【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】基板密着性が良好で、感度が高く、微細なパターンを成形できる黒色硬化性組成物を提供し、それを用いて赤外領域の遮光性が高い遮光性カラーフィルタおよびその製造方法を提供し、ノイズ発生が防止され、画質が向上した固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック、（Ｂ）重量平均分子量が２万以上３万１千以下の範囲であり、酸価が８０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であるアルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）溶剤、（Ｄ）光重合開始剤、及び、（Ｅ）エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物、を含む黒色硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】画素の開口をより広くすることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子を構成する基板には、被写体からの光を光電変換し、その結果得られた信号電荷を蓄積する受光部と、受光部から信号電荷を読み出すときに電圧が印加される第１転送電極とが隣接して設けられている。第１転送電極には、第１転送電極の一部を覆うように第１遮光膜が形成され、さらに第１遮光膜の表面の一部には第２遮光膜が形成されている。信号電荷の読み出し時には、これらの第１遮光膜と第２遮光膜を介して第１転送電極に電圧が印加される。第１転送電極に形成する遮光膜を、第１遮光膜と第２遮光膜に分けて形成することで、所望の形状の遮光膜を簡単に形成することができ、画素の開口をより広くすることができる。本技術は、撮像ユニットに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光が暗基準領域に衝突することを防止しつつ、終結していない結合の不動態化を可能にして、画像における暗レベルの向上した較正を可能にするＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、撮像アレイと、暗基準領域と、第１の実質的に不透明な光シールドと、第２の実質的に不透明な光シールドとを備え、該暗基準領域内において、該第１の光シールドにおける該開口部は、感光性エリアまたはＶＣＣＤ領域の上に配置され、両方の上には配置されず、該第１の光シールドにおける該開口部が、感光性エリアの上に配置される場合、該暗基準領域における各感光性エリアは、該感光性エリアの上に２つ以上の開口部を有しておらず、該第１の光シールドにおける該開口部が、ＶＣＣＤ領域の上に配置される場合、該暗基準領域における各ＶＣＣＤ領域は、該ＶＣＣＤ領域の上に２つ以上の開口部を有していない、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜で反射した光の影響を低減する。
【解決手段】 遮光膜４０の上面４１は銀色を呈する材料で構成されており、第１膜１０が遮光膜４０の上面４１に近接して遮光膜４０と通過部４４を覆い、第１膜１０の屈折率とは異なる屈折率を有する第２膜２０が、光路部４５および通過部４４に位置するとともに第１膜１０と界面２００を成しており、界面２００と光電変換部２との距離Ｄ_３が、通過部４４の出射端４４２と光電変換部２との距離Ｄ_２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部と、半導体基板上に配され、光電変換部と電荷保持部との間に配された第１のゲート電極と、半導体基板上に配され、電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間に配された第２のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、電荷保持部の上と、少なくとも第１のゲート電極と第２のゲート電極のいずれかの上に配された第１の部分と、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第１部分から延在した第２の部分とによって構成される遮光部を有する。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種と、オキシム系光重合開始剤の少なくとも一種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤや表面実装部品における反射率を低減させ、より簡単かつ確実にフレアおよびゴーストを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】プリント配線基板２１上には、被写体を撮像するためのイメージセンサ２２がボンディングワイヤ３１により実装され、さらに表面実装部品２３も実装されており、レンズから入射した光が、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３−１、２３−２で反射してイメージセンサ２２の受光部３２に入射することを抑制するために、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３を黒色のＵＶインクを用いたインクジェット印刷によりコーティングする。 （もっと読む）

【課題】カバーガラスとイメージセンサチップの接着力が強い狭ギャップの固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０４及びこの受光素子１０４から出力される信号を外部に出力するための電極１０９を備えたイメージセンサチップ１０２と、受光素子１０４上に形成されたマイクロレンズ１０３と、受光素子１０４の外周に形成される保護層１０７と、イメージセンサチップ１０２の上方に配置され、光学素子１０５が形成されたカバーガラス１０１と、このカバーガラス１０１に形成され、カバーガラス１０１と受光素子１０４とのギャップを制御するスペーサ１０６と、スペーサ１０６と保護層１０７とを接合するための接着層１０８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高感度で、且つ、混色の発生を抑制できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板１０１上に、絶縁膜１０７を介した状態で、互いに間隔をあけた状態で隔壁１０９が立設されている。そして、隣接する隔壁１０９同士および絶縁膜１０７の表面により形成された凹部の内壁に沿った状態で、下部電極１１０が形成されている。即ち、下部電極１１０は、絶縁膜１０７の表面上に形成された底壁部分と、当該底壁部分の両端縁部から隔壁１０９の側面に沿った状態で着設された側壁部分とが、一体に形成されてなり、全体として凹断面形状を有する。下部電極１１０は、ＷやＰｔ、あるいはＡｌなどの金属材料から形成され、遮光性を有する。また、隔壁１０９は、ＷやＡｌ、あるいはＣｕやＣｒなどからなる金属芯体部と、その外周に形成されたこれらの酸化皮膜部とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】不所望の領域への光の入射を効果的に抑制し、高画質な固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素部１００では、半導体基板１０１内に形成された接続部１０２と、絶縁膜１１０を介して形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２上に形成された下部電極１１３と、絶縁膜１１０を挿通し、接続部１０２と下部電極１１３とを接続するコンタクト配線１１１と、下部電極１１３上に形成された光電変換膜１１４と、光電変換膜１１４上に形成された上部電極１１５とを備える。そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外遮光能に優れた遮光膜を形成でき、該遮光膜の形成の際、該遮光膜の形成領域外における残渣物を低減できるチタンブラック分散物を提供する。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック粒子、（Ｂ）分散剤、及び（Ｃ）有機溶媒を含有し、
前記（Ａ）チタンブラック粒子からなる被分散体の９０％以上が３０ｎｍ以下の粒径を有し、一方の面に撮像素子部を有するシリコン基板の他方の面に設けられ赤外光を遮光する遮光膜の形成に用いられるチタンブラック分散物である。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路に対して斜めに入射することで遮光層により遮られない光によって、信号処理回路の動作が不安定にならないようにし、且つ遮光層に照射される光によって生じる浮遊電荷の影響で信号処理回路の動作が不安定にならないようにする。
【解決手段】受光素子３６と受光素子３６から出力される信号を処理する信号処理回路３８とがＳＯＩ基板上に形成された光入射部１２において、信号処理回路３８上の配線層のうち最上層を、太陽光を遮光する遮光層４２とし、遮光層４２と電気的に接続される複数のコンタクトプラグ５２が遮光層の端部に沿ってＳＯＩ基板の厚さ方向に積層される。複数のコンタクトプラグ５２は、グランドもしくは遮光層に生じる浮遊電荷を引き抜くのに十分な電位とされている。 （もっと読む）