【課題】貴金属からなる微小突起を有するエミッタを大気暴露した後、長期間保管しても装置内で再立上げに時間が掛からないイオン源エミッタを提供することにある。
【解決手段】貴金属層１１は、単結晶金属の基部１０の外周にコーティングされている。微小突起１３は、貴金属層１１と同一貴金属により基部１０の先端に形成される。さらに、追加コーティング層１４は、微少突起１３及び貴金属層１１を覆うように形成されるとともに、貴金属層１１と同一貴金属からなる。 （もっと読む）

【課題】高いデータレート（Ｄａｔｅｎｒａｔｅｎ）と短い分析時間とによる二次イオン形成の高い効率を達成するために、二次イオン質量分析器の操作のための、クラスターイオンに関し改善された生成量を有するイオン源を提供すること。
【解決手段】液体金属層は純粋な金属ビスマスまたは低融点のビスマス含有合金からなり、その際電場の影響下でイオンエミッタ１を用いてビスマスイオン混合ビームを放射可能であり、該ビスマスイオン混合ビームから、それらの質量が単原子の１重または多重に電荷されたビスマスイオンＢｉ_１^Ｐ＋の複数倍となる複数のビスマスイオン種のうちの１種が、フィルタ手段により、質量の純粋なイオンビームとしてろ過可能であり、該イオンビームは１種類のＢｉ_ｎ^Ｐ＋イオンのみから成っており、その際ｎ≧２およびｐ≧１であり、かつｎとｐはそれぞれ自然数であることを特徴とする質量分析器。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの放出電流値の安定性を向上させることの可能な液体金属イオン源、該液体金属イオン源を製造する方法、及び該液体金属イオン源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】
液体金属イオン源１０は、外周面が互いに接する並列に配置された２本の金属ワイヤ１１ａ，１１ｂで形成されたニードル電極１１を備え、ニードル電極１１は、金属ワイヤ１１ａ，１１ｂの位置関係が整合された案内流路および放出端Ｔを備え、案内流路は放出端Ｔまで連なって形成される。案内流路の底に向かって、案内流路の幅はゼロまで小さくなるため、案内流路に液体金属が供給されると、案内流路の底近傍において毛細管現象が発現し、通常のサーフェスフローではなくボリュームフローが発現する。また、放出端Ｔへの液体金属の流れは連続的になり、濡れ性の悪い液体金属を用いても放出端Ｔまで安定に供給され、イオンビーム放出電流値が安定する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】比較的長寿命で、幅広い活性または不活性な組成物が利用できるマイクロメーターサイズのイオンエミッション源を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁中空ニードル（１０）を有するエミッター部材を有するイオンエミッター装置に関し、前記中空ニードルはその先（１３）から突出す電気的に絶縁の突端（１６）を構成する。更に、前記ニードル（１０）は前記突端（１６）の近傍に開口する逃げオリフィス（１４）を構成するキャビティ（１１）を有する。また、本発明は、前記エミッター装置と引き出し電極とを用い、前記引き出し電極へ引き出し電圧をかける工程を有する集束イオンエミッション方法を提供する。更に、前記装置がレギュレータ電極を有する場合は、前記方法は前記レギュレータ電極へレギュレーション電圧をかける工程を有する。
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【課題】液体金属イオン源又は液体合金イオン源のための改良されたエミッタを提供する。
【解決手段】液体金属イオン源のためのエミッタ（１００）が提供され、該エミッタは、ワイヤ（１１０）を備え、該ワイヤは、ほぼ湾曲した部分（１１５）及び表面（１２０）を有し；ワイヤ表面（１２０）の少なくとも一部分（１２５）がほぼ湾曲した部分（１１５）で先細にされてエミッタ先端を形成する。更に、このようなエミッタの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 イオン源から発生するイオンビームで半導体材を処理する際、半導体材内部への不純物混入回避の改良を可能とする。
【解決手段】 イオンビームを発生するエミッタ、特に液体金属合金イオン源（ＬＭＡＩＳ）は、イオン源となる原料として二元合金「ＰrＳi」を含み、その原料には、「Ｓi」イオンと「Ｐr」イオンとのみを含み、半導体材内部へ不純物として混入する材料は含まない。 （もっと読む）