【課題】熱電変換素子と、光電変換素子とトランジスタまたはダイオードとの少なくとも一方と、をモノリシックに集積化すること、または、ｐ型熱電変換部とｎ型熱電変換部とが干渉を抑制すること。
【解決手段】本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 （もっと読む）

コンピュータ断層撮影及び他の撮像用途のための背面照射式フォトトランジスタ・アレイ。画素当たり１つの光センサとトランジスタとを有する、又は、画素当たり複数の光センサとトランジスタとを有する、バイポーラトランジスタ及び接合型ＦＥＴを使用した実施形態が開示される。
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【課題】受光可能範囲を拡大することが可能な受光モジュールを提供すること。
【解決手段】受光素子２Ａと、受光素子２Ａを封止し、かつ受光素子２Ａの正面に位置するレンズ４Ａａが形成された樹脂パッケージ４Ａと、を備える受光モジュールＡ１であって、受光素子２Ｂと、受光素子２Ｂを封止し、かつ受光素子２Ｂの正面に位置するレンズ４Ｂａが形成された樹脂パッケージ４Ｂと、屈曲させられた状態で受光素子２Ｂおよび樹脂パッケージ４Ｂを樹脂パッケージ４Ａに対して保持可能である連結部１３と、をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 大型化せずにキャパシタの容量を増大させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極パッド（５１〜５４）と、キャパシタ（６０）と、電極パッド（５１〜５４）およびキャパシタ（６０）が所定の領域に配置された基板（１０）とを備え、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）は、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）の各々の少なくとも２辺が所定の間隔で隣接する、平面上の配置関係を有し、キャパシタ（６０）は、キャパシタ（６０）の当該２辺を連結して電極パッド（５１〜５４）と対向する接続辺をさらに備え、接続辺と２辺の各々とがなすキャパシタの外側の角度は、９０度よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光される光の範囲に応じた受光信号を出力させることができる受光素子、当該受光素子で受光した光に基づいて処理を行う光電センサ用ＩＣ、及び光電センサ用ＩＣからの出力に基づき検出を行う光電センサを提供する。
【解決手段】４つの受光部Ｐ１〜Ｐ４が１つの受光素子３０に設けられており、被検出物Ｗの距離により、受光部Ｐ１が受光可能なスポット径である場合には、受光部Ｐ１からの受光量に応じた受光信号により、被検出物Ｗの有無を検出する。受光部Ｐ１で受光可能なスポット径でない場合には、受光部Ｐ１〜Ｐ３からなる受光部の受光領域における受光量に応じた受光信号により、被検出物Ｗの有無を検出する。被検出物Ｗまでの距離を検出する際には、受光部Ｐ３，Ｐ４のそれぞれの受光量の差分を演算し、差分に応じて検出物までの距離を検出する。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第１の電極と、前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体層とを有する光電変換層と、前記第１の半導体層は、前記第１の電極の端部を覆っており、前記第３の半導体層上に、絶縁膜と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体層に電気的に接続する第２の電極とを有し、前記光電変換層の、前記絶縁膜に覆われていない領域は、前記第２の半導体層の一部及び第３の半導体層の一部が除去されている光電変換装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の機能ブロックにクロック信号を光伝送する際のスキューを低減する。
【解決手段】シリコン基板１１１に絶縁物１１２を介しシリコン単結晶膜１１３が形成されたＳＯＩ基板１１４を用いる。シリコン単結晶膜１１３に機能ブロック１１５ａ〜１１５ｊが形成されている。シリコン基板１１１に光導波路１１６_-1〜１１６_-5が形成されている。この光導波路１１６_-1〜１１６_-5の一端にクロック信号に対応した光信号を供給する。光導波路１１６_-1〜１１６_-5は互いに屈折率を異にするコア材料を用いて構成されている。シリコン基板１１１に、夫々機能ブロック１１５ａ〜１１５ｊにクロック信号を供給するためのＰＤ１１８ａ〜１１８ｊが形成されている。ＰＤ１１８ａ〜１１８ｊのそれぞれは、光信号の入射位置からの導波距離が長くなるほど、屈折率の小さなコア材料で構成される光導波路で導波される光信号を受光するようにされている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子の端部を囲む隔壁層として、遮光性を有する材料を用いる。これにより、読み取り対象物に反射していない光が撮像素子に入ることを防止して、読み取り対象物の情報を正確に読み取ることができる。
【解決手段】 本発明の読み取り機能付き表示装置は、絶縁表面を有する基板上に設けられた薄膜トランジスタ及び撮像素子と、薄膜トランジスタ及び撮像素子を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられた発光素子と、発光素子の端部を囲み、遮光性を有する隔壁層とを有し、隔壁層は、撮像素子と重なる位置に、開口部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計変更に対応できるような設計の自由度を保つことが容易に可能であり、少量多品種の生産に対応することができる光電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】クロック信号光を出射する発光素子２０、受光部１１を持つ半導体チップ１０およびコア３０ｂをクラッド３０ａで被覆したシート状で半導体チップ１０に貼り合わされた光導波シート３０を有し、光導波シート３０は、コア３０ｂの光入射部に発光素子２０から光が入射され、２つに光を分割して反射するミラー面ＭＲ_vとなり、光導波シート３０の面内方向に垂直な垂直内壁面を有する垂直開口部Ｐ_vを有する１つ以上のＴ字型分岐Ｓを有し、各光の受光部１１との結合位置において、光を光導波シート３０の面外方向に反射して受光部１１に結合させるミラー面ＭＲａ，ＭＲｂとなり、コア３０ｂの光導波方向に対して傾きを有する傾斜内壁面を有する傾斜開口部Ｐ_iを有する構成である。 （もっと読む）

本発明は、パターン加工済みのシリコン上でのテルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）の製造に関し、特に集積回路を有するシリコン基板上へのＣＭＴの成長に関する。本発明の方法は、最初にＭＢＥによって１つ以上のバッファ層を成長させ、次いでＭＯＶＰＥによってＣＭＴを成長させることによって、シリコン基板上の選択された成長窓にて成長を行うことを含む。成長窓は、成長窓以外の領域をマスクすることによって定めることができる。成長窓での成長が結晶構造であるのに対し、成長窓の外部での成長は、多結晶であってエッチングで取り除くことができる。本発明は、集積回路上にＣＭＴ構造を直接成長させる方法を提供し、ハイブリッド化の必要をなくしている。
【その他】 本願に係る特許出願人の国際段階での記載住所は「イギリス国、ロンドン・エス・ダブリユ・１・イー・６・ピー・デイ、バツキンガム・ゲート・８５」ですが、識別番号５０１３５２８８２を付与された国内書面に記載の住所が適正な住所表記であります。
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【課題】設計変更に対応できるような設計の自由度を保つことが容易に可能であり、少量多品種の生産に対応することができる光電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】クロック信号となる光を出射する発光素子２０と、光を受光する受光部１１を備えた半導体チップ１０と、コア３０ｂの外周をクラッド３０ａが被覆してシート状に成形され、半導体チップ１０に貼り合わされた光導波シート３０とを有し、光導波シート３０は、コア３０ｂの光入射部に発光素子２０から光が入射され、コア３０ｂに設けられた１つ以上のＹ字型分岐Ｓにおいて光を複数に分割して導波し、分割された光のそれぞれを受光部１１に結合させる位置において、コア３０ｂの光導波方向に対して傾きを有する内壁面を有する開口部Ｐが設けられ、内壁面がミラー面（ＭＲａ，ＭＲｂ）として光を光導波シート３０の面外方向に反射して受光部１１に結合させる構成となっている。 （もっと読む）