真空装置及びその製造方法
【課題】真空装置の真空外囲器内を高真空状態に保持する。
【解決手段】真空装置は、気密に封止された真空外囲器２と、真空外囲器内を真空に吸引するために真空外囲器内と連通された排気管６０とを備える。排気管は、小内径部６０ａと、小内径部に対して真空外囲器から遠い側に配置され且つ小内径部より大きな内径を有する大内径部６０ｂとを備える。小内径部と大内径部とが隣接する位置にて、排気管が金属材料６２により封止されている。
【解決手段】真空装置は、気密に封止された真空外囲器２と、真空外囲器内を真空に吸引するために真空外囲器内と連通された排気管６０とを備える。排気管は、小内径部６０ａと、小内径部に対して真空外囲器から遠い側に配置され且つ小内径部より大きな内径を有する大内径部６０ｂとを備える。小内径部と大内径部とが隣接する位置にて、排気管が金属材料６２により封止されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも１つの電極を備えた真空装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも１つの電極と電子放出手段とを配置し、真空外囲器を貫通する導電体を介して真空外囲器外から電極に所定の電圧を印加することで、電子放出手段から放出される電子の量を制御して、所望の動作を行わせる真空装置が知られている。
【０００３】
このような真空装置の動作としては、例えば入力された小さな電気信号を大きな電気信号に変換して出力するいわゆる増幅や、入射した光の明るさに応じた電気信号を出力したり、この逆に、入力された電気信号に応じて発光したりする光電変換などがある。一般に良く知られている陰極線管は、入力された電気信号を光に変換する動作を行う真空装置の代表例である。
【０００４】
上記の真空装置の動作は、電子放出手段（以下「陰極」と称す）から真空外囲器内の空間に放出された電子によって行われる。陰極は電界により、または熱及び電界により電子を放出する。真空外囲器内の空間の真空度が低いと、真空外囲器内のガスの分子が陰極からの電子の放出を邪魔することにより、真空装置が所望の動作を行うことを妨げる場合がある。また、真空外囲器内のガスがイオンとなり、陰極周辺に形成された電界によって陰極に向かって加速され、陰極に衝突し、陰極の電子放出面を破壊してしまう場合もある。従って、真空装置の真空外囲器内の空間は残留ガスが極めて少ない高真空状態に保持されていることが望まれる。
【０００５】
撮像管として動作する真空装置の真空外囲器内の空間を真空にして封止する従来の方法を図６を用いて説明する。
【０００６】
低融点金属４０を介して透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着して真空外囲器２を作成する。次いで、ステム部８に接続された排気管１６０を所定の容積を有するチャンバー７１に接続する。チャンバー７１は真空ポンプ７０に接続されている。真空ポンプ７０を駆動し、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空に吸引（以下「真空引き」という）する。高真空度を得るために、一般的には真空ポンプ７０としては粗引き用のロータリーポンプ（図示せず）と高真空用の拡散ポンプ等（図示せず）とが併用される。
【０００７】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、排気管１６０を封止して真空外囲器２を密封するとともに、排気管１６０をチャンバー７１から切り離す。これを行う方法として、排気管１６０の一部をバーナー１７５（又は電熱器等）で加熱し溶融させて、外界の空気が真空外囲器２内に入らないように切断して、真空外囲器２内を高真空状態に保持したまま排気管１６０を封止するとともにチャンバー７１から分離す方法が知られている（特許文献１，２）。
【０００８】
ところが、この方法は、排気管１６０を加熱し溶融する際に排気管１６０からガスが発生し、このガスが真空外囲器２内に拡散し、真空外囲器２内の真空度を劣化させてしまうという問題がある。
【０００９】
この問題を解決する手段として、真空外囲器内にガスを吸着するガス吸着物質（ゲッター）設けることが一般的に行われている。ゲッターは真空外囲器内が真空引きされる前の大気圧の状態では不活性で、目標とする真空度に達した後、ある温度に加熱することにより活性化され、ガス吸着できる状態となる。即ち、ゲッター２６を真空外囲器２内の適当な空いた空間に予め設けておき、所望の真空度に達した後にゲッター２６を加熱して、真空外囲器２の内壁面に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。この蒸着膜２７が排気管１６０を加熱して封止した際に発生したガスを吸着する。
【００１０】
活性化されたゲッター物質を真空外囲器２の内壁面に蒸着膜２７の形態で形成することにより、ゲッター物質の表面積が拡大するので、真空外囲器２内のガスを効率よく吸着することができる。
【００１１】
ゲッター物質は、ジルコニウム、アルミニウム、バナジウム、鉄及び／又はチタンを含み、例えば、バナジウム、鉄、及びジルコニウムの合金として形成される場合もある。
【特許文献１】特開昭６０−１２７６３５号公報
【特許文献２】実公昭５０−６７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記の従来の真空装置は以下の問題を有していた。一般に真空外囲器２の容積の大小に関わらず、排気管１６０の径は概略同じであるので、排気管１６０を加熱し溶融する際に発生するガスの絶対量も概略同じである。真空外囲器２の容積が小さい場合、真空外囲器２の容積に対するガスの発生量の割合が相対的に大きくなるので、ガス発生による真空外囲器２内の真空度の低下は顕著となる。更に、真空外囲器２の容積が小さい場合、真空外囲器２の内壁面において蒸着膜２７を形成できる面積が制限されるので、蒸着膜２７によるガス吸着量は少なくなる。従って、真空外囲器２の容積が小さいほど、真空外囲器２内を高真空状態に保持することが困難になるという問題がある。真空外囲器２内の真空度が低下すると、陰極からの電子の放出が妨げられたり、イオン衝突により陰極の電子放出面が破壊されたりして、真空装置に所望の動作を行わせることが困難になる。
【００１３】
本発明は、真空外囲器内を高真空状態に保持することができる真空装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の真空管装置は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備える。
【００１５】
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の真空装置の製造方法は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記排気管が金属材料により封止されている真空装置の製造方法であって、前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する真空度まで真空引きした後、真空外囲器に連通された排気管を加熱し溶融させることなく、排気管を封止することができる。従って、排気管を加熱し溶融させることにより排気管からガスが発生して真空外囲器内を高真空に保持することができないという従来の課題を解決することができる。かくして、真空外囲器内を高真空状態に保持することができ、陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがなく、所望する動作を安定して行わせることができる真空装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
上記の本発明の真空装置において、前記排気管の内径は、前記小内径部と前記大内径部との間で階段状に変化していることが好ましい。これにより、階段状の段差を利用して金属材料を塑性変形させることができるので、効率よく且つ確実に排気管を封止することができる。
【００１９】
また、前記金属材料がインジウムからなることが好ましい。インジウムは常温で柔らかく、圧力を加えると容易に塑性変形するので、排気管を効率よく封止することが出来る。
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、撮像管として動作する本発明の実施の形態１に係る真空装置を示した断面図である。
【００２２】
この真空装置は、筒状の外囲器本体４と、外囲器本体４の一方の開口端に例えばインジウム等の封着用低融点金属４０を介して封着された透光性基板３と、外囲器本体４の他方の開口端に溶着されたガラス製のステム部８とからなり、内部空間が高真空状態に保たれた真空外囲器２を備えている。透光性基板３の内面には、透光性導電膜２２及び光電変換膜２３が順に積層されてなる光電変換ターゲット７が形成されている。光電変換ターゲット７は、外部からの入射光１に応じて信号電荷を発生し蓄積する。真空外囲器２内には、光電変換ターゲット７に空間分布的に蓄積された信号電荷を時系列電気信号として読み出すための電子ビーム３０を放出する陰極５と、陰極５から放出された電子ビームを光電変換ターゲット７上にほぼ集束させるための複数の電極群１０とが封入されている。陰極５及び複数の電極群１０はガラス製の一対のサポートロッド１１により一体化され保持されている。陰極５及び複数の電極群１０に所定の電圧を与えるための複数の金属製ステムピン９がステム部８を気密に貫通している。図示しない複数の棒状の金属部材により、陰極５及び複数の電極群１０と複数のステムピン９とが電気的に接続されており、且つ、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０がステムピン９に支持されている。
【００２３】
陰極５から放出された電子ビームを効果的に光電変換ターゲット７に到達させ、且つ真空外囲器４内に存在する迷走電子、余剰電子および残留ガスイオンなどによって陰極５が損傷するのを防ぐためのシールド−グリッド電極２０が、陰極５と透光性基板３との間に、透光性基板３に対して対向し且つ所定の距離を隔てて配置されている。
【００２４】
真空外囲器２内を高真空状態に保持するためのゲッター２６が外囲器本体４の内壁近傍に配置されている。真空外囲器２内を真空引きした状態で、ゲッター２６を加熱して外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。蒸着膜２７は、真空外囲器２内に残留しているガスを吸着し、真空外囲器２内を高真空状態に保持することができる。
【００２５】
透光性基板３としては、公知の基板材料を撮像する光の波長に応じて選択して用いれば良く、例えば可視光撮像の場合ガラス基板が用いられ、紫外光撮像の場合サファイヤや石英ガラスが用いられ、またＸ線撮像の場合にはＢｅ，Ａｌ，Ｔｉ，ＢＮなどが用いられる。
【００２６】
透光性導電膜２２としては、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成された、例えばＳｎＯ2膜やＩＴＯ膜などの金属薄膜を用いることができる。
【００２７】
光電変換膜２３は光を透過しない不透膜であり、従来から一般に知られているＰｂＯ，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｃ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ａｓ，Ｔｅなどからなる半導体材料を真空蒸着法などで形成することができる。
【００２８】
透光性導電膜２２に所定の電圧を供給するためにリードピン２４が透光性基板３を貫通している。リードピン２４は超音波はんだ加工法等により透光性導電膜２２と電気的導通が確保されていると共に真空外囲器２の高真空気密状態を保っている。
【００２９】
陰極５から放出された電子ビーム３０は、所定の電圧が印加された複数の電極群１０によって加速され、複数の電極群１０に形成された電子ビーム通過孔を通って光電変換ターゲット７に向かって進行する。また、複数の電極群１０が互いに対向して配置され、且つこれらに所定の電圧が印加されることで、隣り合う電極間に電子レンズが形成される。この電子レンズが、光電変換ターゲット７上で電子ビーム３０をほぼ集束させる。
【００３０】
外囲器本体４の外側には偏向コイル５０が設けられている。電子ビーム３０は偏向コイル５０によって偏向され、光電変換ターゲット７上を走査する。入射光量に応じて光電変換膜２３の膜中に発生し蓄積された信号電荷は、電子ビーム３０によってリードピン２４を介して時系列的に真空装置外に読み出される。かくして、入射光量の空間的分布に対応した電気信号が得られる。
【００３１】
ステム部８のほぼ中央には、真空装置の製造過程において真空外囲器２内を真空引きするために、真空外囲器２内と連通された排気管６０が設けられている。
【００３２】
排気管６０の内径は一定ではなく、排気管６０は、相対的に小さな内径Ｄｉを有する小内径部６０ａと、Ｄｉよりも大きな内径Ｄｏを有する大内径部６０ｂとを備える。大内径部６０ｂは小内径部６０ａに対して真空外囲器２から遠い側に配置されている。大内径部６０ｂと小内径部６０ａとの間には、内径Ｄｏから内径Ｄｉへと内径が階段状に変化することにより生じた段差部６１が排気管６０の内壁面に形成されている。
【００３３】
大内径部６０ｂと小内径部６０ａとが隣接する位置、即ち段差部６１の近傍にて、排気管６０は例えばインジウム等の低融点金属６２により気密に封止されている。
【００３４】
本実施の形態に係る真空装置の製造方法を図２及び図３を用いて説明する。
【００３５】
図２に示すように、透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着する。ステム部８に接続された排気管６０を所定の容積を有するチャンバー７１に接続する。チャンバー７１は真空ポンプ７０に接続されている。
【００３６】
チャンバー７１は、排気管６０の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属６２を保持した棒状部材７２と、チャンバー７１内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材７２を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構７３とを備えている。低融点金属６２の外径Ｄｍは、排気管６０の大内径部６０ｂの内径Ｄｏよりも小さく、小内径部６０ａの内径Ｄｉよりも大きい。
【００３７】
この状態で真空ポンプ７０を駆動し、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空引きする。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を、例えば高周波誘導加熱等の方法により加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。ゲッター２６を加熱する際にガスが発生するため、蒸着膜２７の形成直後は一時的に真空外囲器２４内の真空度が低下する。従って、蒸着膜２７の形成後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００３８】
蒸着膜２７の形成後に真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、図３に示すように、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。
【００３９】
低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された段差部６１に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管６０の段差部６１周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管６０を気密に封止する。低融点金属６２は非常にやわらかいので、所定の圧力で排気管６０の段差部６１に押し付けられることにより容易に塑性変形して、段差部６１近傍の排気管６０の内壁面に密着する。従って、真空外囲器２内を良好な高真空状態に保持し続けることが可能となる。
【００４０】
その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、排気管６０をチャンバー７１から分離し、機械的手法等により排気管６０を切断する。かくして、図１に示したような内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
【００４１】
（実施の形態２）
図４を用いて本発明の実施の形態２を説明する。実施の形態１と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態１と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
【００４２】
実施の形態１と同様に、排気管６０の内径は一定ではなく、排気管６０は、相対的に小さな内径Ｄｉを有する小内径部６０ａと、Ｄｉよりも大きな内径Ｄｏを有する大内径部６０ｂとを備える。大内径部６０ｂは小内径部６０ａに対して真空外囲器２から遠い側に配置されている。但し、実施の形態１と異なり、大内径部６０ｂと小内径部６０ａとの間には、内径Ｄｏから内径Ｄｉへと内径がなだらかに変化することにより生じた漏斗状部６３が排気管６０の内壁面に形成されている。また、排気管６０を気密に封止する低融点金属６２の排気管６０への挿入前の形状は、排気管６０の漏斗状部６３の形状に沿うようにその挿入方向先端は面取りされている（即ち、略円錐台形状に形成されている）。
【００４３】
本実施の形態２の真空装置の製造方法は、実施の形態１のそれと同様である。即ち、排気管６０をチャンバー７１に接続し、真空ポンプ７０を駆動して、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空引きする。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００４４】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された漏斗状部６３に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管６０の漏斗状部６３周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管６０を気密に封止する。
【００４５】
その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、排気管６０をチャンバー７１から分離し、機械的手法等により排気管６０を切断する。かくして、内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
【００４６】
（実施の形態３）
図５を用いて本発明の実施の形態３を説明する。実施の形態１，２と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態１，２と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
【００４７】
実施の形態１，２に示した真空装置の製造方法では、真空ポンプ７０が接続された所定の容積を有するチャンバー７１に排気管６０を接続して排気管６０の封止を行った。これに対して、本実施の形態３では、真空ポンプ７０に接続されたチャンバー７５内に真空装置全体を収納した状態で排気管６０を封止する。
【００４８】
即ち、透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着する。このようにして得た、排気管６０が未封着の真空装置を、チャンバー７５内に設けられた保持機構８０を用いてチャンバー７５内に保持する。チャンバー７５は、排気管６０の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属６２を保持した棒状部材７２と、チャンバー７５内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材７２を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構７３とを備えている。
【００４９】
この状態で真空ポンプ７０を駆動してチャンバー７５内を真空引きすると、排気管６０を介して真空外囲器２内もチャンバー７５内と同圧に真空引きされる。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００５０】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された段差部６１に当接し、更に上方に突き上げられることにより、実施の形態１と同様に排気管６０を気密に封止することができる。その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、チャンバー７５内の圧力を大気圧に戻して、真空装置をチャンバー７５から取り出す。最後に、機械的手法等により排気管６０を切断することで真空装置を得る。
【００５１】
実施の形態３では、排気管６０の内壁形状及び低融点金属６２が実施の形態１と同様である場合を説明したが、実施の形態２と同様である場合にも本実施の形態３を適用することができる。
【００５２】
上記の実施の形態１〜３では、真空装置が撮像管である場合を説明したが、本発明はこれに限定されず、排気管を備える真空装置であれば、真空装置の動作、用途、形状、大きさなどにかかわらず適用することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。
【００５３】
上記の実施の形態１〜３では、排気管６０を封止する金属材料としてインジウムなどの低融点金属６２を用いた場合を説明したが、本発明ではインジウム以外の低融点金属を用いることもできる。また、インジウムなどに比べて高融点を有する金属材料であっても使用可能である。例えば棒状部材７２で保持された半田を軟化点まで加熱して排気管６０内に挿入して突き上げることにより、上記と同様に排気管６０を気密に封止することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する高真空状態に保持した状態で真空外囲器を気密に封止することができ、真空外囲器内の残留ガスが極めて少なく陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがない。従って、安定して動作する真空装置として広範囲に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る真空装置を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図６】図６は、真空装置の従来の製造方法を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ 入射光
２ 真空外囲器
３ 透光性基板
４ 外囲器本体
５ 陰極
８ ステム部
７ 光電変換ターゲット
９ ステムピン
１０ 複数の電極群
１１ サポートロッド
２０ シールド−グリッド電極
２２ 透光性導電膜
２３ 光電変換膜
２４ リードピン
２６ ゲッター
２７ 蒸着膜
３０ 電子ビーム
４０ 低融点金属
５０ 偏向コイル
６０ 排気管
６１ 段差部
６０ａ 小内径部
６０ｂ 大内径部
６２ 低融点金属（金属材料）
６３ 漏斗状部
７０ 真空ポンプ
７１ チャンバー
７２ 棒状部材
７３ 駆動機構
７５ チャンバー
８０ 保持機構
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも１つの電極を備えた真空装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも１つの電極と電子放出手段とを配置し、真空外囲器を貫通する導電体を介して真空外囲器外から電極に所定の電圧を印加することで、電子放出手段から放出される電子の量を制御して、所望の動作を行わせる真空装置が知られている。
【０００３】
このような真空装置の動作としては、例えば入力された小さな電気信号を大きな電気信号に変換して出力するいわゆる増幅や、入射した光の明るさに応じた電気信号を出力したり、この逆に、入力された電気信号に応じて発光したりする光電変換などがある。一般に良く知られている陰極線管は、入力された電気信号を光に変換する動作を行う真空装置の代表例である。
【０００４】
上記の真空装置の動作は、電子放出手段（以下「陰極」と称す）から真空外囲器内の空間に放出された電子によって行われる。陰極は電界により、または熱及び電界により電子を放出する。真空外囲器内の空間の真空度が低いと、真空外囲器内のガスの分子が陰極からの電子の放出を邪魔することにより、真空装置が所望の動作を行うことを妨げる場合がある。また、真空外囲器内のガスがイオンとなり、陰極周辺に形成された電界によって陰極に向かって加速され、陰極に衝突し、陰極の電子放出面を破壊してしまう場合もある。従って、真空装置の真空外囲器内の空間は残留ガスが極めて少ない高真空状態に保持されていることが望まれる。
【０００５】
撮像管として動作する真空装置の真空外囲器内の空間を真空にして封止する従来の方法を図６を用いて説明する。
【０００６】
低融点金属４０を介して透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着して真空外囲器２を作成する。次いで、ステム部８に接続された排気管１６０を所定の容積を有するチャンバー７１に接続する。チャンバー７１は真空ポンプ７０に接続されている。真空ポンプ７０を駆動し、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空に吸引（以下「真空引き」という）する。高真空度を得るために、一般的には真空ポンプ７０としては粗引き用のロータリーポンプ（図示せず）と高真空用の拡散ポンプ等（図示せず）とが併用される。
【０００７】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、排気管１６０を封止して真空外囲器２を密封するとともに、排気管１６０をチャンバー７１から切り離す。これを行う方法として、排気管１６０の一部をバーナー１７５（又は電熱器等）で加熱し溶融させて、外界の空気が真空外囲器２内に入らないように切断して、真空外囲器２内を高真空状態に保持したまま排気管１６０を封止するとともにチャンバー７１から分離す方法が知られている（特許文献１，２）。
【０００８】
ところが、この方法は、排気管１６０を加熱し溶融する際に排気管１６０からガスが発生し、このガスが真空外囲器２内に拡散し、真空外囲器２内の真空度を劣化させてしまうという問題がある。
【０００９】
この問題を解決する手段として、真空外囲器内にガスを吸着するガス吸着物質（ゲッター）設けることが一般的に行われている。ゲッターは真空外囲器内が真空引きされる前の大気圧の状態では不活性で、目標とする真空度に達した後、ある温度に加熱することにより活性化され、ガス吸着できる状態となる。即ち、ゲッター２６を真空外囲器２内の適当な空いた空間に予め設けておき、所望の真空度に達した後にゲッター２６を加熱して、真空外囲器２の内壁面に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。この蒸着膜２７が排気管１６０を加熱して封止した際に発生したガスを吸着する。
【００１０】
活性化されたゲッター物質を真空外囲器２の内壁面に蒸着膜２７の形態で形成することにより、ゲッター物質の表面積が拡大するので、真空外囲器２内のガスを効率よく吸着することができる。
【００１１】
ゲッター物質は、ジルコニウム、アルミニウム、バナジウム、鉄及び／又はチタンを含み、例えば、バナジウム、鉄、及びジルコニウムの合金として形成される場合もある。
【特許文献１】特開昭６０−１２７６３５号公報
【特許文献２】実公昭５０−６７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記の従来の真空装置は以下の問題を有していた。一般に真空外囲器２の容積の大小に関わらず、排気管１６０の径は概略同じであるので、排気管１６０を加熱し溶融する際に発生するガスの絶対量も概略同じである。真空外囲器２の容積が小さい場合、真空外囲器２の容積に対するガスの発生量の割合が相対的に大きくなるので、ガス発生による真空外囲器２内の真空度の低下は顕著となる。更に、真空外囲器２の容積が小さい場合、真空外囲器２の内壁面において蒸着膜２７を形成できる面積が制限されるので、蒸着膜２７によるガス吸着量は少なくなる。従って、真空外囲器２の容積が小さいほど、真空外囲器２内を高真空状態に保持することが困難になるという問題がある。真空外囲器２内の真空度が低下すると、陰極からの電子の放出が妨げられたり、イオン衝突により陰極の電子放出面が破壊されたりして、真空装置に所望の動作を行わせることが困難になる。
【００１３】
本発明は、真空外囲器内を高真空状態に保持することができる真空装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の真空管装置は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備える。
【００１５】
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の真空装置の製造方法は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記排気管が金属材料により封止されている真空装置の製造方法であって、前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する真空度まで真空引きした後、真空外囲器に連通された排気管を加熱し溶融させることなく、排気管を封止することができる。従って、排気管を加熱し溶融させることにより排気管からガスが発生して真空外囲器内を高真空に保持することができないという従来の課題を解決することができる。かくして、真空外囲器内を高真空状態に保持することができ、陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがなく、所望する動作を安定して行わせることができる真空装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
上記の本発明の真空装置において、前記排気管の内径は、前記小内径部と前記大内径部との間で階段状に変化していることが好ましい。これにより、階段状の段差を利用して金属材料を塑性変形させることができるので、効率よく且つ確実に排気管を封止することができる。
【００１９】
また、前記金属材料がインジウムからなることが好ましい。インジウムは常温で柔らかく、圧力を加えると容易に塑性変形するので、排気管を効率よく封止することが出来る。
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、撮像管として動作する本発明の実施の形態１に係る真空装置を示した断面図である。
【００２２】
この真空装置は、筒状の外囲器本体４と、外囲器本体４の一方の開口端に例えばインジウム等の封着用低融点金属４０を介して封着された透光性基板３と、外囲器本体４の他方の開口端に溶着されたガラス製のステム部８とからなり、内部空間が高真空状態に保たれた真空外囲器２を備えている。透光性基板３の内面には、透光性導電膜２２及び光電変換膜２３が順に積層されてなる光電変換ターゲット７が形成されている。光電変換ターゲット７は、外部からの入射光１に応じて信号電荷を発生し蓄積する。真空外囲器２内には、光電変換ターゲット７に空間分布的に蓄積された信号電荷を時系列電気信号として読み出すための電子ビーム３０を放出する陰極５と、陰極５から放出された電子ビームを光電変換ターゲット７上にほぼ集束させるための複数の電極群１０とが封入されている。陰極５及び複数の電極群１０はガラス製の一対のサポートロッド１１により一体化され保持されている。陰極５及び複数の電極群１０に所定の電圧を与えるための複数の金属製ステムピン９がステム部８を気密に貫通している。図示しない複数の棒状の金属部材により、陰極５及び複数の電極群１０と複数のステムピン９とが電気的に接続されており、且つ、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０がステムピン９に支持されている。
【００２３】
陰極５から放出された電子ビームを効果的に光電変換ターゲット７に到達させ、且つ真空外囲器４内に存在する迷走電子、余剰電子および残留ガスイオンなどによって陰極５が損傷するのを防ぐためのシールド−グリッド電極２０が、陰極５と透光性基板３との間に、透光性基板３に対して対向し且つ所定の距離を隔てて配置されている。
【００２４】
真空外囲器２内を高真空状態に保持するためのゲッター２６が外囲器本体４の内壁近傍に配置されている。真空外囲器２内を真空引きした状態で、ゲッター２６を加熱して外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。蒸着膜２７は、真空外囲器２内に残留しているガスを吸着し、真空外囲器２内を高真空状態に保持することができる。
【００２５】
透光性基板３としては、公知の基板材料を撮像する光の波長に応じて選択して用いれば良く、例えば可視光撮像の場合ガラス基板が用いられ、紫外光撮像の場合サファイヤや石英ガラスが用いられ、またＸ線撮像の場合にはＢｅ，Ａｌ，Ｔｉ，ＢＮなどが用いられる。
【００２６】
透光性導電膜２２としては、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成された、例えばＳｎＯ2膜やＩＴＯ膜などの金属薄膜を用いることができる。
【００２７】
光電変換膜２３は光を透過しない不透膜であり、従来から一般に知られているＰｂＯ，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｃ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ａｓ，Ｔｅなどからなる半導体材料を真空蒸着法などで形成することができる。
【００２８】
透光性導電膜２２に所定の電圧を供給するためにリードピン２４が透光性基板３を貫通している。リードピン２４は超音波はんだ加工法等により透光性導電膜２２と電気的導通が確保されていると共に真空外囲器２の高真空気密状態を保っている。
【００２９】
陰極５から放出された電子ビーム３０は、所定の電圧が印加された複数の電極群１０によって加速され、複数の電極群１０に形成された電子ビーム通過孔を通って光電変換ターゲット７に向かって進行する。また、複数の電極群１０が互いに対向して配置され、且つこれらに所定の電圧が印加されることで、隣り合う電極間に電子レンズが形成される。この電子レンズが、光電変換ターゲット７上で電子ビーム３０をほぼ集束させる。
【００３０】
外囲器本体４の外側には偏向コイル５０が設けられている。電子ビーム３０は偏向コイル５０によって偏向され、光電変換ターゲット７上を走査する。入射光量に応じて光電変換膜２３の膜中に発生し蓄積された信号電荷は、電子ビーム３０によってリードピン２４を介して時系列的に真空装置外に読み出される。かくして、入射光量の空間的分布に対応した電気信号が得られる。
【００３１】
ステム部８のほぼ中央には、真空装置の製造過程において真空外囲器２内を真空引きするために、真空外囲器２内と連通された排気管６０が設けられている。
【００３２】
排気管６０の内径は一定ではなく、排気管６０は、相対的に小さな内径Ｄｉを有する小内径部６０ａと、Ｄｉよりも大きな内径Ｄｏを有する大内径部６０ｂとを備える。大内径部６０ｂは小内径部６０ａに対して真空外囲器２から遠い側に配置されている。大内径部６０ｂと小内径部６０ａとの間には、内径Ｄｏから内径Ｄｉへと内径が階段状に変化することにより生じた段差部６１が排気管６０の内壁面に形成されている。
【００３３】
大内径部６０ｂと小内径部６０ａとが隣接する位置、即ち段差部６１の近傍にて、排気管６０は例えばインジウム等の低融点金属６２により気密に封止されている。
【００３４】
本実施の形態に係る真空装置の製造方法を図２及び図３を用いて説明する。
【００３５】
図２に示すように、透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着する。ステム部８に接続された排気管６０を所定の容積を有するチャンバー７１に接続する。チャンバー７１は真空ポンプ７０に接続されている。
【００３６】
チャンバー７１は、排気管６０の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属６２を保持した棒状部材７２と、チャンバー７１内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材７２を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構７３とを備えている。低融点金属６２の外径Ｄｍは、排気管６０の大内径部６０ｂの内径Ｄｏよりも小さく、小内径部６０ａの内径Ｄｉよりも大きい。
【００３７】
この状態で真空ポンプ７０を駆動し、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空引きする。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を、例えば高周波誘導加熱等の方法により加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。ゲッター２６を加熱する際にガスが発生するため、蒸着膜２７の形成直後は一時的に真空外囲器２４内の真空度が低下する。従って、蒸着膜２７の形成後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００３８】
蒸着膜２７の形成後に真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、図３に示すように、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。
【００３９】
低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された段差部６１に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管６０の段差部６１周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管６０を気密に封止する。低融点金属６２は非常にやわらかいので、所定の圧力で排気管６０の段差部６１に押し付けられることにより容易に塑性変形して、段差部６１近傍の排気管６０の内壁面に密着する。従って、真空外囲器２内を良好な高真空状態に保持し続けることが可能となる。
【００４０】
その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、排気管６０をチャンバー７１から分離し、機械的手法等により排気管６０を切断する。かくして、図１に示したような内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
【００４１】
（実施の形態２）
図４を用いて本発明の実施の形態２を説明する。実施の形態１と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態１と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
【００４２】
実施の形態１と同様に、排気管６０の内径は一定ではなく、排気管６０は、相対的に小さな内径Ｄｉを有する小内径部６０ａと、Ｄｉよりも大きな内径Ｄｏを有する大内径部６０ｂとを備える。大内径部６０ｂは小内径部６０ａに対して真空外囲器２から遠い側に配置されている。但し、実施の形態１と異なり、大内径部６０ｂと小内径部６０ａとの間には、内径Ｄｏから内径Ｄｉへと内径がなだらかに変化することにより生じた漏斗状部６３が排気管６０の内壁面に形成されている。また、排気管６０を気密に封止する低融点金属６２の排気管６０への挿入前の形状は、排気管６０の漏斗状部６３の形状に沿うようにその挿入方向先端は面取りされている（即ち、略円錐台形状に形成されている）。
【００４３】
本実施の形態２の真空装置の製造方法は、実施の形態１のそれと同様である。即ち、排気管６０をチャンバー７１に接続し、真空ポンプ７０を駆動して、チャンバー７１及び真空外囲器２内を真空引きする。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００４４】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された漏斗状部６３に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管６０の漏斗状部６３周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管６０を気密に封止する。
【００４５】
その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、排気管６０をチャンバー７１から分離し、機械的手法等により排気管６０を切断する。かくして、内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
【００４６】
（実施の形態３）
図５を用いて本発明の実施の形態３を説明する。実施の形態１，２と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態１，２と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
【００４７】
実施の形態１，２に示した真空装置の製造方法では、真空ポンプ７０が接続された所定の容積を有するチャンバー７１に排気管６０を接続して排気管６０の封止を行った。これに対して、本実施の形態３では、真空ポンプ７０に接続されたチャンバー７５内に真空装置全体を収納した状態で排気管６０を封止する。
【００４８】
即ち、透光性基板３が封着された外囲器本体４内に、一対のサポートロッド１１により一体化された陰極５及び複数の電極群１０を挿入し、外囲器本体４とステム部８とを溶着する。このようにして得た、排気管６０が未封着の真空装置を、チャンバー７５内に設けられた保持機構８０を用いてチャンバー７５内に保持する。チャンバー７５は、排気管６０の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属６２を保持した棒状部材７２と、チャンバー７５内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材７２を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構７３とを備えている。
【００４９】
この状態で真空ポンプ７０を駆動してチャンバー７５内を真空引きすると、排気管６０を介して真空外囲器２内もチャンバー７５内と同圧に真空引きされる。真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、ゲッター２６を加熱し、外囲器本体４の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜２７を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
【００５０】
真空外囲器２内が目標とする真空度に達した後、駆動機構７３を駆動して棒状部材７２を突き上げて低融点金属６２を排気管６０内に挿入する。低融点金属６２は、排気管６０の内壁面に形成された段差部６１に当接し、更に上方に突き上げられることにより、実施の形態１と同様に排気管６０を気密に封止することができる。その後、排気管６０内に低融点金属６２を残したまま棒状部材７２を排気管６０から抜き取り、チャンバー７５内の圧力を大気圧に戻して、真空装置をチャンバー７５から取り出す。最後に、機械的手法等により排気管６０を切断することで真空装置を得る。
【００５１】
実施の形態３では、排気管６０の内壁形状及び低融点金属６２が実施の形態１と同様である場合を説明したが、実施の形態２と同様である場合にも本実施の形態３を適用することができる。
【００５２】
上記の実施の形態１〜３では、真空装置が撮像管である場合を説明したが、本発明はこれに限定されず、排気管を備える真空装置であれば、真空装置の動作、用途、形状、大きさなどにかかわらず適用することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。
【００５３】
上記の実施の形態１〜３では、排気管６０を封止する金属材料としてインジウムなどの低融点金属６２を用いた場合を説明したが、本発明ではインジウム以外の低融点金属を用いることもできる。また、インジウムなどに比べて高融点を有する金属材料であっても使用可能である。例えば棒状部材７２で保持された半田を軟化点まで加熱して排気管６０内に挿入して突き上げることにより、上記と同様に排気管６０を気密に封止することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する高真空状態に保持した状態で真空外囲器を気密に封止することができ、真空外囲器内の残留ガスが極めて少なく陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがない。従って、安定して動作する真空装置として広範囲に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る真空装置を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３に係る真空装置の製造方法の一工程を示した断面図である。
【図６】図６は、真空装置の従来の製造方法を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ 入射光
２ 真空外囲器
３ 透光性基板
４ 外囲器本体
５ 陰極
８ ステム部
７ 光電変換ターゲット
９ ステムピン
１０ 複数の電極群
１１ サポートロッド
２０ シールド−グリッド電極
２２ 透光性導電膜
２３ 光電変換膜
２４ リードピン
２６ ゲッター
２７ 蒸着膜
３０ 電子ビーム
４０ 低融点金属
５０ 偏向コイル
６０ 排気管
６１ 段差部
６０ａ 小内径部
６０ｂ 大内径部
６２ 低融点金属（金属材料）
６３ 漏斗状部
７０ 真空ポンプ
７１ チャンバー
７２ 棒状部材
７３ 駆動機構
７５ チャンバー
８０ 保持機構
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、
前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記排気管の内径は、前記小内径部と前記大内径部との間で階段状に変化している請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記金属材料がインジウムからなる請求項１又は２に記載の真空装置。
【請求項４】
気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記排気管が金属材料により封止されている真空装置の製造方法であって、
前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、
前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程と
を備えることを特徴とする真空装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属材料がインジウムからなる請求項４に記載の真空装置の製造方法。
【請求項１】
気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、
前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記排気管の内径は、前記小内径部と前記大内径部との間で階段状に変化している請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記金属材料がインジウムからなる請求項１又は２に記載の真空装置。
【請求項４】
気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも１つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記排気管が金属材料により封止されている真空装置の製造方法であって、
前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、
前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程と
を備えることを特徴とする真空装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属材料がインジウムからなる請求項４に記載の真空装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−１５９２７６（Ｐ２００８−１５９２７６Ａ）
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４３２２２（Ｐ２００６−３４３２２２）
【出願日】平成１８年１２月２０日（２００６．１２．２０）
【出願人】（５０３２１７７８３）ＭＴ映像ディスプレイ株式会社 (176)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月２０日（２００６．１２．２０）
【出願人】（５０３２１７７８３）ＭＴ映像ディスプレイ株式会社 (176)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]