【課題】搭載基板とＬＥＤチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成され、ＬＥＤチップ２０を封止するガラス材料から成るガラス封止部３０と、搭載基板１１とＬＥＤチップ２０との間にガラス封止部３０のガラス材料が進入していない空隙である中空部３１と、中空部３１と連通するように搭載基板１１の板厚方向に貫通形成された注入孔３２と、中空部３１の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れ、またガラス管成形時に結晶が析出し難い半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供する。
【解決手段】 ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４５〜５８％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｂ_２Ｏ_３ １４．５〜３０％、ＭｇＯ ０〜３％、ＣａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ４．２〜１４．２％、Ｌｉ_２Ｏ ５〜１２％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜７％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ １５〜３０％、ＴｉＯ_２ ０．１〜８％含有し、ＺｎＯ／Ｌｉ_２Ｏが０．８４〜２の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性を有し、且つＰｂＯ等の有害成分を含まなくても、低温封止性を有する半導体封止用ガラスを提供する。
【解決手段】歪点が６５０℃以上であり、且つ１０^４ｄＰａ・ｓにおける温度が１２００℃未満であることを特徴とし、具体的には、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２３０〜５０％、Ａｌ_２Ｏ_３０〜１０％、ＣａＯ＋ＳｒＯ（ＣａＯ、ＳｒＯの合量）０〜２０％、ＢａＯ１５〜３５％、ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２（ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２の合量）０〜２５％、Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５（Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５の合量）０〜２０％を含有する。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、透光性を有する短繊維25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、ビスマス系ガラス粉末の熱的安定性を維持した上で、ビスマス系ガラス粉末中のＢｉ_２Ｏ_３の含有量を多くするとともに、耐火性フィラー粉末の形状を改良することにより、封着材料の流動性を向上させて、セラミックパッケージ等の特性を向上させること。
【解決手段】封着材料は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、（１）ビスマス系ガラス粉末が、ガラス組成として、下記酸化物換算の質量％表示で、Ｂｉ_２Ｏ_３７６〜９０％、Ｂ_２Ｏ_３２〜１２％、ＺｎＯ１〜２０％、ＣｕＯ０．０１〜１０％含有し、（２）ビスマス系ガラス粉末の含有量が３５〜９５体積％、耐火性フィラー粉末の含有量が５〜６５体積％であり、（３）耐火性フィラー粉末が略球状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、耐火性フィラー粉末を改良し、封着材料の流動性を向上させることにより、セラミックパッケージまたは平面表示装置等の特性を向上させること。
【解決手段】本発明の封着材料は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、耐火性フィラー粉末の含有量が５〜５０体積％であり、且つ耐火性フィラー粉末が略球状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く抑えられたガラスによって被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】ガラス被覆発光素子は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５ ２７〜３５％、ＺｎＯ ２５〜４５％、ＳｎＯ ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】加熱により樹脂封止部が熱膨張しても、基体からの剥離を防止することで、高い信頼性を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】発光素子２と、発光素子２に電源電圧を供給する接続電極４１が設けられセラミック基板４と、発光素子２を封止する樹脂封止部３とを備えた発光装置１において、セラミック基板４には、常温硬化ガラス材で形成することで、樹脂封止部３と密着するガラスパターン４４が形成されている。このガラスパターン４４は、発光素子２の周囲を囲うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】（１）固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、
（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．５ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク、及び、
（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が１．０ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピーク
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、
（２）ケイ素含有率が２０重量％以上であり、
（３）シラノール含有率が０．１重量％以上、１０重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ１ｍｍ、波長５８８ｎｍにおける内部透過率が８０％以上であり、且つ、４００℃以下の軟化点を有するＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。保護膜９の上面およびシリコン基板１の周辺部上面には封止膜１４が設けられている。これにより、特に、低誘電率膜配線積層構造部３の側面は封止膜１４によって覆われ、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードとの膨張係数不整合が小さい発光ダイオード被覆用ガラスの提供。
【解決手段】波長４０５ｎｍの光に対する厚み１ｍｍでの内部透過率が８０％以上であって、下記酸化物基準のモル％表示で、ＴｅＯ_２ ４０〜５３％、ＧｅＯ_２ ０〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜３０％、Ｇａ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０〜１０％、ＺｎＯ ３〜２０％、Ｙ_２Ｏ_３ ０〜３％、Ｌａ_２Ｏ_３ ０〜３％、Ｇｄ_２Ｏ_３ ０〜７％、Ｔａ_２Ｏ_５ ０〜５％、から本質的になり、ＴｅＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が７５モル％以下である発光ダイオード素子被覆用ガラス。 （もっと読む）

【課題】鉛酸化物を含まないが、ＰｂＯ的な所望の技術的ガラス特性を経済的に再現するガラスを含む電子素子を提供する。
【解決手段】ガラス被覆電子素子の製造方法であって、１．以下の組成を（重量％で）含む無鉛ガラスを液体で処理して懸濁液を生成する工程とＳｉＯ_２３〜１２％、Ｂ_２Ｏ_３ ２４〜３５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、 Ｃｓ_２Ｏ ０〜５％、 ＭｇＯ ０〜５％、ＢａＯ ０〜５％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０〜５％、ＣｅＯ_２ ０．１〜１％、ＭｏＯ_３ ０〜１％、Ｓｂ_２Ｏ_３ ０〜２％、ＺｎＯ ５０〜６５％２．この懸濁液を素子体に塗布する工程と３．この素子体を焼結する工程とを含んで成る方法。 （もっと読む）