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Fターム[4M118FA06]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 受光部の配置 (6,058) | エリア配列 (5,505)

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2,001 - 2,020 / 5,291


【課題】偽色、混色、残像、ノイズの原因を防止すると共に、開口率及び感度の向上した固体撮像装置を提供するものである。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供するものである。
【解決手段】単位画素領域20内の基板21内において、異なる深さに形成された複数のフォトダイオードPD1〜PD3と、複数の縦型トランジスタTr1〜Tr3とから構成される。複数の縦型トランジスタTr1〜Tr3は、複数のフォトダイオードPD1〜PD3で光電変換された信号電荷を読み出す為のトランジスタである。そして、複数の縦型トランジスタTr1〜Tr3はそのゲート部が、複数のフォトダイオードPD1〜PD3のそれぞれに対応する深さに形成されるように、基板21の一方の面側から深さ方向に形成される。 (もっと読む)


【課題】高解像度撮像および低解像度撮像を高速に行うことができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1は、受光部10、第一信号出力回路21、第二信号出力回路22、第一制御回路31および第二制御回路32を備える。受光部10は、M行N列に2次元配列されフォトダイオードを各々含むM×N個の第一画素部P1,1〜PM,Nを有するともに、フォトダイオードを各々含むI×J個の第二画素部Q1,1〜QI,Jを有する。各第二画素部Qi,jのフォトダイオードは、2次元配列されたM×N個の第一画素部P1,1〜PM,Nそれぞれのフォトダイオードが設けられている領域とは異なる領域に、当該2次元配列における複数行分または複数列分の長さに亘って連続して設けられている。 (もっと読む)


【課題】多画素化や大型化に伴う転送レジスタの伝搬遅延を抑制することにより、高速駆動や転送効率の向上を図ることが可能な固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】複数のセンサ部13と、読み出しゲート部14と、垂直転送レジスタ15と、水平転送レジスタ16と、水平転送レジスタ16の配線18A,18Bと、同一の水平転送クロックを入力する各配線18A,18Bにそれぞれ複数設けられた入力端子19A及び19B,19C及び19Dと、各入力端子19A,19B,19C,19Dに独立して接続された駆動手段20A,20B,20C,20Dと、垂直転送レジスタ15の各相の転送電極の両側に設けられ、それぞれ垂直転送クロックを供給する、垂直転送レジスタの入力端子のそれぞれに独立して接続され、垂直転送レジスタの駆動を行う駆動手段22とを含む固体撮像装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】 暗電流を抑制した固体撮像装置を、効率的、且つ、バラツキを少なく製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1上に固体撮像素子(5,7)を形成する第1工程と、その後に、層間絶縁膜(15,17)を所定の成膜温度条件下で成膜した後、前記層間絶縁膜の一部上層に配線層(16,19)を形成する工程を一又は複数回繰り返し実行する第2工程と、その後に、一部上層に前記配線層が形成されている前記層間絶縁膜の最上層の上に保護膜32を成膜する第3工程と、その後に、加熱温度条件下で加熱処理を行う第4工程と、を有し、前記第2工程において、成膜された前記層間絶縁膜が所定の範囲内の含有量の水素分子を有するように前記成膜温度条件を設定することで前記固体撮像素子を流れる暗電流を目標値以下に抑制する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ数と制御配線数と直列pMOS数をバランスよく削減できるセレクタにする。
【解決手段】1個のpMOSの第1トランジスタ401を有する第1トランジスタ部402と、M−1個のnMOSの第2トランジスタ403を有する第2トランジスタ部404でスイッチセルSWを構成してM対並列に配置する。第1トランジスタ401の配置段は組ごとに異ならせ、組ごとに第2トランジスタ403を残りの段に配置する。各トランジスタ部402,404の対の各入出力を共通に接続する。各スイッチセルSWは、入出力の一方を各別の信号入力とし他方を共通に接続して信号出力とする。pMOS,nMOSを問わず、同一段の各ゲートを共通に接続して制御配線にする。M本の制御配線のうち1本のみをアクティブLとし、残りのM−1本の制御配線をインアクティブHとすることで、何れか1つの入力信号のみを選択して出力する。 (もっと読む)


【課題】暗電流の抑制をより良好に行って画質劣化をより確実に防止する。
【解決手段】フォトダイオード12の上方で、パターニングされた金属層である配線層19上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すRFパワーを700W〜1500Wに設定するプラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜(プラズマSiN膜22)を成膜するプラズマ窒化シリコン膜成膜工程を有している。これによって、プラズマSiN膜22の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すRFパワーを700Wから900Wさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマSiN膜22から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。 (もっと読む)


【課題】チャネル領域の特性向上及び、1/fノイズの改善を図ったMOSトランジスタを提供する。また、そのMOSトランジスタを用いた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極31と、ゲート電極31に対して、チャネル領域34が素子分離領域32により複数に分割されたソース・ドレイン領域33から構成されるMOSトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】分光特性の浮きを改善し、原色フィルタの色再現性を向上させることを目的とする。
【解決手段】以上のように、フィルタとして原色フィルタと補色フィルタを積層することにより、分光特性の浮きを改善し、原色フィルタの色再現性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】信号読み出しに関わる寄生容量を低減させて高速読み出しを行い、しかも、縦縞状ノイズを低減する。
【解決手段】接続部15は、垂直信号線11に接続された相関二重サンプリング回路12の出力部と出力アンプ14との間を2段に階層的に接続する。接続部15は、下位段の水平信号線21と、上位段の水平信号線22と、下位段の水平信号線21とCDS回路12の出力部との間を接続する下位段の水平選択スイッチ31と、下位段の水平信号線21と上位段の水平信号線22との間を接続する複数の上位段の水平選択スイッチ32と、を有する。上位段の水平信号線22は、その一方端部側において出力アンプ14と接続される。下位段の水平信号線21における、上位段の水平信号線22側に対する接続点21aが、当該水平信号線21の中点よりも出力アンプ14側に配置される。 (もっと読む)


画像センサ(70)は、複数の感光性領域(80)を有する基板(100)と、感光性領域にまたがるように位置決めされ、複数の開口(150)が中に形成された遮光シールド(140)と、複数のマイクロレンズ(160)であって、各マイクロレンズを通って入射する光の焦点が、各マイクロレンズの周辺部上へ誘導された入射光の一部分が遮光シールドによって阻止される点まで基板内へ延びるように、それぞれ開口の1つの上で中心に配置される、複数のマイクロレンズ(160)とを含む。
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【課題】撮像用画素と焦点検出用画素とを備えた撮像素子による焦点検出精度を向上させる。
【解決手段】焦点検出用画素は、撮影光学系を透過する一対の光束の内の主に一方の光束を受光する複数の第1焦点検出用画素と、撮影光学系を透過する光束の内の主に他方の光束を受光する複数の第2焦点検出用画素とからなり、焦点検出用画素のマイクロレンズを透過した光束の内の光電変換素子3b、4bにより光電変換される領域を光電変換領域としたときに、マイクロレンズから所定距離POの位置にある撮影光学系の瞳面EPにおいて、すべての第1焦点検出用画素の光電変換領域をそれぞれのマイクロレンズ3aにより瞳面に投影した複数の光電変換領域像が重なるとともに、すべての第2焦点検出用画素の光電変換領域をそれぞれのマイクロレンズ4aにより瞳面に投影した複数の光電変換領域像が重なるように、撮像素子受光面における像高hに応じてそれぞれの焦点検出用画素のマイクロレンズ3a、4aと光電変換領域との位置関係を決定する。 (もっと読む)


【課題】信号遷移速度と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1において、入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる光電変換部PDと、光電変換部PDに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域FDに読み出す為の転送信号φTRFが入力される転送信号線14を含む、複数の信号線とを有する。また、それらの転送信号線14を含む複数の信号線に、それぞれ所望の信号を入力する駆動回路を有する。さらに、転送信号線14の、駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線14に隣接する他の信号線に、所望の信号が入力されるタイミングよりも前から、転送信号線14を一定電圧に固定させるための制御信号φTERMが入力される終端回路7とを有する。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面とは反対側の面である表面側からの光の光電変換素子への入射を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板20に、光電変換素子21と電界効果型トランジスタを含む画素42を複数配列した撮像画素部41と、撮像画素部41の周辺回路部55と、を設け、撮像画素部41の電界効果型トランジスタを駆動する配線層31−1〜31−4を複数積層した多層配線層29がシリコン基板20の第1面側に形成され、光電変換素子21の受光面がシリコン基板20の第2面側に配置された固体撮像装置14であって、第1面側から見て、シリコン基板20の少なくとも撮像画素部41を含む領域における配線の被覆率が100%となるように、多層配線層29を構成する各配線層31−1〜31−4の配線が配置される。 (もっと読む)


【課題】水平電荷転送部で画素混合を行う際に、高速転送ができ、フレームレートを維持できる固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、各垂直電荷転送部から転送された電荷を出力側へ転送可能な第1水平電荷転送部と、第1水平電荷転送部で混合された電荷が転送され、該電荷を出力側へ転送可能な第2水平電荷転送部とを備え、第1水平電荷転送部と第2水平電荷転送部はそれぞれ、電荷蓄積領域又はバリア領域を含む電荷転送段を、水平方向に複数段有しており、第2水平電荷転送部の各電荷転送段が、第1水平電荷転送部の各電荷転送段に比べて転送方向の段数が少ない。 (もっと読む)


【課題】基板の基準電位の安定化を図ることにより、画素セルのトランジスタの高速・安定な動作を確保しながら、入射可視光の波長に関係なく、シェーディングの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の撮像領域21では、複数の画素セル10r1、10g1〜10g3、10b1〜10b2・・・が形成されている。この内、カラーフィルタの透過ピーク波長が最も長い赤色の画素セル10r1と、透過ピーク波長が最も短い青色の画素セル10b1〜10b2とを抽出してみるとき、基板コンタクト101〜104は、青色の画素セル10b1〜10b2のフォトダイオード11b1〜11b2の近傍領域よりも、赤色の画素セル10r1のフォトダイオード11r1の近傍領域で高密度な分布状態を有する。 (もっと読む)


【課題】画像のムラ等の品質劣化を生じさせることなく画素混合を行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】VDr110は、垂直CCD210が、バリア領域で区切られる連続したウェル領域で転送される電荷であるパケットを複数個連続して転送し、かつ、複数個のパケットの電荷転送が停止する待機期間が、パケットによる電荷転送が行われる転送期間よりも長くなり、かつ、待機期間においては、バリア領域として動作する電荷転送段が、7段以上の電荷転送段のうちの少なくとも隣接する3段となり、かつ、待機期間においてバリア領域として動作する隣接する複数段の電荷転送段のうち、最も下流に位置する電荷転送段が少なくとも電荷転送方向にポテンシャルが傾斜した電荷転送段であるように垂直CCD210による電荷転送を制御する。 (もっと読む)


【課題】 黒沈み現象の検出誤差によるダイナミックレンジの低下を防止できるようにした撮像装置を提供する。
【解決手段】 2次元状に配列された複数の画素10と、前記画素のリセットレベルと前記画素に入射する光信号に応じて変化する信号レベルとの差分処理を行い、当該画素の撮像信号を生成する差分処理部200 と、前記リセットレベルが所定範囲内又は所定範囲外かを検出し、その結果を出力するリセットレベル検出部300 と、前記差分処理部による差分処理結果と前記リセットレベル検出部による検出結果に基づいて補正対象画素を抽出する補正対象画素抽出部510 と、前記抽出部により抽出された補正対象画素の前記差分処理部による差分処理結果を飽和レベルに対応する撮像信号に置き換える補正部520 とで撮像装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】カラー画像とともに、偏光の方向および程度を表現する偏光画像を同時に取得することの可能な画像処理装置のためのパターン化偏光子を提供する。
【解決手段】複数の偏光子単位を備えるパターン化偏光子202であって、前記複数の偏光子単位は、カラー画素が二次元的に配列されたカラーモザイクフィルタ201の少なくとも1色のカラー画素に重なるように二次元的に配列されており、前記複数の偏光子単位は、透過偏波面の角度が相互に3種類以上に異なる偏光子単位を含む。また、前記偏光子単位の透過偏波面の角度は、1つのカラー画素内で一定であり、かつ、近傍配置された少なくとも3つの同一色のカラー画素では相互に異なっている。 (もっと読む)


【課題】有効画素領域およびOB領域の暗電流を低減でき、OB段差をも低減できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオード102の上方に配置された、水素を含有する反射防止膜106と、反射防止膜106の上方に配置された水素拡散防止膜107とを備える。本構成によれば、水素供給源である反射防止膜106から半導体基板101表面へ、効率よく水素を供給することができ、暗電流の絶対量を低減することができる。また、水素供給膜である反射防止膜106を遮光膜109より下方に形成することで、水素供給量の違いにより生じるオプティカルブラック領域と有効画素領域との間の暗出力オフセットを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】水平電荷転送部で画素混合を行う際に、高速転送ができ、フレームレートを維持できる固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子で発生した電荷を転送する垂直電荷転送部と、行方向に転送する水平電荷転送部と、撮像信号を出力する出力部と、垂直電荷転送部から転送される電荷を一時的に蓄積し、水平電荷転送部に転送する電荷蓄積部と、を含む固体撮像素子の駆動方法であって、電荷蓄積部に蓄積された電荷を、水平電荷転送部に転送し、転送した電荷を水平電荷転送部で混合して、水平電荷転送部で保持する第1混合ステップと、第1混合ステップの後に電荷蓄積部に蓄積された電荷を、水平電荷転送部に転送し、転送した電荷を水平電荷転送部で混合して、水平電荷転送部で保持する第2混合ステップと、第1混合ステップと第2混合ステップによって水平電荷転送部に保持された電荷を、出力部に同時に転送する水平転送ステップと、を含む。 (もっと読む)


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