【課題】ＲＡＭのデータを保存するＥＥＰＲＯＭの異常を検出する。
【解決手段】制御装置１は、ＥＥＰＲＯＭ４を管理するメモリ管理装置を提供する。電源オフに応答して、ＲＡＭ３のデータがＥＥＰＲＯＭ４に複写される。ＲＡＭ３の書込結果領域３１ａには、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理が正常終了したか否かが書込まれる。電源オンの後に、ＲＡＭ３のデータに異常があると、ＥＥＰＲＯＭ４に退避してあるデータに基づいてＲＡＭ３のデータが復元される。ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の異常終了が所定回数継続すると、ＥＥＰＲＯＭ４の故障を判定する。さらに、制御装置１は、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の前に、書込結果領域３１ａを初期化する。これにより、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の途中で電源が遮断され、制御装置１が再起動された場合でも、そのことを書込結果領域３１ａに基づいて判定できる。 （もっと読む）

【課題】記憶装置で発生したエラーに対して、簡易かつ的確にエラーを解析し、エラーの状況を取得できるようにする。
【解決手段】故障解析回路は、故障がある記憶領域に記憶された故障データと交替レジスタのデータとを比較する比較回路と、比較回路による比較結果データからエラービット位置を特定する位置特定回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】省エネ復帰時間を短縮しながらハングアップすることなく確実に復帰させることを目的とする。
【解決手段】省エネモード中の電源を監視して（１００）、閾値以上の電圧が検出された場合には、省エネ復帰から通常復帰に切り換えて、メモリに記憶された展開情報を利用せずに、メモリを初期化して新たに情報を展開して復帰する通常復帰が行われるように制御し（１０４〜１１２）、閾値以上の電圧が検出されない場合にはメモリに記憶された展開情報を利用する省エネ復帰が行われるように制御する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】 記憶容量が不足する事態を抑制しながら、メモリにおける情報保持性能の信頼性を高める。
【解決手段】 更生部２を備える。当該更生部２は、メモリから読み出された情報に含まれるビット誤りの数を誤りビット数として前記メモリにおける予め定められたメモリ領域毎に計数する機能を備えている。また、更生部２は、その誤りビット数が予め定められた閾値以上である前記メモリ領域には、当該メモリ領域とは別のメモリ領域に事前に書き込まれていたバックアップ情報を上書きする機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに格納されるデータの信頼性を確保するとともに、構成を簡略化することができるメモリコントローラを提供することを課題とする。
【解決手段】メモリコントローラ３は、読み出しコマンドを受け付けた場合、通常アクセス領域４１から格納データ５０を読み出し、格納データ５０のエラーを訂正する。格納データ５０のエラーがＥＣＣ回路３４のエラー訂正能力の範囲内である場合、メモリコントローラ３は、エラー訂正された格納データ５０に含まれる実体データを出力する。格納データ５０のエラーがエラー訂正能力を超えている場合、メモリコントローラ３は、格納データ５０のバックアップデータである格納データ７０を、バックアップ領域４２から読み出し、格納データ７０に含まれる実体データを出力する。ホストコントローラ３は、格納データ７０を用いて、通常アクセス領域４１に格納された格納データ５０を修復する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。
【解決手段】電子制御装置は、フラッシュＲＯＭを備える。フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。そして、高頻度ブロックのデータ消去回数に基づき、データ消去回数が１００の倍数となる度、低頻度ブロックを、記憶ブロック一つ分ずらすようにして、高頻度ブロックと入れ替える。この動作によって、フラッシュＲＯＭ内の記憶ブロック群を再グループ化する。一般的に高頻度ブロックのデータ消去回数のほうが低頻度ブロックよりも多くなるが、再グループ化により記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきは抑えられる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに書き込まれたデータの信頼性を向上することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリカード７Ａは、コンテンツデータＡを記録するメモリ７１と、メモリコントローラ７２とを備える。メモリコントローラ７２は、メモリ７１のエラーブロックのアドレスを記録したエラー発生データ７５Ａを作成する。エラー発生データ７５Ａは、情報処理端末４を介して、集計サーバ１に送信される。集計サーバ１は、複数の情報処理端末から受信したエラー発生データ７５Ａを集計して、メモリ７１において検査対象となる検査領域を設定し、検査領域が記録された個別検査領域データ１６Ａを作成する。情報処理端末４は、個別検査領域データ１６Ａを集計サーバ１から取得して、メモリコントローラ７２に出力する。メモリコントローラ７２は、個別検査領域データ１６Ａに基づいて、メモリ７１で検査する領域を決定する。 （もっと読む）

【課題】MBRとバックアップセクタデータを検証し、正常にリードできない又は不正であるときに、自動的に復旧し起動処理を実行する。
【解決手段】シャットダウンを検知した場合に、ＭＢＲとバックアップＭＢＲのリードを行い、ＭＢＲのデータとバックアップＭＢＲのデータとが同一でないときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするか、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするかする。コンピュータの電源をオンした場合に、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーする。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＭの記憶容量を抑制しながらＲＡＭの記憶値を保証できるようにしたＲＡＭ値保証装置およびＲＡＭ値保証プログラムを提供する。
【解決手段】ＣＰＵは、ＯＳによりプログラムカウンタ６の示すアドレスを監視し、非保証プログラム領域９から保証プログラム領域１０にプログラムカウンタ６のアドレスが遷移することを確認すると、保証ＲＡＭ領域１２のデータとバックアップＲＡＭ領域１３のデータとを比較し、当該データが異なっているときには保証ＲＡＭ領域１２のデータをバックアップＲＡＭ領域１３のデータで更新する。ＣＰＵ８はＯＳによりプログラムカウンタ６の示すアドレスを監視し、更新許可領域１０ａから更新許可領域１０ｂにプログラムカウンタ６のアドレスが遷移することを確認すると、その遷移直前にＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａの更新を許可し、ＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａのデータをＲＡＭ＿Ａ群１２ａのデータで更新し、更新処理後にＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａの更新を禁止する。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ストレージデバイスとして利用される不揮発性の記録媒体が寿命を迎えてもシステムを正常に起動することができる情報処理装置を提供すること。
【解決手段】情報処理装置は、起動中のシステムを終了して次に起動する際に必要なバックアップ対象情報が格納される不揮発性のメインメモリと、システムの起動及び終了に係る各処理を行うホスト制御部とを備える。メインメモリは、当該メインメモリに書き込まれたバックアップ対象情報を保持するメモリセル群と、メモリセル群への書き込みエラーが発生したとき、当該メインメモリが寿命を迎えたか否かを判断する制御部とを有する。ホスト制御部は、メインメモリが寿命を迎えたと制御部によって判断された際、メインメモリとは異なる不揮発性の補助メモリにバックアップ対象情報を格納し、システムの起動に係る処理を行う際には補助メモリからバックアップ対象情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】ブートエラーを正すための装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置１００は、不揮発性のメモリデバイス１２０を有し、そのメモリデバイス１２０は、第１のアドレスを持つ所定のブロックに、ブートローダーを格納している。装置１００は、さらに、電源投入時に、所定のブロックからブートローダーを読み出すメインコントローラー１１０を有している。装置１００は、また、メインコントローラー１１０の最初のブートシーケンスを監視するとともに、所定のブロックが、読み出し不可エラー状態に陥ったことを判定するように構成された監視モジュール１３０を含んでいる。監視モジュール１３０が、所定ブロックは読み出し不可エラー状態に陥ったと判定したとき、メインコントローラー１１０は、バックアップブロックからバックアップブートローダーを取得する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵの要求するメモリアクセスを処理すること。
【解決手段】複数のメモリモジュール１１０のページのうち、過熱状態にあるメモリモジュール１１０のページを、過熱状態にないメモリモジュール１１０のページへ移動させるべく、過熱状態にあるメモリモジュール１１０のページの仮想アドレスと、過熱状態にないメモリモジュール１１０のページの仮想アドレスとを入れ替えるメモリ管理部１５０を備える。 （もっと読む）

【課題】リストア処理における処理時間の増大を抑制することを目的とする。
【解決手段】コンピュータに、第１のデータ群に対応するデータ群である第２のデータ群を前記第１のデータ群を記憶する記憶装置に格納する処理を指示された場合に、前記記憶装置に記憶された前記第１のデータ群に含まれる各データを順次バックアップする処理と、前記第２のデータ群に含まれる各データを順次前記記憶装置に格納する処理と、を開始し、前記第１のデータ群のうち、前記バックアップする処理が終了したデータについて、バックアップする処理が終了した旨を示す情報を記憶手段に記憶し、前記第２のデータ群に含まれるデータについて前記バックアップする処理が終了した旨を示す情報が前記記憶手段に記憶されていない場合に、前記第２のデータ群に含まれる前記データを前記記憶装置に格納する処理の実行を抑止する、ことを実行させる。 （もっと読む）

【課題】グローバルタイムを参照してデータリテンション動作を実行する使用者装置、格納装置、及びそれのデータリテンション方法を提供する。
【解決手段】本発明のデータ格納装置の駆動方法は、データ格納装置をオフライン状態でオンライン状態に転換する段階と、オンライン状態の間にホストから現在のグローバルタイム（Ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を受信する段階と、オンライン状態の間に現在のグローバルタイム（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を参照してデータ格納装置に格納されたデータを少なくとも１つのノーマルデータリテンション動作を通じてリフレッシュする段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 電子機器においてスリープ状態と通常状態との間の状態遷移が多く発生しても、コントローラープログラムに発生するリードディスターブエラーを回避して、継続して正常に動作させる。
【解決手段】 メインコントローラー１１は、画像形成装置１の動作状態をスリープ状態に移行させる。そのスリープ状態は、メインコントローラーの電源がオフとなる動作状態である。そして、メインコントローラー１１は、コントローラープログラム３２を記憶した不揮発性メモリー２２と、コントローラープログラム３２を読み出して実行するＭＰＵ２４とを有し、コントローラープログラム３２に従って、不揮発性メモリー２２からのコントローラープログラム３２のリード回数が所定の閾値に到達すると、画像形成装置１の動作状態をスリープ状態に移行させる前に、不揮発性メモリー２２におけるコントローラープログラム３２の記憶領域に対する修復処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４は、ページ単位での読み出しと、ブロック単位で消去が可能である。リードカウンタ５は、メモリ４に対するリード回数ＲＣをブロック単位でカウントする。メモリコントローラ３は、リード回数ＲＣがリード回数閾値ＲＣｔｈを上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する。メモリコントローラ３は、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値ＥＢｔｈを超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する。エラーページが検出された場合、検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する。再書き込み処理終了後、検査対象ブロックのリード回数ＲＣを初期化する。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】誤り訂正が発生したとしてもデータ伝送が待たされる時間を少なくし、データ転送に要する時間を短縮することが可能なデータ転送装置、メモリ制御装置、およびメモリシステムを提供する。
【解決手段】データ転送元の第１メモリ装置２００の第１メモリアドレスと、データ転送先の第２メモリ装置の第２メモリアドレスと、転送データに誤りが検出されたか否かを示す誤り信号と、誤り訂正が完了して第２メモリ装置１０６に格納しているデータが有効であるか否かを示す有効信号を記憶する領域を複数含むデータ情報記憶領域１０９と、第２メモリ装置に格納しているデータのうち、データが有効であるメモリのアドレスである第２メモリ有効アドレスを出力し、第２メモリ装置の第２メモリ有効アドレスからデータを読出し、読出したデータと共に、第２メモリ有効アドレスに対応する第１メモリ装置のアドレスを転送する制御部１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】データ記憶の信頼性を容易に高めることができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステムは、揮発性の第１の記憶部を介してホスト装置と不揮発性の第２の記憶部との間のデータ転送を行うコントローラを備えている。前記コントローラは、前記第２の記憶部に記憶されたデータの格納位置を含む管理情報を前記第１および第２の記憶部で更新しながら前記管理情報に基づいてデータ管理を行う。前記コントローラは、最新状態の管理情報と、当該管理情報の前記第２の記憶部での保存位置を示すポインタと、前記ポインタの書込みが成功したか否かを示すログとを、前記ポインタを多重化して前記第２の記憶部に記憶させる。前記コントローラは、起動時に前記ポインタが所望数だけ多重化されていなければ、前記ポインタおよび／または前記ログに基づいて、前記ポインタの多重化をリカバリ処理する。 （もっと読む）