【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】
高性能なSIS素子などを提供する。
【解決手段】
本発明のひとつの側面は、基板と、前記基板上に形成され、下部電極と、上部電極と、前記上部電極と前記下部電極とに挟まれて形成されたバリア層とを有するSIS三層膜と、前記基板上に形成され、前記下部電極と電気的に接続され、前記下部電極と異なる材料のグランドプレーンとを備え、前記SIS三層膜は、前記基板上に形成されたバッファ層又は前記基板の上に接して形成されていることを特徴とするSIS素子にある。本構成によれば、SIS三層膜は、基板上に形成されたバッファ層又は基板の上に接して形成されているため、高品質なSIS接合が実現でき、高性能なSIS素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線（１０２）を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板（１０１）の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線（１０３）を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線（１０２）の隙間に照射された光子（１０４）は、次のメアンダ形状の細線（１０３）に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】この発明は，超伝導体を磁化するための方法と装置に関する，特にフラックス・ポンプと新しい型の磁化された超伝導体に関する。
【解決手段】
超伝導体の磁化を変化させる方法であり，その方法は，前記超伝導体の表面の上を移動する変動磁束の波を発生させるための磁界を自動制御することを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、同調可能な又は調整可能な特性を有する薄層型超伝導体，その超伝導体の製造方法及びそのような部品を有するデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 その部品は、交互に積層された電気的絶縁材料の薄層と超伝導材料の薄層とにより成るスタックと、超伝導層の少なくとも二つの間に抵抗接続を構成するための同調手段とを有している。この部品のインダクタンスは、その接続の抵抗を修正することにより調整することができる。 （もっと読む）