【課題】検査対象とする配線区間に含まれる不良箇所から取得される吸収電流の変化がその他の配線区間に対して強調される技術を提供する。
【解決手段】電子線の走査時に２本の探針４から出力される吸収電流を、電子線１の走査に連動させて吸収電流像１３，１５を出力する試料検査装置に、以下の仕組みを採用する。２つの探針４により電気的に接続された試料２側の配線区間のうち不良箇所に電子線が照射された場合、その抵抗値の変化は、正常な配線区間に電子線が照射された場合より大きくなる。この抵抗値の変化を、２つの探針４で特定される配線区間と既知の抵抗値との比率の変化として検出する。この方式により、不良箇所に対応する吸収電流像１５をその他の配線区間の吸収電流像１３に対して識別容易にする。 （もっと読む）

【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】二次電子検出器の二次電子収集効率を電子線走査領域内で均一とする。
【解決手段】収集電極に印加する電圧を、一定の固定電圧に代えて、電子線の走査位置に応じて変化させることによって、二次電子の収集効率が低下する位置での収集効率を高め、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線を放出する電子線源（電子銃部２）と、電子線を偏向して基板上で走査させる偏向電極４と、偏向電極に偏向電圧を印加する偏向電源７と、二次電子を検出する二次電子検出器９と、この二次電子検出器の前段に設けられる収集電極１０と、収集電極１０に収集電極電圧を印加する収集電極電源８とを備える。収集電極電源８は、電子線走査領域２２内において電子線の走査位置に応じて収集電極１０に印加する収集電極電圧を変化させ、これによって、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。 （もっと読む）

【課題】従来構成のアレイ検査装置では検出することができない基板の欠陥についても検出可能とする。
【解決手段】電子線を基板に照射して得られる２次電子をエネルギー選別して検出することにより基板の欠陥を検出するＴＦＴアレイ検査装置において、エネルギー選別を行うエネルギーフィルタと、エネルギーフィルタを通過した２次電子を検出する２次電子検出器とを備え、エネルギーフィルタは少なくとも２枚のグリッドを有し、この各グリッドに異なる電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置に関し、試料を流れる吸収電流を正確に測定することができる荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子ビーム２を試料４上の配線パターン５に照射し、該配線パターン５に所定距離離して２個の探針ａ，ｂを接触させ、該探針に流れる吸収電流７を測定するようにした荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置において、前記探針ａ，ｂに流れる吸収電流を電圧信号に変換する電流／電圧変換器２０と前記配線パターン５の間に所定の値を持つ出力電圧調整用の入力抵抗Ｒ３を挿入するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置に関し、目視で判別不可能であった不良箇所を目視又は自動で特定することができる荷電粒子ビーム装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子ビーム２を試料６に照射及び走査し、試料６から発生する２次電子等の信号を検出して試料の表面或いは内部の情報を得る荷電粒子ビーム装置において、試料６の任意の箇所に接触させ、吸収電流を検出するための少なくとも１つのプローブ８と、該プローブ８により検出された吸収電流を電圧信号に変換する電流／電圧変換器９と、該電流／電圧変換器９の出力と、前記２次電子等の信号とを重畳して表示する表示手段（同期装置）１０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト配線間でショートを引き起こしている不良の半導体基板を迅速かつ簡単に検査する。
【解決手段】隣接するコンタクト配線ＣＷの一方がＰウェル２に接地され、隣接するコンタクト配線ＣＷの他方がＰウェル２から絶縁されるように、交互に繰り返し形成されたコンタクト配線ＣＷを含むＴＥＧを備える半導体基板Ｓから電位コントラスト画像を取得し、得られた画像の明暗の差異により良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 本発明は探針による試料電位分布像の取得方法及び装置に関し、試料の微小電圧変動を捉えることが可能な探針による試料電位分布像の取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料１４のパターン面に接触させる第１の探針と第２の探針とからなる２本の探針１１，１２と、試料１４上を電子ビーム又はイオンビームで走査する走査手段と、試料１４上の任意の位置の電位を前記２本の探針を用いて検出する電位検出手段１８と、該電位検出手段１８の出力と電子ビーム又はイオンビームとを同期させて試料電位分布像を取得する取得手段２１とを有して構成される。 （もっと読む）

プロセス監視のための方法は、エッチングプロセスによる第２の層におけるコンタクト開口の生成に続いて、少なくとも部分的に導電性の第１の層と、該第１の層の上に形成された該第２の層とを有するサンプルを受け取るステップを含んでおり、該コンタクト開口は異なるそれぞれの横方向寸法を有する複数のテスト開口を含む。帯電粒子ビームは該テスト開口を照射するために向けられる。該ビームに応答して、該第１の層を流れる試料電流と、該サンプルの表面から放出された電子の全歩留まりの少なくとも一方が測定されることによって、エッチングインジケータ信号を生成する。該エッチングインジケータ信号は、該エッチングプロセスの特徴を評定するために該テスト開口の該横方向寸法の関数として分析される。 （もっと読む）