【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１００において、垂直ＣＣＤ部１１０は、シリコン基板１内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル３と、シリコン基板１上にゲート絶縁膜７を介して転送チャネル３に沿って配列された複数の電荷転送電極８と、隣接する電荷転送電極８の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部１０１は、シリコン基板１内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域５と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜１１とを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素列の信号電荷を容易に混合することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、光電変換部３の第１列に対応して設けられた第１垂直転送部５ａと、第１列と隣り合って位置する光電変換部３の第２列に対応して設けられた第２垂直転送部５ｂと、第１垂直転送部５ａ及び第２垂直転送部５ｂによって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部７と、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第１垂直転送部５ａとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第１垂直転送部５ａに信号電荷を読み出す読み出し電極４ａと、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第２垂直転送部５ｂとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第２垂直転送部５ｂに信号電荷を読み出す読み出し電極４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質などの各特性を向上する。
【解決手段】イメージセンサチップ１００の撮像領域ＰＡと、信号処理チップ２００とが対面する間に、他の配線層よりも厚い配線層Ｈ３１を設ける。この配線層Ｈ３１を介して熱を外部へ放出させて、イメージセンサチップ１００において、撮像領域ＰＡで温度が上昇することを抑制し、暗電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子などの半導体装置を微細化するとともに、半導体装置中のシャント配線を薄くすると、高速駆動時の転送効率が低下してしまう。また、電荷転送部への遮光性が低下してしまう。
【解決手段】受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第１の金属膜とを有し、第１の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ１層以上有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ１６と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター１７とを有し、カラーフィルター１７透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造（光導波路１３、・・）を備える。そして、光導波路１３の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径ｄ_Ｇ１が、外周における開口径ｄ_Ｇ２よりも大きくなっている。なお、Ｒ画素およびＢ画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 （もっと読む）

【課題】画素を微細化した場合にも、高速転送と高歩留りを実現することができるシャント配線構造を用いた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１には、複数の受光部１１が行列状に形成され、複数の受光部１１の行間にＹ方向に延伸形成された垂直電荷転送部１３と、半導体基板１上において、複数の受光部１１の列間にＸ方向に延伸形成された複数の第１転送電極３ａと、垂直電荷転送部１３上において、複数の第１転送電極３ａの各間に形成された複数の第２転送電極３ｂと、第１転送電極３ａ上においてＸ方向に延伸形成された第１シャント配線７と、第２転送電極３ｂ上にＸ方向に延伸形成された第２シャント配線５とを備える。第２シャント配線５は、Ｙ方向に隣接する受光部１１間において、第１転送電極３ａのＹ方向の側方に対し、絶縁膜４を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、１ゲートあたりの電荷転送距離が長い場合においても、電荷の転送効率が高い固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】転送チャネル１０２は、互いに不純物濃度が異なる第１チャネル領域と第２チャネル領域とから構成され、転送電極は、第１チャネル領域上に形成された第１転送電極１０４と、第２チャネル領域上に形成された第２転送電極１０５とを備える。転送電極の下では、第１チャネル領域は第２チャネル領域よりも転送方向の下流側に位置し、第１チャネル領域のポテンシャルは第２チャネル領域のポテンシャルよりも高く、第１チャネル領域と第２チャネル領域との境界は、転送方向に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種と、オキシム系光重合開始剤の少なくとも一種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】透明電極が形成された固体撮像素子において、感度低下の防止が図られた固体撮像素子を提供する。また、その固体撮像素子を用いた撮像装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に形成され、入射した光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部ＰＤと、基板１１上部に形成された透明電極１４を備える固体撮像素子１において、透明電極１４を、複数の開口を有するナノカーボン材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像装置とその製造方法、およびこの固体撮像装置を備えた撮像モジュールに関する。
【解決手段】撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成され、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第１屈折率膜と、第１屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第１屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率膜とを備え、複数の画素には、撮像エリアの中央領域にある第１の画素と、撮像エリアの周辺領域にある第２の画素とが含まれ、第２の画素における第２屈折率膜の上面は、第１の画素側の端部が、第１の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保を容易とするとともに、転送効率を向上させ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現する。
【解決手段】固体撮像素子１は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列される受光素子３と、受光素子３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ４と、垂直転送レジスタ４により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ５と、半導体基板１０上にて各転送レジスタ４，５を構成する転送電極１１，１２下に設けられるゲート絶縁膜１３とを備え、ゲート絶縁膜１３は、垂直転送レジスタ４を構成する垂直転送電極１１下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）を有する垂直転送電極下膜部１３Ａと、水平転送レジスタ５を構成する水平転送電極１２下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）よりも薄い第２の膜厚（ｄ２）を有する水平転送電極下膜部１３Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】配線領域を更に低減した領域を受光領域に当てることにより、各受光素子の受光面積を維持した状態で、受光領域の受光感度やダイナミックレンジの低減を招くことなく、更なる画素サイズの縮小を行って画素数を増加させる。
【解決手段】平面視で上下に隣接する行方向の転送電極配線６〜９と転送電極配線６〜９との間および、これらに直角に交差し、平面視で隣接する列方向の各垂直転送部５，５間で囲まれた入射光窓の開口領域としての開口部３が設けられ、開口部３内に２列×２行の４個の各受光素子２が配置され、垂直転送部５の両側に配列された同じ行の各受光素子２から交互に信号電荷がこれに隣接の垂直転送部５に読み出されて電荷転送される。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を
提供する。
【解決手段】受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を有する画素領域と、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える構成の固体撮像装置とした。 （もっと読む）

【課題】複数画素共有の互いに寄った受光部を持つ固体撮像素子において、受光感度およびシェーディングをより改善する。
【解決手段】マイクロレンズ１４と受光部３との間の層間絶縁膜９に光導波路を構成する断面平行四辺形状のライトパイプ１０が形成され、ライトパイプ１０は、下端面が受光部３の上方位置で平面視で受光部３の中央部を含むように開口し、上端面がマイクロレンズ１４の下方位置で平面視でマイクロレンズ１４の中央部を含むように開口して、上下の各端面領域が平面視で互いに領域がずれて異なっている。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）