【課題】半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供する。
【解決手段】形成工程で形成されるレジストパターンＲＰは、半導体基板１０１を第１方向から見た場合に、隣接する蓄積領域の間に位置する分離領域を開口から露出し、半導体基板を第１方向とは異なる方向から見た場合に、１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域を開口から露出するとともに、分離領域を遮蔽部ＳＤにより遮る。注入工程では、第１方向に沿って照射されたイオンが分離領域に注入され、異なる方向に沿って照射されたイオンが１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域に注入される。 （もっと読む）

【課題】ＰＤの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るＣＭＯＳ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板６１に形成された光電変換部３１と、光電変換部３１の側面に形成された側面ピンニング層８２と、光電変換部３１の表面側に形成された表面ピンニング層８１とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部３１が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ６２’を形成し、そのトレンチ６２’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層８２および表面ピンニング層８１が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部ＰＤを備える。また、光電変換部ＰＤの深さに応じて基板３０の一方の面側から深さ方向に形成された溝部２９に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極２０を備える。そして、縦型の転送ゲート電極２０を備える固体撮像装置において、光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパス２７が、転送ゲート電極２０の底部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化および／または電荷の完全転送に有利な技術を提供する。
【解決手段】電荷蓄積領域を含む光電変換部と、浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極とを含む固体撮像装置を製造する方法は、半導体基板の上にゲート絶縁層を介して前記ゲート電極を含むゲート電極構造体を形成する工程と、前記ゲート電極構造体および前記ゲート絶縁層を介して前記半導体基板の第１領域および第２領域に対して同時にイオンを注入する工程とを含み、前記第１領域は、前記電荷蓄積領域を形成すべき領域であり、前記第２領域は、前記電荷蓄積領域から前記ゲート電極の下方の部分に延びた拡張領域を形成すべき領域であり、前記イオンを注入する工程におけるイオンの平均投影飛程は、前記ゲート電極および前記ゲート絶縁層の厚さの合計よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】従来のようにトランジスタゲート面積を大きくすることなく、より簡単な製造工程で、トランジスタのソース側ゲート端のイオン注入ダメージにより発生するソース側ゲート端付近の欠陥を低減することにより、ランダムノイズを効果的に低減する。
【解決手段】ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１だけがゲート電極６の他方端の下に潜り込んで、ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１がゲート電極６と平面視でオーバラップし、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２はゲート電極６の一方端の下に潜り込まず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６と平面視でオーバラップしておらず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６の一方端と離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素特性の向上に有利な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体層３０上に二次元状に配置され、光電変換部ＰＤおよび信号走査回路部Ｔｄ等をそれぞれ含む単位画素１を備える撮像領域１２を具備する固体撮像装置において、前記単位画素１は、前記半導層上に設けられるトランスファゲート３６と、前記半導層上に設けられるフォトゲート３７と、前記フォトゲート下における前記半導体層中に設けられる第１導電型の第１半導体層３１と、前記第１半導体層と隣接し、前記トランスファゲートと前記フォトゲートとの間における前記半導体層中に設けられる第１導電型の第２半導体層３２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を含む第１ｐｎダイオード３３を含み、前記半導体基板上に形成された電子回路２０と、前記電子回路とスクライブライン２６との間の前記半導体基板内に設けられ前記電子回路を囲み前記第１拡散領域と同じ導電型であり前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を、含む第２ｐｎダイオード２３と、前記電子回路と前記スクライブラインとの間の前記半導体基板上に、前記第２拡散領域と重なるように設けられ、前記電子回路を囲む金属層１８と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化されても、不純物のイオン濃度分布にばらつきのない画素間分離層を有する固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することができる。
【解決手段】固体撮像装置１は、面方位制御された第１導電型のシリコン基板１００と、シリコン基板１００に形成された、第１導電型のフォトダイオード部１０２と第１導電型の電荷蓄積部１０９とを有する画素セル３と、画素セル３の周囲に形成された、第１導電型と異なる第２導電型の画素間分離層１０４とを備え、画素間分離層１０４は、画素間分離層１０４の底部とシリコン基板１００との境界におけるイオン濃度分布が、少なくともフォトダイオード部１０２とシリコン基板１００との境界および電荷蓄積部１０９とシリコン基板１００との境界におけるイオン濃度分布よりも急峻に変化するようにイオン注入されている。 （もっと読む）

【課題】レンズ形状を比較的容易に制御でき、レンズ−基板間距離が増加した場合に感度向上および今後の微細化を暗時特性の副作用なく実現できる。
【解決手段】第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。第１平坦化層１１は、受光部３とこの受光部３に入射光を集光させるためのマイクロレンズ１５との間に設けられている。イオン注入領域は、屈折率１．７〜２．０に形成される。 （もっと読む）

【課題】素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。
【解決手段】受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。例えば、受光部２の周囲の素子分離領域の不純物濃度を濃く、電荷転送トランジスタ３の読み出し領域の活性層における素子分離領域の不純物濃度を薄くするようにイオン注入方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向から所定角度（ここでは４５度）で傾き、かつ互いの角度が直角である４方向（図１の矢印（１）〜（４））のイオン注入方向に調整する。 （もっと読む）

【課題】 素子分離領域の広がりによる素子形成領域間の拡大等の改善を図る。
【解決手段】 半導体基体１１には、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成される。第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の画素特性を改善することを可能にすると共に、製造コストを低減することができる、固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子を製造する際に、半導体基体１内に、同一のマスクを使用して、イオン注入により、第１導電型の不純物領域１１を形成し、この第１導電型の不純物領域１１の上に第２導電型の第２の不純物領域６を形成する工程と、半導体基体１の表面上に、第２導電型の第２の不純物領域６上にまでわたって、電荷転送部を構成する転送ゲート９を形成する工程と、半導体基体内１に、イオン注入により、センサ部を構成する第１導電型の電荷蓄積領域５を形成する工程と、センサ部の半導体基体１の表面に、イオン注入により、第２導電型の第２の不純物領域６よりも不純物濃度が高い、第２導電型の第１の不純物領域７を形成する工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の製造の簡略化および／または画素の特性のばらつきの低減に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】電荷を蓄積する蓄積領域１０４を含む光電変換素子と、前記蓄積領域に蓄積された電荷を電荷電圧変換部１０５に転送するためのチャネルを形成する転送ゲート１０３とを含む複数の画素が半導体基板１００に形成された固体撮像装置を製造する。この製造方法は、各画素グループに対して１つの開口を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンの各開口を通して各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記転送ゲート１０３の下にイオンが注入されるようにＮ個のイオン注入方向のそれぞれで前記半導体基板１００にイオンを注入することによって各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記蓄積領域１０４を形成する蓄積領域形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上に有利な固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子と、電荷電圧変換部と、前記光電変換素子で発生した電荷を前記電荷電圧変換部に転送するためのチャネルを形成するゲートとを含む複数の画素が半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法は、前記半導体基板に対するイオンの進入方向を前記半導体基板の表面の法線に対して傾斜角を有する方向として、前記半導体基板の前記光電変換素子を形成すべき領域であるターゲット領域にイオンを注入するＮ回（Ｎは２以上の自然数）のイオン注入工程を含み、前記Ｎ回のイオン注入工程においてイオンが注入されるターゲット領域が互いに異なり、前記Ｎ回のイオン注入工程のそれぞれのために、前記法線および前記進入方向によって定まる面と前記半導体基板の表面との交線に沿った方向においてＮ画素に対して１画素の割合で周期的に開口部を有するマスクが前記半導体基板の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換部と電荷転送部との間に素子分離部が設けられた固体撮像素子において、素子分離部での不要電荷にともなうスミアの発生を防止する。
【解決手段】固体撮像素子であるＣＣＤイメージセンサは、光電変換部としてのＰＤを構成するｎ型層２０と、電荷転送部としてのＶＣＣＤを構成するｎ型層２１とを備えている。これらの各ｎ型層２０、２１の間には、素子分離部を構成するｐ＋層２２が設けられている。ｐ＋層２２は、ＶＣＣＤ側の方がＰＤ側よりも不純物の濃度が高い濃度勾配を有している。これにより、素子分離部で発生した電荷が濃度勾配に従ってＰＤ側に流れ込むようになるので、素子分離部で発生した電荷がＶＣＣＤ側に流れ込むことによるスミアの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置の感度を維持しながら、周辺回路形成領域におけるトレンチ型の素子分離領域幅を縮小し、周辺回路の素子数などが増加してもこの領域の面積が増大するのを抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１００の周辺回路形成領域Ａに形成された溝に、ＳＡ−ＣＶＤ法で堆積されるＯ₃−ＴＥＯＳシリコン酸化膜１０５を埋め込み、１１００℃で熱処理し膜を緻密化する。また画素形成領域Ｂに形成された溝にＨＤＰ−ＣＶＤ法で堆積されるシリコン酸化膜１１０を埋め込み形成する。Ｏ₃−ＴＥＯＳシリコン酸化膜１０５は素子分離領域の溝幅を縮小してもボイドを発生させないので周辺回路形成領域Ａの面積を抑制でき、ＨＤＰ−ＣＶＤシリコン酸化膜１１０は高温熱処理を必要としないのでＰ型不純物層１０９が拡大せず、センサ部の面積を確保できる。 （もっと読む）