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Fターム[4M118FA32]の内容

Fターム[4M118FA32]の下位に属するFターム

MOSゲート (3,041)
接合型FET (13)
SIT

Fターム[4M118FA32]に分類される特許

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【課題】
最小空乏化電圧を低下でき、かつスミア電荷の再分配を防止できる固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】
固体撮像装置の駆動方法は、(a)行列状に配置された電荷蓄積領域上に光学的画像を結像し、信号電荷を蓄積する工程と、(b)4段以上の転送段を1つの転送単位として、電荷蓄積領域から垂直電荷転送路に信号電荷を読み出す読み出し工程であって、(b−1)転送単位当たり少なくとも1転送段のバリアを形成するバリア形成電圧を所定の転送電極に印加し、(b−2)電荷蓄積領域から垂直電荷転送路に信号電荷を読み出すため所定の転送電極に読み出しパルスを印加し、(b−3)前記バリア形成電圧を印加された転送電極との間に少なくとも1転送段の間隔を置く所定の転送電極に、前記読み出しパルスによる電荷蓄積領域の電位変化を相殺する相殺パルスを印加する、ことを含む読み出し工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを有する形成された垂直カラーフィルターセンサー群を作成する。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。幾つかの実施形態において、センサー群は読出し面を持つ固体材料のブロックである。少なくとも2つの垂直積層センサーはこのブロック中に形成され、トレンチコンタクトはセンサーの1つと読出し面との間に配置される。 (もっと読む)


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