【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】被写体の動きを容易に検知することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の画素１３ａ、第２の画素１３ｂ、および単位セルの出力回路１７を有する。第１の画素１３ａは、第１の信号電荷を発生させる第１のフォトダイオード１１ａ、および第１のフォトダイオード１１ａ上に形成された第１のマイクロレンズ１２ａを有する。第２の画素１３ｂは、第２の信号電荷を発生させる第２のフォトダイオード１１ｂ、および第２のフォトダイオード１１ｂ上に形成された、第１のマイクロレンズ１２ａより小さい第２のマイクロレンズ１２ｂを有する。第２の画素１３ｂは、第１の画素１３ａに対して１／ｎ倍の感度と、ｎ倍の光電変換期間とを有する。単位セルの出力回路１７は、第１の信号電荷の電荷量に基づく第１の検出信号と、第２の信号電荷の電荷量に基づく第２の検出信号との差分信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子に設ける信号読出回路のトランジスタ数を削減する。
【解決手段】三原色カラーフィルタｒｇｂがベイヤ配列された第１画素群と、該第１画素群に対し水平方向，垂直方向共に１／２画素ピッチずつずれ三原色のカラーフィルタＲＧＢがベイヤ配列された第２画素群とを備えるＭＯＳ型固体撮像素子であって、同色のカラーフィルタを持つ斜めに隣接した前記第１画素群に属する画素ＰＤ１及び前記第２画素群に属する画素ＰＤ２（以下、この２つの画素をペア画素という。）及び該ペア画素に対して垂直方向に隣接する前記ペア画素ＰＤ３，ＰＤ４の計４画素を読出単位とし、該４画素毎に、１つの共通のＭＯＳトランジスタ回路（ＲＴ，Ｄｒ）で構成される信号読出回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）

【課題】混色を抑えた固体撮像素子、その製造方法、カメラを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、２次元配列された複数の光電変換部を有する基板と、前記基板に対して積層され、前記各光電変換部に向けて特定の波長域の光を透過させる複数のカラーフィルタと、を備える。前記各カラーフィルタは、相対的に屈折率の異なる第１の層と第２の層との積層構造を有する積層構造部と、２次元方向に周期性を有する周期構造部であって、透過波長域ごとに周期が異なる周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型、表面照射型に関わらず容易に製造することができ、かつ、撮影時間を短くして高画質の撮影を行うことが可能な瞳分割機能を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】瞳分割用の画素部１０，１１は、シリコン基板内の断面形状が左右反転した形状となっている。画素部１０は、電荷発生領域１７と、この上の電荷蓄積領域１３と、電荷発生領域１７及び電荷蓄積領域１３のうち電荷発生領域１７のみに接し、電荷発生領域１７に対してポテンシャル障壁を形成する障壁領域１６と、障壁領域１６とシリコン基板表面との間の電荷排出領域１５とを備える。障壁領域１６は、画素部１０では右端にあり、画素部１１では左端にあり、ここには電圧印加用の配線３０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】分光要素を用いた撮像装置において、利用する分光要素の特性や製造精度等に起因して設計どおりの理想的な特性が得られない場合であっても色再現性を高くできる撮像技術を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、複数の光感知セルを含む光感知セルアレイと、複数の分光要素を含む分光要素アレイ１００と、複数の色フィルタを含む色フィルタアレイ３００とを備える。光感知セルアレイ２００は、複数の単位ブロック４０を有し、各単位ブロック４０は、光感知セル２ａ、２ｂを含んでいる。分光要素アレイ１００は、入射光（Ｗ）に含まれる第１波長域以外の光を第１の光感知セル２ａに入射させ、第１波長域の光の少なくとも一部を第２の光感知セル２ｂに入射させる分光要素１ａを含んでいる。光感知セル２ａと分光要素１ａとの間に第１波長域の光を吸収または反射する色フィルタ３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】異なる高さのマイクロレンズを有する固体撮像装置を、製造工程を増加させることなく製造可能な固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上の透明樹脂層を露光する工程と、互いに高さが異なる第１、第２の樹脂パターンを形成する工程と、互いに高さが異なる第１、第２のマイクロレンズを形成する工程と、を具備する固体撮像装置の製造方法。露光する工程は、第１の透過領域、およびこの領域よりも高い透過率の第２の透過領域を有するグレーティングマスクを用いて透明樹脂層を露光する工程である。第１、第２の樹脂パターンを形成する工程は、透明樹脂層を現像することにより、第１の樹脂パターンおよびこのパターンよりも低い第２の樹脂パターンを形成する工程である。第１、第２のマイクロレンズを形成する工程は、第１の樹脂パターンおよび第２の樹脂パターンを熱処理することにより、第１のマイクロレンズおよびこのレンズよりも低い第２のマイクロレンズを形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】 半導体イメージセンサにおける解像度の更なる向上を図り、色信号の演算式の簡略化を図る。
【解決手段】 光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素１０３Ａが水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第１の画素グループと、第１の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略１／２ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素１０３Ｂが配列された第２の画素グループとを備え、第１の画素グループに対応するオンチップカラーフィルタに補色フィルタを用いて成る。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】基板上方に配列された複数の光電変換部を有する固体撮像素子であって、画素間の混色、感度低下、および、高照度時のシェーディングの抑制が可能な、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板５の上方に配列された複数の光電変換部９を有する固体撮像素子１であって、前記光電変換部９が、基板５の上方に形成された下部電極２５と、下部電極２５の上面に形成された光電変換膜２７と、光電変換膜２７の上面に形成された上部電極２９とを含んで構成され、上部電極２９の上面に接して配置され、光電変換部９に開口を有する形状で、隣接する光電変換部９の境界部分に形成された導電膜３３を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体イメージセンサにおける解像度の更なる向上を図り、色信号の演算式の簡略化を図る。
【解決手段】 光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素６３Ａが水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第１の画素グループと、第１の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略１／２ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素６３Ｂが配列された第２の画素グループとを備え、第１の画素グループと前記第２の画素グループは、光電変換に寄与する半導体領域の深さが異なるようにして成る。 （もっと読む）

【課題】層内レンズ内のボイドの発生を防止する。
【解決手段】受光素子１２及び垂直転送電極１９ａ，１９ｂが形成された半導体基板１１上に、受光素子１２の直上位置にＢＰＳＧ凹部３２ａを有するＢＰＳＧ膜３２を形成する。ＢＰＳＧ凹部３２ａを埋めるようにＢＰＳＧ膜３２上にＳｉＮ膜６０を形成し、ＢＰＳＧ凹部３２ａにＳｉＮを充填する。ＳｉＮにボイドの基となる開気孔６１が発生した場合、この開気孔６１を埋めるようにＳｉＮ膜６０上に平坦膜６２を形成する。平坦膜６２上に、開気孔６１の直上位置で開口したレジスト開口部６３ｂを有するレジスト膜６３を形成する。エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。ＳｉＮ凹部６０ａ内にＳｉＮを充填して下凸層内レンズ３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】層内レンズ内のボイドの発生を防止する。
【解決手段】半導体基板上１１上に、ゲート絶縁膜２５及び第１、第２転送電極１９ａ，１９ｂを覆う絶縁膜２６、及び絶縁膜２６を覆うＢＰＳＧ膜４９を形成する。ＢＰＳＧ膜４９上にその凹部５０を埋めるようにＳｉＮ膜５２を形成して、下凸層内レンズ２９を形成する。ＳｉＮ膜５２を平坦化した後、ＳｉＮ膜５２をＢＰＳＧ膜４９よりも高選択比でエッチングして、各転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域のＢＰＳＧ膜４９を露出させる。露出したＢＰＳＧ膜４９を異方性エッチングして電極周囲溝５５を形成する。電極周囲溝５５を埋めるように遮光膜２７を形成する。遮光膜２７における受光素子１２の直上位置に開口部２７ａを形成する。遮光膜形成前の低アスペクト比の凹部５０にＳｉＮ膜５２を埋め込んで下凸層内レンズ２９を形成するので、ボイドの発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】下凸層内レンズを反射防止膜に接触させることなく受光素子に可能な限り近づける。
【解決手段】半導体基板１１上に、垂直転送電極１９ａ，１９ｂ及びゲート絶縁膜２５を覆うＳｉＮからなる反射防止膜２６を形成する。反射防止膜２６上でかつ受光素子１２の直上位置にＳｉＯ_２ からなるスペーサ膜２８を形成する。スペーサ膜２８上に、ＢＰＳＧからなる凹型絶縁膜２９を形成する。凹型絶縁膜２９により形成される曲面状凹部２９ａにＳｉＮを埋め込んで下凸層内レンズ３０を形成する。反射防止膜２６と下凸層内レンズ３０との間にスペーサ膜２８を形成することで両者を接触させることなく、下凸層内レンズ３０を受光素子１２に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜の本来の反射防止特性を劣化させることなく、また、電気的耐圧の問題や平坦化の問題を生じることなく、反射防止膜の一部を除去する。
【解決手段】複数の光電変換素子が二次元アレイ状に配列形成され所定面積当たり複数個の前記光電変換素子を含む半導体基板と、前記所定面積当たり少なくとも１個の前記光電変換素子（この例ではＲ画素）を反射防止膜除去素子として前記半導体基板の受光面に積層される反射防止膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素１０は、第１の半導体層１と、第２の半導体層２と、第２の半導体層２の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第３の半導体層５ａ，５ｂおよび第４の半導体層６ａ，６ｂと、第２の半導体層２の下部側面領域に形成されたゲート導体層４ａ，４ｂと、絶縁膜３ａ，３ｂを介して第４の半導体層６ａ，６ｂの側面に形成された導体電極７ａ，７ｂと、第２の半導体層２の上面に形成された第５の半導体層８とを備え、少なくとも第３の半導体層５ａ，５ｂと、第２の半導体層２の上部領域と、第４の半導体層６ａ，６ｂと、第５の半導体層８とは島状形状内に形成されている。また、第４の半導体層６ａ，６ｂの表面にホールを蓄積させるように導体電極７ａ，７ｂに所定の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】スミア対策やシェーディング対策を容易とする固体撮像素子を製造する。
【解決手段】下凸の層内レンズを積層するための第１下層５６を下凸形状５４ａ内に積層し、第１下層５６のうち層内レンズの下凸側湾曲点トップ位置Ａをずらす方向の部分を削除した後に第１下層５６をリフローさせ、該リフロー後の第１下層５６の上に第２下層５７を積層して第２下層５７を第１下層５６がリフローしない条件下でリフローさせ、該リフロー後の第２下層５７の上に層内レンズを形成する材料を積層する。 （もっと読む）

【課題】選択的位置のレジスト膜とその下地との密着性を高め、非選択的位置のレジスト膜の残渣を減少させる。
【解決手段】下地１に第１レジスト材３を塗布し（工程１―１）、所望パターンとは逆パターンで第１レジスト材３をパターニングして前記下地の表面のうち前記所望パターンの表面を露出させ（工程１―２）、該下地の前記露出された表面を疎水化処理し（工程１―３）、該疎水化処理後に下地１から前記パターニングされた第１レジスト材３を除去（工程１―４）して下地１に第２レジスト材２を塗布し、（工程１―５）、第２レジスト材２を前記所望パターンでパターニングする（工程１―６）。 （もっと読む）