【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ソースフォロアトランジスタの寄生容量を効果的に低減して感度を向上した固体撮像素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子は、光電変換によって生じた電荷が蓄積される浮遊拡散領域と、浮遊拡散領域と電気的に接続する増幅ゲート電極８１を有し当該増幅ゲート電極８１に印加される電位を増幅した出力信号を生成するソースフォロアトランジスタ８と、を備える。増幅ゲート電極８１は、ソースフォロアトランジスタ８の活性領域８２から延出する延出部分８１ａの少なくとも一部の膜厚が、ソースフォロアトランジスタ８に隣接する他のトランジスタ６，７のゲート電極６１，７１の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が発生した光電子を４方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する光電変換素子を有する受光装置を備える単位画素であって、前記受光装置は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを含む複数の光電子振分部を有し、前記単位画素は、前記浮遊拡散層の電位を基準電位にリセットするためのリセット用トランジスタと、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する光電子排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属部品等による乱反射による画質低下もなく、また撮像素子が透明樹脂で完全に被われ、外部との接続端子部及び素子撮像エリア直上部を除いて、防湿材料により被われていることで、撮像素子チップに水分が浸入することも全くない、非常に高い信頼性の固体撮像装置を得る。
【解決手段】マイクロレンズを有する撮像素子チップ３２と、該撮像素子チップに接続されたリード端子３３と、該固体撮像チップを該リード端子とともに封止するクリアモールドパッケージ３１とを備え、該リード端子の一部を外部リードとして該クリアモールドパッケージの外部に露出させた固体撮像装置３０において、該クリアモールドパッケージを、その表面の、該撮像素子チップ３２の撮像領域３５に対向する透光領域を除いて、該クリアモールドパッケージの表面を遮光性材料３６により被覆した構造とした。 （もっと読む）

【課題】水平間転送をスムーズに行った場合でも、他の特性が劣化してしまうのを抑制する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、画素部１１０に行列状に配置された複数の光電変換部１２０と、複数の光電変換部１２０の列に対応して設けられ、対応する複数の光電変換部１２０から読み出した複数の信号電荷を列方向に転送する複数の垂直転送部１３０と、複数の垂直転送部１３０によって転送された信号電荷を行方向に転送する、並列に配置された第１の水平転送部１４０ａ及び第２の水平転送部１４０ｂと、第１の水平転送部１４０ａ及び第２の水平転送部１４０ｂの出力端に隣接する領域のそれぞれに形成された複数のフローティングディフュージョン部を含み、転送された信号電荷を電気信号として出力する第１の出力部１６０ａ及び第２の出力部１６０ｂとを備え、複数のフローティングディフュージョン部は、隣接する水平転送部間の間隔より広い間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】広ダイナミックレンジ撮像が可能で低ノイズかつ安価なイメージセンサを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤとフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴとを含む画素部２１と、各画素部２１のＰＤ電荷のリセットの終了よりも前に、各画素部２１のＦＧ電荷を同時に消去し、リセットの終了直後にＰＤに存在する電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた暗時信号を読み出し、ＦＧへの電荷蓄積後に開始される第一露光期間中にＰＤに蓄積される電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた第一信号を読み出し、第一露光期間の後に開始される第二露光期間中にＰＤに蓄積される電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた第二信号を読み出す駆動回路３と、デジタル変換後の暗時信号を記憶するメモリ８と、デジタル変換後の第一信号及び第二信号の各々と暗時信号との差分を求めて出力するノイズ除去回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することが可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、入射光に応じた電荷を発生し蓄積する光電変換部ＰＤと、書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴと、素子分離領域２１１とを含み、書き込みトランジスタＷＴは、フローティングゲートＦＧを有し、光電変換部ＰＤに蓄積された電荷をフローティングゲートＦＧに蓄積するものであり、かつ、光電変換部ＰＤに接続されたソースと書き込みコントロールゲートＷＣＧの２端子構造となっており、書き込みコントロールゲートＷＣＧがフローティングゲートＦＧの側面に対向する位置で、かつ、素子分離領域２１１上方に少なくとも配置されている。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する高画質撮像かつ高感度撮像が可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、シリコン基板２１０内に形成された光電変換部ＰＤと、シリコン基板２１０の表面に形成されたトランジスタであって、該表面上方に絶縁膜２１９を介して設けられ光電変換部ＰＤに蓄積される電荷を蓄積するフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴとを含み、光電変換部ＰＤは、シリコン基板２１０の表面とは反対面の裏面から入射してきた光を受光して、この光に応じた電荷を発生して蓄積するものであり、書き込みトランジスタＷＴの電荷注入領域の少なくとも一部が、平面視において、光電変換部ＰＤと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】暗いシーンを撮像したときに固体撮像素子の半導体基板に形成したアンプ等で発光する赤外光の影響を抑制する。
【解決手段】赤外光カットフィルタを透過した可視光の受光量に応じた被写体画像信号を検出する画素部５６と該被写体画像信号を増幅するアンプ５８とが半導体基板５１の表面部に形成された固体撮像素子１００であって、半導体基板５１のアンプ５８が形成された直下近傍位置にだけ該アンプ５８で発光され半導体基板５１内を進む赤外光の画素部５６方向への侵入を阻止する赤外光抑制層６１を設ける。 （もっと読む）

【課題】電荷検出感度を安定させることができる撮像素子及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、半導体基板１１の表面に形成され、ゲート絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールから露呈するフローティングディフュージョンＦＤと、ゲート絶縁膜１２上に形成され、フローティングディフュージョンＦＤとコンタクトする配線層とを備え、配線層が不純物濃度の異なる複数の電極材料膜とを有し、複数の電極材料膜のうち、最下層より上に積層されたいずれかの電極材料膜がフローティングディフュージョンＦＤに接している。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を防止しながら浮遊拡散層におけるノイズの発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１のＮ型シリコン層１０３内には浮遊拡散層１０３ｂが形成されている。平坦化膜１０４上には誘電体材料からなる４本の柱状の支持体１０６が平面視において浮遊拡散層１０３ｂを囲むように立設されており、遮光膜１０７を支持している。遮光膜１０７は浮遊拡散層１０３ｂに外光が入射するのを防止する。遮光膜１０７と浮遊拡散層１０３ｂとの間は中空になっており、浮遊容量の発生が抑えられる。
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【課題】撮像したカラー画像に２つの出力アンプのゲイン差が表れることのない出力２分岐型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１色光，第２色光，第３色光の夫々の受光量に応じた信号電荷を蓄積する複数の光電変換素子と、電荷転送路１０３と、電荷転送路１０３に設けた分岐部１２０と、分岐部１２０から分岐され前記第１色光，第３色光に応じた信号電荷を転送する第１分岐転送路１０５と、分岐転送路１０５より転送段数が１段分多く第２色光に応じた信号電荷を転送する第２分岐転送路１０４と、各分岐転送路の出力端部に設けられ転送されてきた信号電荷の電荷量に応じた電圧値信号を同時に出力する第１及び第２のアンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＨ電極からＨＯＧ電極への転送の改善を図ると共にＤレンジの改善をも図る。
【解決手段】撮像部と、撮像部より転送された信号電荷を転送する水平転送レジスタ４と、水平転送レジスタの最終段から出力ゲートを介して転送された信号電荷を検出する電荷検出部とを備えるＣＣＤ固体撮像装置において、水平転送レジスタの最終段に電圧を印加する電極が第１の電極１４ａと第２の電極１４ｂに２分割され、第１の電極に接地電位を印加すると共に、第２の電極に転送クロックを印加する。 （もっと読む）

【課題】リセットノイズを発生させることなく、高Ｓ／Ｎで電圧変換効率の良好な電荷−電圧変換器を有する電荷転送素子を提供することを目的とする。
【解決手段】電荷−電圧変換部における接合トランジスタのゲート電極領域を、電位障壁を発生させず、緩やかな電位勾配が形成される構造にすることにより、リセットノイズを発生させることなく高いＳ／Ｎを実現でき、電圧変換効率の良好な電荷−電圧変換器を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いコンタクトホールの形成されたコンタクト部においても、断線を防止し、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板表面に形成された不純物領域と、電極配線とを電気的に接続するコンタクト部とを備えた半導体装置であって、前記電極配線の端部を含み前記不純物領域に開口するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内で、前記電極配線と前記不純物領域とを電気的に接続するシリコン系導電性膜からなる下地配線と、前記下地配線の上層に形成され、前記コンタクトホール内で少なくとも前記下地配線に接続された金属配線層と備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤイメージセンサの水平シフトレジスタの出力端のチャネル幅を狭める部分にて転送効率が低下し得る。
【解決手段】 出力端部３４においてチャネル幅を絞り込む角度を後段ほど小さくなるように、各ストレージ部３０-k及び各バリア部３２-kの寸法、形状を定める。第（ｋ−１）段と第ｋ段との水平位置の差(Ｌs_ｋ＋Ｌb_ｋ)に対するチャネル幅の差(Ｗ_ｋ−１−Ｗ_ｋ)の比が後段に行くほど小さくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の転送効率及び検出感度が高い低電圧駆動の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 信号電荷を転送する第１電荷転送部１０２と、第１電荷転送部１０２の側部と接し、第１電荷転送部１０２に信号電荷を入力する信号入力部１０１と、第１電荷転送部１０２の端部の幅方向における中央部と接し、第１電荷転送部１０２のチャンネル幅よりも狭い幅を有し、第１電荷転送部１０２により転送された信号電荷を電圧に変換する電荷検出部１０３とを備え、第１電荷転送部１０２は、電荷検出部１０３と接する部分と、第１電荷転送部１０２の幅方向の中央を境にした信号入力部１０１と接する部分とにおいて、第１電荷転送部１０２のチャンネル幅よりも狭いチャンネル幅の第２電荷転送部１０４を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤシフトレジスタの出力端において、出力ゲート電極（ＯＧ）と最終段転送電極との容量結合によりＯＧの電位が転送クロックに応じて変動する結果、出力信号にノイズが生じやすい。
【解決手段】 最終段転送電極５６-2及びＯＧ７６それぞれのチャネル領域６０に応じた位置に水平方向へ突き出た凸部を形成し、この部分のみにて両電極間のオーバーラップを生じさせる。凸部が設けられた箇所以外ではＯＧ７６と転送電極５６-2との間には間隙が形成される。特にＯＧ７６、転送電極５６-2をそれぞれ配線７８，５４に向けて比較的長く引き延ばした部分において、両電極は互いに重ならない。このようにして両電極間の容量結合を緩和する。 （もっと読む）

【課題】１段目の駆動ＭＯＳトランジスタとしてエンハンスメントＭＯＳトランジスタを用いた構成を採ると、エンハンスメントＭＯＳトランジスタが表面チャネルを利用したトランジスタであり、トランジスタサイズも小さいことから、１段目の駆動ＭＯＳトランジスタが１／ｆノイズの支配的な回路構成となってしまう。
【解決手段】ＣＣＤ固体撮像装置の出力回路１７において、当該出力回路１７を２段ソースフォロア回路構成とし、１段目の駆動ＭＯＳトランジスタ２１としてデプレッションＭＯＳトランジスタを用い、２段目の駆動ＭＯＳトランジスタ２２としてエンハンスメントＭＯＳトランジスタを用いるようにする。 （もっと読む）

【課題】 信号読み出しを列毎に制御して信号加算が可能な２層ゲート構造を有する。
【解決手段】 転送時間差発生領域は、２層目の垂直ゲート電極２７c,２７eと１層目の垂直ゲート電極２７d,２７fとで構成し、Ａ列の垂直ゲート電極２７c,２７fの直下にチャネルバリア２９a,２９bを形成している。そして、Ｂ列の垂直レジスタ２４のみから水平レジスタ２５に信号電荷を転送する場合には、駆動パルスΦＶ７を「Ｈ」にして、Ａ列の垂直ゲート電極２７f直下のポテンシャルを蓄積電荷が転送されないポテンシャルに維持させる。一方、Ａ列から信号電荷を転送してＢ列からの信号電荷と混合する場合には、駆動パルスΦＶ７のレベルを「ＨＨ」にして、Ａ列の垂直ゲート電極２７f直下のポテンシャルを蓄積電荷が転送可能なポテンシャルまで低下させる。 （もっと読む）