【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源１と、集束レンズ電極２と、ブランキング電極３と、走査電極４と、試料９を載置するための試料台１０と、荷電粒子ビーム照射により試料９から発生する二次荷電粒子７を検出する二次荷電粒子検出器８と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ１４と、原料ガスを試料９に供給するガス銃１１と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 観察又は切削加工のいずれの場合においても好適に使用でき、観察の際にはサンプル表面に形成された加工対象物を極力傷つけずに観察できると共に、切削加工の際には所望する領域のみをナノスケールで微細加工する。
【解決手段】サンプル表面Ｓ１に対向配置されたカンチレバー１０と、該カンチレバー１０の先端から互いに向かい合うよう隣接した状態で同じ長さだけ突出するよう設けられ、硬さの異なる材質からそれぞれ形成された加工用針部１１と観察用針部１２とを有する針部１３とを備え、観察用針部１２が、加工用針部１１よりも柔らかい材質により、先端がサンプル表面Ｓ１に平行な平面１２ａを有するように形成されている多機能プローブ２を提供する。 （もっと読む）