【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】表示させる動画像に残像効果を持たせて、急激な構図変化をしたときであっても、主被写体を見失ってしまうことを防止する。
【解決手段】光電荷を生成し蓄積するフォトダイオード１０１と、前記フォトダイオードに接続され前記光電荷を転送する転送トランジスタ１０２と、前記転送トランジスタに接続された前記光電荷を蓄積する蓄積容量とを備え、前記フォトダイオードが光電荷を蓄積中に前記蓄積容量に蓄積された電荷のリセットを実行する第１の駆動モードと、電荷のリセットを非実行する第２の駆動モードとを有する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の飽和電荷量が増大した場合にも、光電変換部の後段に設けられた読み出し回路のダイナミックレンジに制限を受けることなく信号を読み出すことを目的とする。
【解決手段】 本発明は、光電変換部と、フローティングディフュージョンと、電荷保持部と、前記光電変換部で生じた後、前記電荷保持部で保持された電荷を前記フローティングディフュージョンへ転送する転送トランジスタと、を有する複数の画素と、を有し、前記転送トランジスタには、前記転送トランジスタが導通状態となる導通パルスと、前記転送トランジスタが非導通状態となる非導通パルスと、前記導通パルスと非導通パルスとの間の波高値を有する中間レベルパルスとが、選択的に供給されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱雑音を除去することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】行列状に配置され、フォトダイオードと浮遊拡散層とを有し、初期化された浮遊拡散層に対応する第１初期化信号と、受光量に応じた第１映像信号とを出力する複数の画素回路１ａと、列毎に設けられ、複数の画素回路からの第１初期化信号と第１映像信号とを転送する列信号線と、列信号線を通して対応画素回路から転送されてくる第１初期化信号と第１映像信号を保持する複数の第１保持回路２ａと、列毎に設けられ、第１保持回路と列信号線とに接続された差分回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】高歩留まりと低暗電流の積層型の固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、画素電極３と電気的に接続されるプラグ２０と、プラグ２０と接続される接続部１１と、受光層４で発生し接続部１１に移動した電荷に応じた信号を読みだす信号読み出し部とを備える。基板１表面に接続部１１を形成する工程と、信号読み出し部及び接続部１１を形成した基板１上方に絶縁膜２を形成し、平面視において接続部１１よりも内側の位置に接続部１１よりも小さい開口を絶縁膜２に形成する工程と、開口に導電性材料を埋め込んでプラグ２０を形成する工程と、プラグ２０上に画素電極３を形成する工程とを含み、設計上、開口と接続部１１の中心が一致しかつ当該中心を通る全ての方向における開口の端部から接続部１１の端部までの距離が、当該方向における開口の幅の２０％以上５０％以下になるように、開口及び接続部１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を低減させる。
【解決手段】撮像素子２００は、画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、画像生成画素における受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを具備する。また、画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも１つの画素は位相差検出画素であり、かつ、当該位相差検出画素における受光素子と画像生成画素における受光素子との間に保持部が配置される。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ないメモリセル部の数で焦点検出を行うことができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子により光電変換された信号を共通出力線に出力するセンサセル部（101）と、共通出力線の信号を転送容量に蓄積して転送する転送回路部（201）と、共通出力線の信号を第１〜第３メモリ容量に記憶し、第１〜第３メモリ容量の信号を反転増幅して共通出力線に出力する第１〜第３メモリセル部（301、401、501）とを有し、第１メモリセル部はリセットに起因するリセットノイズ信号を第１メモリ容量に書き込み、第３メモリセル部は第１メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第３メモリ容量に書き込み、第２メモリセル部は第３メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第２メモリ容量に書き込み、転送回路部は第２メモリセル部のリセットノイズ信号とセンサセル部の出力信号を加算する。 （もっと読む）

【課題】複数種の動作を行う受光素子に関する技術を提供すること。
【解決手段】撮像素子であって、露光量に応じた電荷を生成する複数の光電変換部と、光電変換部から生成された電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、光電変換部から生成された電荷を電荷蓄積部へ転送する電荷転送部と、電荷転送部と電荷蓄積部との間に設けられ、開閉することによって電荷転送部から電荷蓄積部へ電荷が入ることを制御する複数の振り分けゲート部と、を備える。電荷転送部は、複数の光電変換部と複数の振り分けゲートと複数の電荷蓄積部とに接している。電荷蓄積部及び振り分けゲート部は、自身に対応する光電変換部が位置する方向に対し、電荷転送部に接する凸部を有している。第一動作状態の場合、露光中に振り分けゲートは他の振り分けゲートと重複しないように開く。第二動作状態の場合、露光中に振り分けゲートは他の振り分けゲートと重複して開く。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード(ＰＤ)の感度の低下の軽減を可能としつつ画素の読み出し時間の短縮が可能な裏面照射固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体基板１にフォトダイオード３とＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３を具備して、このＭＯＳトランジスタは半導体基板の表面に形成され、フォトダイオード３は半導体基板の表面と反対の裏面に照射される入射光ＬＧに応答する。フォトダイオード３の主要部とその近傍の上部には、同一列で複数行同時選択される複数のフォトダイオードＰＤからの複数の信号電圧を転送するための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３が形成される。裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の裏面からフォトダイオードへの照射光が入射されるので、画素の読み出し時間の短縮のための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３を形成しても、フォトダイオードの感度の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】電子増倍画像センサー及び対応する方法を提供する。
【解決手段】活性画素の画像センサーが提供され、各画素は半導体活性層１２の表面において、電荷蓄積領域１８に隣接する移送ゲートＴＲの近くに光ダイオード領域ＰＨＤを含み、移送ゲートは、それが移送パルスを受けるとき、光ダイオード領域から蓄積領域への電荷の移送を可能にする。光ダイオード領域は、半導体活性層から絶縁された加速ゲートＧＡに隣接する。移送パルスに先立つ集積段階の期間中に、加速ゲートに対して、光ダイオード領域と加速ゲートの下に位置する活性層領域との間に、一方の方向と他方の方向へ交互に電界を誘起する一連の高電位／低電位の交番を印加するように、切り替え手段が提供される。格子の原子による衝撃は、二次電子を作り出し、それによってセンサーの感度を増加させる。 （もっと読む）

【課題】信号を高速に読み出すことができる撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素（１０１）と、画素から出力された信号を保持する複数のメモリ（Ｃ１０５）と、複数のメモリに保持された信号を伝達する共通信号線（１１０）と、複数のメモリと共通信号線とをそれぞれ接続する複数の第１のスイッチ（１０８）と、を有する撮像装置であって、複数のメモリの各々は、一方の端子には画素から出力された信号が与えられるとともに第１のスイッチと接続され、他方の端子に基準電位が与えられるメモリ容量を有し、撮像装置は、さらに基準電位を供給する基準電位供給部（１０６，１０７）を備え、基準電位供給部は、複数のメモリが信号を保持する期間に第１の参照電位を供給し、第１のスイッチがオンしている期間に、第１のスイッチがオンする前の共通信号線の電位に対する電位差が第１の参照電位よりも大きい第２の参照電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】 低暗電流、低ノイズ、低偽信号の特性を維持しつつ、光量に対する高い感度を達成できるグローバルシャッタ動作可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】ｐ型の半導体からなる基体領域１１と、基体領域１１の上部の一部に設けられたｎ型の電荷生成埋込領域１２と、電荷生成埋込領域１２から離間して設けられ、電荷生成埋込領域１２で生成された信号電荷を蓄積するｎ型の電荷蓄積領域１５と、電荷蓄積領域から離間して設けられ、電荷蓄積領域から信号電荷を読み出す電荷読み出し領域１８と、基体領域１１の深部で生成された電荷の電荷蓄積領域１５への流入をブロックする、ｐ型で基体領域１１より高不純物密度のバリヤ領域とを備える。 （もっと読む）