【課題】超伝導電極層としてＭｇＢ₂、接合部にＩｎＧａＡｓチャネル層を用い、第三電極を用いて超伝導電流を制御する半導体結合超伝導三端子素子において、超伝導電極層の成長時のＭｇのＩｎＧａＡｓチャネル層への拡散を抑制し、接合特性を改善した半導体結合超伝導三端子素子を提供することにある。
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるＩｎＧａＡｓ層とソース電極となる第１のＭｇＢ₂超伝導電極層及びドレイン電極となる第２のＭｇＢ₂超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のＩｎＧａＡｓ層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、ＭｇＢ₂超伝導電極層１，２とＩｎＧａＡｓチャネル層６との層間にＡｕ層６が挿入された。 （もっと読む）

【課題】常伝導材料と接する信号の入出力を行なう電極とＹＢＣＯとの密着性を高くし、かつ接触抵抗を少なくすること。
【解決手段】誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるＹＢＣＯ膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路は、ＹＢＣＯ膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を有する。電極は、信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、該アルミニウム膜上に形成された該アルミニウムより低抵抗である金属膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】超伝導フィルタデバイスにおいて、伝送特性を劣化させることなく、超伝導フィルタデバイスの電極と金属パッケージの同軸コネクタの中心導体とを良好にはんだ接合できるようにする。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス１を、基板３上に形成された超伝導配線４と、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部に形成された電極６Ａと、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部近傍の表面及び側面が覆われるように形成された保護膜９とを備えるものとし、超伝導配線４を、インピーダンス整合を取るために保護膜９に覆われた部分に幅が異なる部分４Ｘを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】長尺で高性能な酸化物超電導導体通電素子を提供できるようにする。
【解決手段】２つ以上の酸化物超電導体を電気的に接合した酸化物超電導導体と、前記酸化物超電導導体の両端に電気的に接合した電極端子と、前記酸化物超電導導体を構成する酸化物超電導体間の接合部に接続した伝熱体とからなることを特徴とする酸化物超電導導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】サーマルサイクルによる破損がなく且つ外部接続用ケーブルを半田付けできる平面型ＳＱＵＩＤセンサを提供する。
【解決手段】外部接続半田付け用銅端子（２）、検出コイルパッド用銅端子（３）およびヒータ抵抗半田付け用銅端子（２ａ）を積層したポリイミド基板（１）の表面にＮｂ薄膜検出コイル（４）をスパッタリングにより形成し、ＳＱＵＩＤチップ（５）をマウントし、超伝導ボンディング（６）およびＡｌボンディング（７）により接続する。
【効果】スパッタリングのプロセスに耐えられる。サーマルサイクルによる破損がない。モールド材とポリイミド基板（１）の熱膨張の違いによって割れることもない。外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る。ヒータ抵抗を半田付けでマウントできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、二ホウ化マグネシウム超電導線と同種又は異種の超電導線との超電導接続により優れた通電特性及び安定性を有する二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造及びその接続方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、超電導被覆層によって覆われている二ホウ化マグネシウム超電導線と他の超電導線とが前記超電導被覆層を介して互いに接してはんだを充填させた接続金属管内にて接続されていることを特徴とする二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造にある。 （もっと読む）

【課題】 同軸コネクタに於ける中心導体と信号入出力線の電極とを接合し、その接合箇所が常温と極低温との間を往来しても剥離を生ずることがなく高い信頼性を維持できる超伝導デバイスを実現させようとする。
【解決手段】 超伝導デバイスに於ける信号入出力線１３Ｃに形成した電極１３Ｄとパッケージ１１に固着された同軸コネクタ１２に於ける中心導体１２Ａとを結ぶボンディングワイヤ１４と、ボンディング箇所に融着されて当該箇所を補強するＩｎ系はんだ１５とを備える。 （もっと読む）