【課題】イオン液体を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させることを用いるイオンビーム発生装置において、イオン液体は蒸気圧がほとんど無いため、真空中でも揮発せず、真空容器中にイオン液体が蓄積してしまうという課題があり、また、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）用の一次イオンビーム源として応用する場合には、二次イオンの生成量の増大が課題となっており、前記課題を解決できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】不揮発性であるイオン液体とは別に、揮発性を有する別の液体をも、エレクトロスプレー用細管（キャピラリー）に供給し、両成分からなるイオンビームを生成することにより、真空容器中に蓄積するイオン液体の総量を低下させることができ、また、二次イオン生成量も増大できる。 （もっと読む）

【課題】イオン源のイオン種切り替えを容易に行い、用途に合わせて適切なイオン種を用いること。
【解決手段】ガス種毎に、チップの設定温度と、イオン源ガスのガス圧力と、引出電極に印加する引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部３０２と、ガス種を選択し入力する入力部１０６と、入力したガス種に対応する設定温度と、ガス圧力と、引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶部３０２から読み出し、それぞれヒーター１ｂと、ガス制御部１０４と、電圧制御部２７と、観察像の調整部３０３を設定する制御部３０１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで尖ったイリジウムチップを作成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、イリジウムワイヤを針形状にテーパ状にする工程と、酸素雰囲気中で、イリジウム針を加熱する工程とからなる。また、角錐構造を有するイリジウム針を提供し、角錐構造は少数の原子により形成される尖端を有する。 （もっと読む）

【課題】既存のＳＩＭＳ用イオンビーム発生技術においては、イオン種がほぼ３種類（Ｃ_６０^＋、Ａｕ_３^＋、Ｂｉ_３^＋）に限定されているのが現状であり、より大きな分子量を有するイオン種を生成できるイオンビーム源が求められている。また、従来のクラスターイオンビーム発生装置は、プラスの電荷を有する正イオンビームのみを生成するタイプがほとんどであり、負イオンのクラスターイオンビーム源が望まれていた。
【解決手段】本願発明においては、「イオン液体」を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させ、必要なイオンのみをイオン源内部に輸送する構造とした。 （もっと読む）

【課題】
ヘリウムあるいは水素のＧＦＩＳにおいて、その先端に微細な突出部を持つイオンエミッタが重要部品ではあるが、その作製歩留まりの高い作製方法や構造は未だ確立されていない。また、この突起は不測の小さな放電などで破壊されることがあり、エミッタ構造においては簡便な手法で修復ができる観点からのニーズもある。
【解決手段】
ＧＦＩＳ用イオンエミッタにおいて、第１金属の針状基体と該針先端を第２金属で覆う構成とし、かつ、該第２金属はその蒸発電界強度がガスの電界電離イメージングの最適電界強度より高い金属を選択した。 （もっと読む）

【課題】原子内包炭素クラスターを大量合成するためには、高密度の内包原子プラズマ流を生成可能なプラズマ源が必要である。従来、単層で穴のない平板状の熱電極に内包原子蒸気を噴射して、接触電離により内包イオンを生成していた。しかし、イオン化効率が低く、噴射した蒸気の一部の原子しかイオン化せず、十分なイオン電流を取り出すことができなかった。
【解決手段】熱電極を金網など、複数の開口部を有する金属板にした。さらに、複数の熱電極を積層することにより、蒸気が接触する熱電極の表面積が大幅に増加するので、イオン化効率が向上し、大きなイオン電流を取り出すことが可能になった。また、熱電極を細いタングステン線などで構成することにより、熱電極をヒーターで加熱しなくても、熱電極自体に電流を流して発熱させることが可能になり、熱エネルギーの利用効率が向上するという効果もある。 （もっと読む）

【課題】内包フラーレンの製造などに用いられる接触電離方式のプラズマ源は、タングステン製の平坦な円板状加熱金属体にイオン生成対象の金属蒸気を噴射して金属イオンを発生していたが、イオン化確率が小さく、十分なイオン電流がとれないという問題があった。
【解決手段】イオン生成対象の金属蒸気に加熱金属体上で光を照射し金属原子における電子を励起することにした。加熱金属体の材料として、仕事関数の大きいRe、Os、又はIrを用いることにした。さらに、加熱金属体の表面を凹凸状に加工することにより、イオン化確率を高め、大きなイオン電流の取り出しが可能になった。
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