【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板１と、基板に対向して配置された検出フレーム２１，２２と、基板に対向して配置された慣性質量体５と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極４１、４２とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極１０１，１０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】 検出電極を基板に固定せずに可動できるようにした高感度（＝狭ギャップ）な静電容量型の慣性センサにおいて、外乱振動や衝撃などで可動質量体の変位量を正しく測定できない虞がある。
【解決手段】 可動検出電極（２１Ａ）に対向して固定部（２５Ａ）を設け、可動検出電極（２１Ａ）を変位させた後、機械的に固定する。 （もっと読む）

駆動信号および／または駆動信号の加速度計感知電子部品への電子パススルーに関連する同相オフセット誤差等の、慣性センサの共振器に印加される駆動信号に関連する誤差源は、駆動信号を変調し、変調した駆動信号によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。慣性センサ共振器の空気力学に関連する誤差源は、共振器と下側の基板との間の距離を変調し、そのような変調によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。そのような誤差源によって引き起こされる誤差を実質的に相殺するために、補償信号が提供され得る。
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【課題】半導体圧力センサのオフセット電圧の調整コストを低減する。
【解決手段】ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の一部の結晶性をレーザで改質して当該ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を増加させることによりホイートストンブリッジ回路の各辺の抵抗値を所定の抵抗値に揃える。 （もっと読む）

【目的】センサそのものでゼロ点温度ドリフトを補償できる可動ゲート電界効果トランジスタ型の加速度および角加速度センサを提供する。
【構成】加速度および角加速度の一方または両方に対して変位量が異なる可動ゲート電極の長手方向における複数の領域に対応させて、それぞれのチャンネル領域が配備され、それぞれの可動ゲート電界効果トランジスタが構成されている。図1では、可動ゲート電極として中央部を固定部43でシリコン基板１のゲート酸化膜13上に固定された一対の片持ち梁（左可動部41および右可動部42）をなす可動電極4cを有し、これの長手方向に4つ可動ゲート電界効果トランジスタ（それぞれに固定電極6および７、固定電極6aおよび7a、固定電極6bおよび7b、固定電極6cおよび7cが対応）が配備されている。 （もっと読む）

【課題】高い周波数を有する大きな加速度が加わった際に生じるセンサ信号のゼロ点シフトを安定的に抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】検出フレーム５は、基板１に支持され、かつ第１の部分Ｐ１を有する。第１の部分Ｐ１は、主面ＭＳの面外方向の加速度がゼロの際に第１の寸法Ｄ１の空隙３１を介して主面ＭＳに対向し、かつ主面ＭＳの面外方向の加速度に対応して主面ＭＳの面外方向に変位するように構成されている。シリコンキャップ２０ａは、基板１に固定され、かつ主面ＭＳとの間に第１の部分Ｐ１を挟み、かつ主面ＭＳの面外方向の加速度がゼロの際に第２の寸法Ｄ２の空隙３２を介して第１の部分Ｐ１に対向し、かつシリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】初期特性が安定し、オフセット温度特性を改善できる半導体圧力センサを得る。
【解決手段】２枚のシリコン基板１１、１３が酸化膜を挟んで貼り合わされたＳＯＩ基板１０の一方のシリコン基板１３にキャビティー２０が形成され、該キャビティー２０に臨む他方のシリコン基板１１及びこのシリコン基板１１の両面に形成されたシリコン酸化膜１２、１４によってダイアフラム２１が形成された半導体圧力センサであって、前記ダイヤフラム２１を形成するキャビティー２０内側のシリコン酸化膜１２ｂの方をキャビティー２０外側のシリコン酸化膜１４よりも厚く形成した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部表面の応力バランスを不安定にすることなくオフセット電圧に対する可動イオンの影響を抑制することができる。
【解決手段】ダイヤフラム部２表面及びピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４表面に対応する絶縁膜６の表面にはダイヤフラム部２の中心軸に対し線対称に導電性薄膜７が形成されている。この導電性薄膜６は、電源投入時に半導体圧力センサ１表面に存在する可動イオンがピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の抵抗値を変化させることを抑制するシールド層として機能するので、電源導入時にブリッジ回路のオフセット電圧が変化することを抑制できる。また導電性薄膜７は、ダイヤフラム部２の全面に形成され、またダイヤフラム部２の中心軸に対して線対称形状であるので、導電性薄膜７を非局所的、非対称形状で形成した場合と比較して、ダイヤフラム部２表面の応力バランスを良好にし、オフセット電圧が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

本発明は、角速度を測定するのに使用される計測デバイスに関し、より正確には、振動型微小機械角速度センサに関する。本発明による角速度センサにおいて、ばね（１）、（２）、（３）、（４）、（２２）、（２４）によって伝達される一方の運動モードから別の運動モードへの結合が、ばねまたはそれぞれの支持体の歪度に起因する非理想的な性質によって生じる結合を打ち消したりあるいは緩和させたりするように、質量体は、非対称のばね構造体（１）、（２）、（３）、（４）、（２２）、（２４）を利用してセンサ構成要素のフレームに対して支持される。本発明による角速度センサの構造体によって、特に角速度センサに小型の振動型微小機械技術を使用する解決法において、優れた性能によって信頼できる測定を行うことが可能になる。 （もっと読む）

対称型差分容量センサ（６０）が、幾何学的中心である回転軸（７０）の周りに旋回可能な可動要素（６６）を備えている。前記要素（６６）は区分（８６、８８）を備えている。区分（８６、８８）はそれぞれ、回転軸（７０）から等しく離れて配置された止め具（９４、９６）を有する。また区分（８６、８８）はそれぞれ、異なる構成（１０４、１０８）のアパーチャ（１０２、１０６）を有する。アパーチャ（１０２、１０６）の構成（１０４、１０８）によって、区分（８６、８８）間で質量不均衡が生じる結果、要素（６６）が、加速度に応答して回転軸（７０）の周りで旋回する。またアパーチャ（１０２、１０６）によって、製造中のエッチ・リリースが促進され、要素（６６）が回転するときの空気制振が減る。アパーチャ（１０２、１０６）の下に設けられた電極（７８、８０）内にアパーチャ（１２６、１２８）を形成して、可動要素（８６）の二つの区分（８６、８８）間で容量を整合させ、同じ双方向駆動能力を実現する。
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【課題】サンプル個々におけるオフセット値のばらつきを低減する。
【解決手段】ブリッジ回路上で対向配置されるピエゾ抵抗素子Ｒ１ａ及びピエゾ抵抗素子Ｒ３ａと、ピエゾ抵抗素子Ｒ２ａ及びピエゾ抵抗素子Ｒ４ａの対を近傍位置に配置する。このような構成によれば、ピエゾ抵抗素子を形成する際の製造条件のばらつきによってピエゾ抵抗素子間で抵抗値に大きな差が生じることを抑制できるので、ブリッジ回路にバイアス電圧を印加した際、ピエゾ抵抗素子間の抵抗値の差が差動出力に対するオフセット値と出力され、サンプル個々におけるオフセット値のばらつきが大きくなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 サイズを拡大させることなく、オフセットのキャンセルを可能すること。
【解決手段】 加速度を錘の姿勢変化に基づいて検出する。錘の姿勢変化は、錘と固定電極間の静電容量の変化量に基づいて、Ｃ／Ｖ変換回路において検出される。Ｃ／Ｖ変換回路では、錘と固定電極からなる静電容量素子の差動容量に基づいて、キャリア信号を振幅変調し、これを復調することによって容量変化を電圧信号として取り出す。差動容量検出型のＣ／Ｖ変換回路の初期状態におけるオフセット電圧をキャンセルさせるための補正回路をセンサ構造体の内部に設ける。補正回路は、検出容量に対して並列に接続された、ＳＯＩ基板からなる複数のコンデンサ素子を有する補正用コンデンサにより形成される。容量バランスをとるように、補正用コンデンサの接続配線をレーザで切断することにより、初期状態のオフセット電圧のキャンセル化を図る。 （もっと読む）

【課題】安定して高い精度で力学量を検出することができる力学量検出装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、対の振動子２０_−１，２０_−２を備え、作動時に、それぞれの振動子が逆位相に励振されるように前記振動子の駆動電極２８_−１〜２８_−４に駆動電圧を印加した駆動状態を形成し、その駆動状態における振動子の変位に基づいて力学量を検出する力学量検出装置において、前記振動子が励振されない非駆動状態において、前記振動子に対して直流電圧Ｖ_Ｂをを印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２本のビームによる片持ち構造を採用しながらも各ビームに生じる応力の差による出力誤差の発生を低減できる半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体基板からなる矩形枠状のフレーム１の内側に重り部３が配置され、フレーム１と重り部３とは可撓性を有した２本のビーム２ａ，２ｂにより連結される。重り部３は加速度が作用すると変位し、重り部３の変位によりビーム２ａ，２ｂに応力が生じる。ビーム２ａ，２ｂは片持ち構造であって、２本のビーム２ａ，２ｂのうちの一方のビーム２ａにのみブリッジ回路を形成するゲージ抵抗６が配置される。ゲージ抵抗６は、ビーム２ａ，２ｂに生じた応力を抵抗値変化として検出する。 （もっと読む）

【課題】小型化され、オフセット電圧が低減され、高感度を有し、かつ、容易に製造することが可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサのダイヤフラム部７は、平面視において、仮想の正方形または長方形９の四隅のそれぞれに円弧状部８を有している。正方形または長方形９の対角線と円弧状部８との交点から正方形または長方形９の四隅のそれぞれまでの長さがＲであり、ダイヤフラム部７の面積がＳである場合に、Ｓ＞−２．９４×Ｒ＋０．２２という関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】歩留りがトリミングにより高められているようにする。
【解決手段】膜抵抗が、低オームの給電領域と、該給電領域に電気的に接続された高オームの抵抗領域２３とを有しており、当該方法が、以下のステップ：すなわち、オフセット電圧の温度係数を変化させるために、第１のレーザ切断法を抵抗領域２３に実施し；第２のレーザ切断法を実施し、膜抵抗の抵抗値を、設定された目標値に関連してトリミングする；を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】 小型で高い感度を有する３軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ１は、支持枠２と、支持枠２で囲まれた空間に、Ｘ軸方向に沿って順に配置された第２の錘５、第１の錘３および第３の錘４を備える。第１の錘３と第２の錘５とは第１接合部１１で連結され、第１の錘３と第３の錘４とは第２接合部１０で連結されている。第１接合部１１から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第１の梁６、第２の梁７が細長く延在して、第１接合部１１とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第２接合部１０から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第３の梁８、第４の梁９が細長く延在して、第２接合部１０とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第１乃至第４の梁６，７，８，９に梁の変形を表す信号を出力する複数のセンサ素子が配置されている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの厚み方向の加速度を検出するブリッジ回路のオフセット電圧の温度変動を抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂｚは、フレーム部１１近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ２１〜Ｒｚ２４に関して、センサチップ１の厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在するとともに、重り部１２のコア部１２ａ近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ１１〜Ｒｚ１４に関して、上記厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在し、且つ、各辺それぞれに、センサチップ１への熱応力に起因した抵抗値の増減方向の異なるゲージ抵抗が存在するように接続されている。 （もっと読む）

【課題】 振動型の角速度センサにおいて、重力による振動子の変位をキャンセルして振動子の適切な振動状態を実現する。
【解決手段】 基部２０と、基部２０に連結された振動子３０、４０と、振動子３０、４０をｘ方向へ駆動振動させるための加振手段３４、４４、２１１〜２１４、２２０と、振動子３０、４０の駆動振動のもと角速度が印加されたときにｘ方向と直交するｙ方向への振動子３０、４０の振動に基づいて角速度を検出する検出手段６０、７０、２３１〜２３４とを備える角速度センサ１００において、重力によって振動子３０、４０が重力方向へ変位した変位量をキャンセルするように、振動子３０、４０の位置を調整する位置調整手段８１、８２、２５０が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 絶対圧センサにおいて、ブリッジ回路におけるオフセット電圧の温度特性の影響を低減する。
【解決手段】 シリコンウェハ上の複数の圧力センサにおけるブリッジ回路のオフセット電圧（ゲージオフセット初期値；Ｖ_ｏｆｆＩＮＩＴ）を室温および高温にて測定し、その差分値（ゲージオフセット差分値）を求める。そして、ゲージオフセット初期値に対するゲージオフセット差分値の相関を求め、この分布を近似する相関直線を得る。続いて、この相関直線の傾きおよびＹ軸切片がそれぞれ０となるＡおよびＢの値を上記相関に基づき求める。この後、ブリッジ回路のゲージオフセット初期値Ｖ_ｏｆｆＩＮＩＴおよび上記定数Ａ、Ｂに基づきブリッジ回路の出力電圧の狙い値を計算する。そして、計算された狙い値となるようにパラレル抵抗Ｒ７２、Ｒ８２をトリミングする。この後、ブリッジ回路のオフセット電圧が０となるようにシリーズ抵抗Ｒ７、Ｒ８をトリミングする。 （もっと読む）