散長と照射した光の周波数との関係のグラフの近似線を求めて、周波数０に外挿して周波数０の時の拡散長をＬ_０として、この拡散長Ｌ_０によって良品・不良品を選別する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】半導体試料５の表面に励起光源９によるポンプ光を変調器１２を介して照射すると共に、白色光源１によるプローブ光を照射し、上記半導体試料５の表面で反射されたプローブ光の光変調スペクトルをＰＲ信号用検出器８で測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度の関係にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出する。 （もっと読む）