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Fターム[4M113CA19]の内容

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Fターム[4M113CA19]に分類される特許

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【課題】簡単な方法でかつ低コストで製造可能な超電導磁気シールド体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】常電導導体と超電導導体とを具備する円筒状の超電導磁気シールド体であって、前記超電導導体は、円筒の周方向において複数個に分割され、かつ円筒の軸方向に連続して延びていることを特徴とする超電導磁気シールド体。 (もっと読む)


【課題】 超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器を提供する。
【解決手段】 超電導電磁波測定器1は、電磁波31を内部に入射させることができる入射窓3を有する断熱容器2と、この断熱容器2内に設けられ、入射窓3と対向する面に凹形状部5dを形成する素子基板5と、この素子基板4の凹形状部5dの表面に形成される超電導素子6と、この超電導素子6の両端に電極を接続して超電導素子6の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置8とを備える。 (もっと読む)


【課題】2バンド超伝導体において、ドメイン構造をとることが困難であり、ドメイン壁を薄くするために、ドメイン壁の生成エネルギーを大きくするとドメイン壁が作りづらいという問題があった。ドメイン壁を超伝導体内に発生せしめて、磁束のピン止めの向上と、ドメイン壁を使った情報処理技術を提供することを目的とする。
【解決手段】3バンド目を導入し、3バンド間の位相差同士に起きるフラストレーションを利用し、多バンド超伝導体の中に、カイラル対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。また、2バンド超伝導体でバンド間の位相差がπであるような超伝導体に、非超伝導層をはさんで単バンド超伝導体を積層した擬似的な3成分超伝導体により実現することもできる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、二ホウ化マグネシウム超電導線と同種又は異種の超電導線との超電導接続により優れた通電特性及び安定性を有する二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造及びその接続方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、超電導被覆層によって覆われている二ホウ化マグネシウム超電導線と他の超電導線とが前記超電導被覆層を介して互いに接してはんだを充填させた接続金属管内にて接続されていることを特徴とする二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造にある。 (もっと読む)


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