【課題】スミア信号を低減させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は入射した光を光電変換し、得られた信号電荷を、画素を構成する受光部に蓄積する。信号電荷の読み出し時には、転送電極に読み出し電圧が印加され、受光部から電荷転送チャネル領域への信号電荷の読み出しが行なわれる。電荷転送チャネル領域には、転送電極に印加される電圧に応じて、実際に信号電荷が蓄積されるパケットと、信号電荷が蓄積されない空パケットとが形成され、受光部から読み出された信号電荷は、パケットに蓄積される。このとき、固体撮像素子は、電荷転送チャネル領域の空パケットの領域の一部のポテンシャルを浅くし、空パケットに不要電荷が蓄積されにくくなるようにする。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、１画素部で一括して同時に検出した１画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部（３層のＰ型注入領域およびＮ型注入領域）が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層（ＳｉＯ_２膜）をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された３層のＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５と、Ｐ型注入領域４およびＮ型注入領域５上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１と、複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過／遮光制御手段とを有している。 （もっと読む）

【課題】飽和特性を維持しつつ、スミアを抑制することが可能な固体撮像装置及び電子カメラを提供することを目的とする。
【解決手段】行列状に配置され、信号電荷を生成する複数の光電変換部１１０と、複数の光電変換部１１０の各列に対応して設けられ、複数の光電変換部１１０それぞれに対応する転送電極１１１を有し、転送電極１１１に対応する複数の光電変換部１１０から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送部１２０と、垂直転送部１２０より転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１３０とを備え、水平転送部１３０が信号電荷を転送する水平転送期間では、複数の光電変換部１１０の行のうちの一部の行に対応する転送電極１１１に、垂直転送部１２０に印加される電位の中で最も低いローレベルの電位を印加し、複数の光電変換部１１０の行のうちの残部の行に対応する転送電極１１１に、ローレベルより高い電位を印加する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の飽和電荷量がフローティングディフュージョン部の飽和電荷量よりも大きな場合にも光電変換部の信号電荷を有効に利用して飽和特性を向上した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１の垂直転送部３は、１つの光電変換部２で発生した信号電荷を分割して蓄積し、分割された信号電荷を混合すること無く列方向に転送し、第１水平転送部４ａおよび第２水平転送部４ｂは、垂直転送部３で転送された分割された信号電荷を混合すること無く行方向に転送し、第１フローティングディフュージョン部５ａおよび第２フローティングディフュージョン部５ｂは、第１水平転送部４ａおよび第２水平転送部４ｂで転送された分割された信号電荷を独立に信号電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】必要に応じて撮像により得られた信号電荷を高解像度の画像信号としてを出力したり、あるいは撮像により得られた信号電荷を高フレームレートで画像信号として出力することができ、高解像度な静止画像が必要な場合にも、簡易的な動画像が必要な場合にも適応することができる固体撮像装置を実現する。
【解決手段】垂直電荷転送部１０４と水平電荷転送部１０６とを有する固体撮像装置において、該水平電荷転送部１０６を、信号電荷を水平方向に転送する第１、第２の電荷転送部１０６ａ、１０６ｂを有し、該第１の電荷転送部１０６ａから該第２の電荷転送部１０６ｂに信号電荷を転送する際に、水平方向に隣接する複数の同色画素の信号電荷を加算する画素加算モードと、該垂直電荷転送部１０４から転送されてきた信号電荷を該第１および第２の電荷転送部１０６ａおよび１０６ｂにより並列して転送する画素並列読出しモードとを切り替えるようにした。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【構成】ＣＣＤイメージャは、シーンを表す電荷を光電変換によって生成する撮像面を有する。水平転送クロック発生回路５０は、撮像面で生成された電荷をラスタ走査態様でＣＣＤイメージャから読み出すべく、クロック電源４８に基づいて有効画素期間に水平転送クロックを出力する。負荷回路５２は、水平転送クロック発生回路５０と並列してクロック電源４８に接続される。論理回路５４およびインバータ５６は、負荷回路５２によってクロック電源４８に掛かる負荷の大きさを有効画素期間において低減する。
【効果】ＣＣＤイメージャから読み出された電荷に基づく画像の品質の劣化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、動画モード時の出力ライン数を変えることなく、垂直転送部の取り扱い電荷量を増加させ、暗電流や暗時白線等の特性を容易に向上させる。
【解決手段】半導体基板上の撮像領域にて行列状に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する複数の受光部と、複数の受光部の配列における列毎に設けられ、各受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直転送部２２と、垂直転送部２２により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備え、複数の垂直転送部２２は、互いに異なるタイミングで受光部に蓄積された信号電荷を交互に読み出す第１の垂直転送部２３および第２の垂直転送部２４を、受光部の配列における２列毎に交互に配置させ、第１の垂直転送部２３および第２の垂直転送部２４は、受光部の配列における互いに異なる行に位置する受光部の信号電荷を順次読み出す。 （もっと読む）

【課題】小さな垂直シフトレジスタによって垂直ビニング動作を実現する。
【解決手段】垂直シフトレジスタ部４０ａ，４０ｂは、Ｍ本の行選択用配線Ｌ_Ｖ，１〜Ｌ_Ｖ，Ｍのそれぞれに行選択制御信号を出力するＭ個の論理回路ＬＯ_１〜ＬＯ_Ｍと、２本の行選択用配線Ｌ_Ｖ毎に配置されたシフトレジスタ回路４３とを有する。Ｍ個の論理回路ＬＯ_１〜ＬＯ_Ｍは、ビニング制御信号Ｖｂｉｎ_１又はＶｂｉｎ_２と、シフトレジスタ回路４３の出力信号とが共に有意値であるときに、読出用スイッチＳＷ_１を閉じるように行選択制御信号Ｖｓｅｌを出力する。垂直シフトレジスタ部４０ａ，４０ｂは、ビニング制御信号Ｖｂｉｎ_１及びＶｂｉｎ_２が有意値となるタイミングを制御することにより、上記２本の行選択用配線Ｌ_Ｖを逐次選択する通常動作モードと、上記２本の行選択用配線Ｌ_Ｖを同時に選択するビニング動作モードとを実現する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の製造方法において、固体撮像素子における電荷転送電極の間のギャップ部Ｇに絶縁膜を画素特性の劣化を招くことなく形成する。
【解決手段】固体撮像素子１１０の製造方法において、シリコン基板１のウエル領域２上にゲート絶縁膜７を介して導電性膜８を形成する工程と、該導電性膜８を、該光電変換部の拡散領域５に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第１の絶縁膜９を形成した後、有機塗布膜１０を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜８をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、複数の電荷転送電極８を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップＧを開けて配列されるよう形成する工程と、該第２の絶縁膜１２及び１３を、該電荷転送電極間のギャップＧに埋め込まれるよう形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を図る。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。また、単位画素５０における配線層より下層には、フォトダイオード６１の受光部を除く単位画素５０の略全ての表面を遮光する遮光膜７３が形成される。リセットトランジスタ６６による電荷排出時には、遮光膜７３に印加される電圧が第１の電圧とされ、転送ゲート６４による電荷転送時には、遮光膜７３に印加される電圧が前記第１の電圧より高い第２の電圧とされる。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】有効画素部の黒沈みやリニアリティを向上することで画質を向上した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素となる複数のフォトダイオードと、各フォトダイオードから読み出した信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送電極が設けられた有効画素部と前記有効画素部の周囲に設けられ遮光されたオプティカルブラック部と、を備える。オプティカルブラック部は、フォトダイオードに相当する正孔蓄積層とＮ＋型半導体層が形成された不問オプティカルブラック部と、正孔蓄積層が形成され、黒レベルの基準信号を出力するクランプオプティカルブラック部と、を有する。上記クランプオプティカルブラック部の垂直転送電極の幅／読み出し電極の幅が、前記有効画素部や前記不問オプティカルブラック部の各垂直転送電極の幅／各読み出し電極幅より広く形成される。 （もっと読む）

【課題】隣り合う垂直転送レジスタの信号電荷の転送方向が互いに逆向きの構成において、信号電荷の逆方向読み出しを防止し、センサ特性を維持したまま、多チャンネル出力化を実現する。
【解決手段】撮像領域２に配列される複数の受光素子３と、複数の垂直転送レジスタ４と、少なくとも２本の水平転送レジスタ５とを備え、複数の垂直転送レジスタ４は、撮像領域２の一側に設けられる水平転送レジスタ５Ａに信号電荷を転送する第１の垂直転送レジスタ４Ａと、同じく他側に設けられる水平転送レジスタ５Ｂに信号電荷を転送する第２の垂直転送レジスタ４Ｂとを交互に配置させ、各垂直転送レジスタ４は、読み出し電極Ｖ１，Ｖ３と、非読み出し電極Ｖ２と、非読み出し電極Ｖ４とを有し、第１の垂直転送レジスタ４Ａおよび第２の垂直転送レジスタ４Ｂは、非読み出し電極Ｖ２と非読み出し電極Ｖ４とを、垂直転送レジスタ４の列毎に交互に配置させる。 （もっと読む）

【課題】有効画素領域と異なるアスペクト比の高品質な動画像を読み出す。
【解決手段】ＣＣＤ型の固体撮像素子と、有効画素領域で撮像したｍフレーム目の動画像の信号電荷の垂直転送路から水平転送路への転送後半時にｍ＋１フレーム目の動画像の信号電荷を該垂直転送路に読み出し転送して転送後半時にｍフレーム目とｍ＋１フレーム目の動画像を重ね読みし転送するとき、垂直転送路に信号電荷を入れる信号用のパケット１６と空パケット１７とを交互に形成して転送し、固体撮像素子の出力アンプから出力される信号電荷の電荷量に応じた信号を出力アンプから出力される空パケット１７内の電荷量に応じた信号で補正する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、２次元状に配置されたフォトダイオード１と、フォトダイオード１から読み出した信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤとを備えた画素領域２２と、転送チャネル４と、転送電極５および６とを有し、転送電極５および６に異なる電圧を印加することにより垂直ＣＣＤから転送された信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤと、転送電極５および６のいずれか一方と接続され、転送チャネル４の上方に転送チャネル４を覆うように設けられて転送チャネル４を遮光する配線１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 画像からＲＴＳノイズの成分をより精度よく低減できる技術を提供する。
【解決手段】 画像処理装置は、記憶部と、代表値算出部と、判定部と、ノイズ低減部とを備える。記憶部は、撮像素子の各画素でのＲＴＳノイズのノイズレベルを記憶する。代表値算出部は、撮像素子で撮影された画像に対して、注目画素の周囲画素の画素値を用いて代表値を算出する。判定部は、注目画素の画素値と代表値との差と、注目画素に対応する記憶部のＲＴＳノイズのノイズレベルとを用いて、注目画素でＲＴＳノイズの影響があるか否かを判定する。ノイズ低減部は、判定部がＲＴＳノイズの影響があると判定したときに、注目画素の画素値からＲＴＳノイズの成分を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 読み出し範囲を制限した際にイメージセンサのスループットを大きく向上させる。
【解決手段】 撮像装置１００のＡ／Ｄ変換器１５１乃至１５８は、アナログ信号をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器１５１乃至１５８はアナログマルチプレクサ１３１乃至１３８を介してイメージセンサ１０６の列信号線に接続する。四隅のＡ／Ｄ変換器１５１、１５４、１５５、１５８には４枚の矩形半導体基板が接続する。中央部に近いＡ／Ｄ変換器１５２、１５３、１５６、１５７には３枚の矩形半導体基板と接続する。そのため、四隅のＡ／Ｄ変換器に比べて中央部に近いＡ／Ｄ変換器の方が、接続する列信号線の数あるいは接続する画素の数が少ない。 （もっと読む）

【課題】 従来の構成では、光電変換装置の感度の向上とダイナミックレンジの拡大とを両立することが困難であった。
【解決手段】 複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部と、を有し、第１の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化し、第２の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化しないようにする。 （もっと読む）