【課題】多層構造プローブの製造において、多層構造プローブの各層の接触子のコプラナリティを容易に確保する。
【解決手段】第１平板状基体１１上の複数の第１リード１２、その先端部の第１接触子１２ａを有する第１のプローブ１０Ａと、第２平板状基体２１上の複数の第２リード２２、その先端部の第２接触子２２ａを有する第２のプローブ１０Ｂとを貼り合わせる。この場合、第１接触子１２ａと第２接触子２２ａが同じ方向になるように、接着剤を介して重ね合わせる。そして、第１平板状基体１１上の第１の位置補正用マーク１３と、第２平板状基体２１上の第２の位置補正用マーク２３とを用い、第１接触子１２ａと第２接触子２２ａの上記方向のズレ量を補正する。この補正後に位置決めし第１平板状基体１１と第２平板状基体２１を上記接着剤で互いに接合させる。 （もっと読む）

【課題】電気的な接触不良の発生を抑制することが可能なプローブを提供する。
【解決手段】プローブ１０は、被試験半導体ウェハ１００に造り込まれたＩＣデバイスの入出力端子１１０に接触するバンプ２２を有するメンブレン２０と、第１の端子４１が下面に設けられていると共に、第１の端子４１に接続された第２の端子４２が上面に設けられたピッチ変換基板４０と、テストヘッド２に電気的に接続されていると共に、第３の端子６１を有する配線基板６０と、メンブレン２０のバンプ２２とピッチ変換基板４０の第１の端子４１とを電気的に接続する第１の導電部３１を有する第１の異方導電性ゴム３０と、ピッチ変換基板４０の第２の端子４２と配線基板６０の第３の端子６１とを電気的に接続する第２の導電部５１を有する第２の異方導電性ゴム５０と、を備えており、第２の導電部５１は、第２の異方導電性ゴム５０の全体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】多数のＬＳＩや半導体モジュール等の半導体部品を検査する場合に、被検査対象物が多くなっても、或いは測定個所が多くなっても、精度良く同時計測を行える検査装置を得る。
【解決手段】絶縁基板（１１）の第１面に被検査対象物（１０）に接触可能な複数のプローブ接点（２２）を形成し、第２面に複数の第１電極端子（２３）を形成し、プローブ接点と第１電極端子との間を複数の貫通電極（２４）で電気的に接続したプローブ基板（１０）と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面にハードウェアに接続された複数の第２電極端子（３３）を具備する制御基板（３０）と、プローブ基板の第１電極端子と制御基板の第２電極端子との間に介在させた、相互に電気的に接続する複数の導電緩衝材（２６）と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 抵抗金属および高融点金属を含む内部配線層を有する耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 アルミナ質焼結体からなる絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成された、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇの群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属ならびにＷおよびＭｏの少なくとも１種の高融点金属を含む内部配線層とを備えたプローブカード用配線基板において、Ａｌ_２Ｏ_３粒子は、平均粒子径が５〜１５μｍであり、最大粒子径が２０μｍ以下であるとともに、アルミナ質焼結体は、最大気孔径が１５μｍ以下であり、かつ粒界にＭｎＡｌ_２Ｏ_４およびＭｎＳｉＯ_３を含有してなり、Ｘ線回折によるＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＡｌ_２Ｏ_４の回折メインピーク強度の比がＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＳｉＯ_３の回折メインピーク強度の比よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
送信中に得られる信号の減衰を減らし、さらに、低い信号減衰で、テスト用物体の電気的特性を正確に測ること。
【解決手段】
分岐型プローブが、その電気的特性を検出するために、テスト用物体との接触に使われる。本実施例で提供されるプローブは、テスト用物体との接触に使われるコンタクトヘッド、第１の針本体、第２の針本体を有する。第１の針本体は、コンタクトヘッドに接続され、テスト用物体にテスト信号を送り、検出を実行する。さらに、第２の針本体は、コンタクトヘッドにも接続し、テスト信号にしたがってテスト用物体によって生成される反応信号を送り、テスト用物体の電気的特性を得ている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造技術によって形成された探針（プローブ）を有するプローバ（薄膜プローブ）を用いたプローブ検査時において、プローバおよび検査対象のウエハの破損を防ぐ。
【解決手段】ウエハ３１の主面において、金属膜２１Ａが形成される領域（穴３３を含む）およびプローブカードが組み立てられた際に接着リングより外側となる領域に銅膜３７を選択的に堆積した後に、金属膜２１Ａ、ポリイミド膜２２、配線２３、ポリイミド膜２５、配線２７およびポリイミド膜２８等を形成する。その後、ウエハ３１および銅膜３７を除去することにより、高さが十分に確保されたプローブ７を得る。 （もっと読む）