Fターム[4M119AA00]の内容
MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 目的 (2,141)
Fターム[4M119AA00]の下位に属するFターム
低消費電力 (149)
漏れ電流防止 (20)
書込電流の低減 (305)
高速化 (132)
高信頼性 (199)
誤書込防止 (92)
ばらつき防止 (69)
反転磁界(アステロイド曲線)の調整 (7)
漏れ磁界の低減 (34)
高集積化,微細化 (354)
クロストーク防止 (15)
高SN比 (97)
動作マージンの拡大 (309)
製造方法の改善 (280)
その他の目的 (79)
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