説明

Fターム[5C032AA04]の内容

Fターム[5C032AA04]の下位に属するFターム

製造 (1)

Fターム[5C032AA04]に分類される特許

1 - 12 / 12


【課題】活性金属膜を本体ケース内に設け、この活性金属膜より本体ケース内の真空度合いを検知することが可能となるので、X線センサの本体ケース内の真空維持部材を適切に活性化することができるため、本体ケース内の真空維持部材の寿命を長くすることができる。
【解決手段】真空密封された本体ケースと、この本体ケースのX線入射面の内面と対向して順次設けられたターゲット部、電子源と、を備え、前記本体ケース内には、真空維持部材と、この真空維持部材の活性化手段と、前記本体ケース内の真空度合いを検知する活性金属膜と、この活性金属膜からの真空度合いを判定して前記真空維持部材の活性化手段を制御し、前記真空維持部材を活性化する制御部と、を設けたX線センサ。 (もっと読む)


【課題】
光電変換部と電子源アレイとの位置合わせ精度を改善するとともに、光電変換部と電子源アレイとの間の距離をさらに短縮可能な構造を有する平面型撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
平面型撮像素子は、一方の面に凹部が形成される第1板状部材と、前記第1板状部材の前記凹部と対向して配置される第2板状部材と、前記第1板状部材との間で前記第2板状部材を密封する外囲器と、前記第1板状部材の前記凹部内、又は前記第2板状部材の前記凹部との対向面のいずれか一方に配設される光電変換膜と、前記第1板状部材の前記凹部内、又は前記第2板状部材の前記凹部との対向面のいずれか他方に配設される電子源アレイとを含む。 (もっと読む)


【課題】ゲッターから飛散してくるバリウム分子によって電子放出源が汚染されるのを防止し、高い電子放射能力を維持する電子源装置を提供する。
【解決手段】上部外周器3と基板2で囲まれた第1の領域内に設けられた電子放出源1と、下部外周器4と基板2で囲まれた第2の領域内に設けられたゲッター9とを有し、基板2は、前記第1の領域と前記第2の領域とを連通する貫通孔8を有する電界放出型電子源装置において、貫通孔8を通る第1の領域と第2の領域とを結ぶ直線14と交わらない位置に配置された、第2の領域の内部にゲッターを設ける。 (もっと読む)


【課題】、シールド電極へのビーム電流の流れ込み量を低減することによりターゲットへ照射するビーム電流量を増加させて、信号電荷の読み取り能力を向上した電界放出型電子源装置を提供する。
【解決手段】電子を放出するエミッタが複数設けられた電子源アレイと、前記電子源アレイから放出された電子ビームにより所定の動作を行う光電変換膜と、前記電子源アレイと前記光電変換膜との間に内壁表面が二次電子放射物質の膜で被覆された複数の貫通孔を持つ電極と、を備えた電界放出型電子源装置。 (もっと読む)


【課題】装置内に設けられたアモルファスセンサを劣化させないように、ゲッタ領域を構成した電子装置を提供する。
【解決手段】
底板1はカソード基板4と共に、ゲッタ2が設けられるゲッタ室20を構成しており、アノード基板8は、カソード基板4と共に撮像室30を構成する。撮像室30は、カソード基板4の上面に形成された電子放出源5と、アノード基板8の下面に形成された光電変換膜7とを備えている。光電変換膜7はアモルファスセンサであり、このアモルファスセンサとゲッタ2との間には、赤外線を反射する反射板3が設けられている。反射板3によってゲッタ2から放射される赤外線を反射させる。 (もっと読む)


【課題】真空装置の真空外囲器内を高真空状態に保持する。
【解決手段】真空装置は、気密に封止された真空外囲器2と、真空外囲器内を真空に吸引するために真空外囲器内と連通された排気管60とを備える。排気管は、小内径部60aと、小内径部に対して真空外囲器から遠い側に配置され且つ小内径部より大きな内径を有する大内径部60bとを備える。小内径部と大内径部とが隣接する位置にて、排気管が金属材料62により封止されている。 (もっと読む)


【課題】高解像度化を図る場合においても、入射光量に対応した適切な撮像画像信号を得ることができる撮像装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】入射光と共に電子ビームを受けることにより入射光の光量に対応した撮像画像信号を生成する光電変換手段に向けて電子ビームを放出する複数の電子放出素子各々を所定の駆動周期毎に点順次にて駆動するにあたり、電子放出素子の各々を上記駆動周期よりも所定期間だけ長い期間に亘り駆動する。 (もっと読む)


【課題】高解像度化を図る場合においても、入射光量に対応した適切な撮像画像信号を得ることができる撮像装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】電子ビームを受けることにより入射光の光量に対応したピークレベルを有する画素パルスを含む撮像画像信号を生成する光電変換手段に向けて、電子ビームを放出する電子放出素子各々を所定の駆動周期毎に点順次にて駆動するにあたり、電子放出素子の各々を上記駆動周期よりも所定期間だけ長い期間に亘り駆動する。更に、かかる画素駆動によって得られた中和電流の波形において、各駆動周期内の所定の参照タイミングにおける波高値に基づき、画素駆動の時間的重複を原因として生じる画素間クロストークの度合いを判断し、その結果に基づいて参照タイミング近傍の中和電流の波形を整形する。 (もっと読む)


【課題】PN接合部を有する電界放出型陰極を用いた光導電型撮像装置において、PN接合部に光が当たることによってPN接合部の電気的絶縁性が劣化するのを防止する。
【解決手段】外囲器2内に、電子ビームを放出する電界放出型陰極10と電子ビームが入射する光電変換ターゲット7との間の高真空状態に維持された第1空間61が形成されている。外囲器2を通過した光が電界放出型陰極10のP型半導体からなる陰極ベースとN型半導体からなり、陰極ベースに接合された陰極電極との接合部に入射しないように、外囲器2の少なくとも一部が遮光性の材料300で覆われている。 (もっと読む)


【課題】真空環境の劣化や電子源の汚染を生じさせることなく高密度な結線構造を実現できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】真空容器3と、電子ビームを放出する電子源と、前記電子源に電圧を供給する給電構造4とを備えた電子放出素子であって、前記電子源はシリコン基板21で構成され、給電構造4は真空容器3の外部に配置されている。このことにより、真空容器3内のガス放出による真空度の劣化や電子源の汚染による電子ビーム放出への不具合を防止しつつ、隣接する配線の間隔を小さくした給電構造4を用いることができる。このため、より多くの電子源アレイを高密度に配置することができ、解像度特性の高い撮像素子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電界放出型電子源装置内のガスやイオンの電界放出型電子源アレイに対する影響をなくし、又は少なくした、高信頼性の電界放出型電子源装置を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源装置は、電界放出型電子源アレイ10、ターゲット3、及び補助電極8を収納する真空容器と、真空容器内に配置され、余分なガスを吸収除去するゲッターポンプ80とを備えている。電界放出型電子源アレイ10から放出された電子ビームは補助電極8に形成された複数の貫通孔を通過してターゲット3に到達する。ターゲット3から発生したガスが電界放出型電子源アレイ10を含む空間を通らずにゲッターポンプ80に吸収されるように、電界放出型電子源アレイ10を含む空間52とターゲット3及びゲッターポンプ80を含む空間51とは補助電極8により実質的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】ターゲット基板の支持強度を向上させる。
【解決手段】真空容器内にターゲット基板103が収納されている。電界放出型電子源アレイ100から放出された電子ビームはターゲット基板上のターゲット120に到達する。ターゲット基板はスペーサ105により支持されている。真空容器のターゲット基板に対向する内壁面とターゲット基板との間に配置されたバネ性支持固定部材102はターゲット基板をスペーサに押し付ける方向の付勢力をターゲット基板に印加している。 (もっと読む)


1 - 12 / 12