【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】接着層５０１によってセンサ素子１００に接着される第１ガラス基板３０１Ａにおいてセンサ素子１００に対面する面に対して反対側の面に、遮光層３１１を設ける。そして、第１ガラス基板３０１Ａにおいて遮光層３１１が設けられた面に対面するように、第２ガラス基板３０１Ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】ガラス基板３０１においてセンサ素子１００に対面する側の面のうち、画素領域ＰＡに対応する部分と、画素領域ＰＡの周辺に位置する周辺領域ＳＡの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層３１１を形成する。そして、センサ素子１００と赤外カットフィルタ３００とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板３０１にて赤外カットフィルタ層３１１で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層３１１の周辺部分とに接するように、接着層５０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】画素ピッチを縮小した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素セルを行方向または列方向に並べた固体撮像素子において、各画素セルは、光電変換部と、転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部と、ソースフォロアトランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタとを備える。ここで、ある１つの光電変換部につながり、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及びスイッチトランジスタを形成する拡散領域が、その光電変換部に隣接した光電変換部の近傍に形成され、また、上記の転送トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及び選択トランジスタが互いに並行に配置される。 （もっと読む）

【課題】 固相反応を用いて微細なゲート長のショットキー電極、または微細な間隔のショットキー電極を形成する際、寸法精度良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ショットキー電極を形成した後、半導体層表面を絶縁膜で被覆し、固相反応層を形成する熱処理を行う。半導体層表面を絶縁膜で被覆することによって、表面拡散が抑制され、主に深さ方向のみにショットキー電極を侵入させることが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板面内で均一にピンチオフ電圧差を形成し、半導体基板のダメージに起因する素子特性劣化がなく、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも上層半導体層とその直下に下層半導体層を備え、上層半導体層表面から侵入した第１の金属が下層半導体層にショットキー接触してバーチャルゲートショットキー電極を構成し、第１の電極の電荷取出電極側に接触するとともに、上層半導体層にショットキー接触してストレージゲートショットキー電極を構成する。 （もっと読む）

【課題】受光部に光を導く導光部を形成する半導体基板に、スパッタリングにより厚さ均一の反射膜を形成すること。
【解決手段】半導体基板（２６）は、受光部（４２）を複数形成するウエハ（４３）の表面が絶縁体（４４）で覆われる構成である。絶縁体（４４）には、各受光部（４２）の上方に、半導体基板（２６）と直交する方向に延びる筒状の導光部（４５）が形成されている。また、開口（４６）側の端部には、奥に向かうに連れて口径が小さくなるテーパ部（４７）が切欠き形成されている。鉛直下方に向けて飛散するスパッタ原子（３４）が斜めに被着する向きに半導体基板（２６）を配置する。半導体基板（２６）を、それに直交する中心軸回りに回転させながらスパッタ原子（３４）を被着させる。 （もっと読む）

【課題】 縦型オーバーフロードレインを設けることなく、露光開始タイミングの制約が少ない固体撮像装置を提供する
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、下記要件を備えた単位画素を受光面上に複数配列する。まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。画素出力回路は、信号電荷を取り込んで、画像信号を走査出力する。転送ゲートは、受光素子から画素出力回路へ信号電荷を転送する。排出ゲートは、受光素子から信号電荷を排出する。上記の素子構成において、表面領域の端位置を光電変換領域の端位置からずらして転送ゲートおよび排出ゲートから遠ざける。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素アレイ領域及び画素アレイ領域を囲んでいる周辺回路領域を有する基板を準備する段階と、基板の上部にゲート電極層とマスク層とを順に積層する段階と、ゲート電極層とマスク層とをパターニングしてゲートパターンを形成する段階と、画素アレイ領域の一部に不純物を注入して光電変換領域を形成する段階と、マスク層を除去する段階と、を含むイメージセンサとその製造方法が提供される。 （もっと読む）