【目的】適切なソーキング時間を取得する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、複数のマーク１０が形成された評価基板１０１を配置する描画室１０３と、描画室１０３内で、複数のマーク１０の位置を測定する測定アンプ２１４と、測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部１１４と、前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部１１６と、を備え、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、適切なソーキング時間を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】位置コントローラ７４から出力される偏差情報から、まず回転テーブルユニット３０を構成する回転機構３２の駆動に起因する回転同期振動成分と、スライドユニット３３によって移動ステージが移動されることに起因する振動成分とを除去し、次に、偏差情報と、電子線の電流値（ｎＡ）に対する電子線の偏向感度（ｍＶ／ｎｍ）を示す特性曲線に基づいて走査電極１６に印加する電圧値を決定する。そして、決定された電圧値の電圧を走査電極１６に印加して、電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線の照射位置の変動分が効率的に補正される。 （もっと読む）

本発明は、ターゲット上に荷電粒子ビームを投影するための真空チャンバに配置され、荷電粒子ビームを偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラムと、ターゲットを保持するためのキャリア及び偏向方向とは異なる第１の方向に沿ってキャリアを保持し移動させるためのステージを有するターゲット位置決め装置と、を具備し、このターゲット位置決め装置は、荷電粒子光学カラムに対する第１の方向にステージを移動させるための第１のアクチュエータを有し、キャリアは、ステージに移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置は、第１の相対位置にステージに対してキャリアを保持するための保持手段を有する荷電粒子ビームリソグラフィシステムに関する。
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【課題】試料の高さ補正を高精度に行うことが可能な電子線描画装置を提供すること。
【解決手段】電子線描画装置は、電子線を放出する電子銃と、電子線によりパターンが描画される被描画試料を保持するホルダーと、試料の高さに応じて描画位置を補正する制御部とを有する。制御部は、試料の表面を線形結合により近似する正規直交関数系を、次式で定義される内積を用いてグラム・シュミット法により新たな正規直交関数系に変換し、新たな正規直交関数系の各関数に対して算出した射影を係数とした関数群の線形結合を試料の表面の近似曲面とする。


ここで、Ｆｎ，Ｆｍは正規直交関数系の関数、ｉ、Ｎは整数、（ｘｉ、ｙｉ）は試料表面上を測定するサンプリング位置である。 （もっと読む）

【目的】第１と第２のアパーチャで成形される図形の振り戻し偏向量を取得する。
【構成】成形ビームのオフセット偏向量取得方法は、マークの参照画像と第１の図形の参照画像との第１のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第２の図形の参照画像との第２のコンボリューション参照画像とを作成し、電子ビームでマーク上を走査して、第１と第２の図形の光学画像を取得し、第１のコンボリューション参照画像と第１の図形の光学画像との第１のコンボリューション合成画像と、第２のコンボリューション参照画像と第２の図形の光学画像との第２のコンボリューション合成画像とを作成し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を演算し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第１と第２の図形の基準位置が一致するように第２の図形に成形された電子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させる描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、試料１０１上へ電子ビーム２００を偏向する偏向器２０８と、偏向器２０８よりもＸＹステージ１０５側に配置され、電子ビーム２００を遮へいするＢＬＫアパーチャ２１８と、偏向器２０８よりもステージ側に配置され、偏向器２０８を通過した電子ビーム２００をＢＬＫアパーチャ２１８上へと偏向するＢＬＫ偏向器２１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させることができる。 （もっと読む）

【目的】最適なセトリング時間を迅速に見つけるための検査方法を提供することを目的とする。
【構成】偏向アンプのセトリング時間検査方法は、セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により電子ビームを偏向させて、第１と第２の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる２種のパターンを複数回交互にショットする工程と、ショットされたビーム電流を測定する工程と、測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、最適なセトリング時間を迅速に見つけることができる。 （もっと読む）

【課題】 高精度で基板ずれを検出し、基板ずれの原因となる装置の劣化の程度を把握することが可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 ステージの加速条件を設定し、テスト用基板のマークをスキャンまたはテスト用基板に描画し、スキャン結果と基準となる座標の差分の累積度数データまたは描画の再現性が、予め記憶されている累積度数データまたは再現性の指標データよりも悪ければ、基板ずれが生じている判断することが可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
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【課題】化学増幅型レジストを用いて微細パターンを形成する場合にも適用可能なビーム照射位置誤差の検出方法を提供する。
【解決手段】複数の矩形パターンＰ１がＹ方向に連続することにより構成されるラインパターンＬ１を少なくとも２つ形成し、複数の三角形パターンＰ２，Ｐ４がＹ方向に連続することにより構成されるラインパターンＬ２，Ｌ４を形成する。三角形パターンＰ２，Ｐ４の描画は、予め設定された振り戻し量をそれぞれ考慮して行われる。ラインパターンＬ１間の寸法ＣＤ１ｘと、ラインパターンＬ１，Ｌ２間の寸法ＣＤ２ｘと、ラインパターンＬ１，Ｌ４間の寸法ＣＤ４ｘとを寸法測定器によって測定する。ＣＤ１ｘとＣＤ２ｘの差分、ＣＤ１ｘとＣＤ４ｘの差分が、Ｘ方向の振り戻し量の誤差として求められる。 （もっと読む）

【課題】 ステージがZ方向に移動することによって変動するXY方向の描画位置の誤差を簡易、低コストで補正することが可能な電子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 ＸＹＺ方向に駆動可能なステージと、前記ステージの位置データを検出するＸＹ方向測定手段と、マスク表面高さを計測可能なZ方向測定手段と、ＸＹ方向測定手段により定義される描画の座標系を別の基準座標系に合せるための変換係数、あるいは差分を示す数値データを予めパラメータとして記憶し、描画時に変換係数あるいは差分を示す数値データに従って描画の座標系を補正するために、このパラメータを使用して、電子ビーム偏向量の補正値を算出する補正値算出手段とを有する電子ビーム描画装置であって、この補正値算出手段は、前記ステージをＺ方向に駆動させた場合に、ステージ高さに応じて、前記パラメータを変更し前記補正値を算出する電子ビーム描画装置を提供する。
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【課題】ＣＤ線形性を補正できる可変成形ビームを利用した露光方法を提供する。
【解決手段】回路パターンの設計ＣＤに対するＣＤ線形性を補正し、工程上で発生するＣＤ散布及びＭＴＴ差を最小化できる可変成形ビームを利用した露光方法であって、該可変成形ビームを利用した露光方法は、回路パターンを露光するビームショットの設計サイズが所定値以下であるか所定値以上であるかを判別する。判別の結果、設計サイズが所定値以上である場合、ビームショットのサイズを線形的に補正する。判別の結果、設計ＣＤが所定値以下である場合、ビームショットのサイズを非線形的に補正する。 （もっと読む）

【課題】基板が載置された基板トレイの変位を精度よく計測する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板トレイ４０の側面に、例えば鏡面加工を施すことにより平滑な反射面を形成する。これにより、光源６２からのレーザ光ＬＢ１ｘ，ＬＢ２ｘ，ＬＢ１ｙ，ＬＢ２ｙに対する高い反射率が確保され、精度よくＸＹ面内における基板トレイ４０の位置を計測することが可能となる。また、この計測結果を用いて、電子線を偏向させることにより、位置変動に起因する照射位置のずれ（変動）を抑制し、基板Ｗの表面に精度よくパターンを描画することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大電流の電子ビームを利用する場合でも、ウェハにパターンを精度良く露光する電子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光装置１００は、電子ビームを成形する第１及び第２のブロックパターンを有するマスク３０を備え、第１のブロックパターンで成形され、第１の電流を有する電子ビームが露光すべき第１の露光パターンに対する第１のブロックパターンの倍率は、第２のブロックパターンで成形され、第２の電流を有する電子ビームが露光すべき第２の露光パターンに対する第２のブロックパターンの倍率とは異なる。 （もっと読む）

【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハに対して、マスクとの平行を調整した状態でビームを照射することができるビームの照射方法とビーム照射装置を提供する。
【解決方法】 ステンシルマスク８の半導体ウェーハ４４と対向して配置される面８ｂに、絶縁層６を介してキャパシタ電極２４を少なくとも３個形成し、各キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４との静電容量を、測定手段２８を用いて測定する。静電容量はキャパシタ電極２４の面積と、キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４の距離に依存し、キャパシタ電極２４の面積比が既知である場合、測定手段２８で測定した結果から、キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４の少なくとも３箇所における距離の比を求めることができる。この距離の比を「１」にするように調整手段４０を用いて試料ステージ４２の傾きを調整することで、ステンシルマスク８と半導体ウェーハ４４を平行にすることができる。 （もっと読む）

【課題】精度よく非同期回転振れの量を算出する。
【解決手段】回転テーブル３１の回転角度毎の回転振れ量を変位データとして算出し、この変位データを順次メモリ５２ｅに記憶する。そして、メモリ５２ｅに順次記憶された変位データを値の大きさに基づいて並び替え、この並び替えられた変位データのうち順位が中位の変位データの値を基準値とする。変位データをその大きさに基づいて並び変えることにより、非同期回転振れ量を包含する変位データは、並び替えられた変位データのうち高順位、若しくは低順位となるため、並び替えた変位データのうち順位が中位の変位データの値を基準値とすることで、非同期回転振れの影響をほとんど受けていない基準値を算出することができる。そして、この基準値を用いることで、回転テーブル３１の非同期回転振れ量を精度よく算出することができる。 （もっと読む）

【目的】渦電流によるビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、試料１０１を載置して連続移動するＸＹステージ１０５と、試料上に焦点合わせを行なう対物レンズ２０７と、対物レンズ２０７に起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部１２６と、補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算するオフセット部１２８と、補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように主偏向器２１４を制御する偏向制御回路１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームの進行方向とは異なる方向の軸の回りに回転させた試料表面上の、所望の位置に荷電粒子ビームを収束させて、正確に描画を行う荷電粒子ビーム描画装置、および、それを用いた荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビームを発生・照射する荷電粒子ビーム源部１と、試料表面の高さを、荷電粒ビームの照射位置とは異なる位置で測定する高さセンサ部４と、荷電粒子ビームを試料の表面の高さに収束する収束レンズ部２と、荷電粒子ビームを偏向させる偏向部３と、試料を保持・移動するステージ部５とからなる荷電粒子ビーム描画装置において、ステージ部５は、荷電粒子ビームの進行方向に平行ではない方向を軸として試料を回転させる回転駆動部５Ａと、荷電粒子ビームの透過を検出する透過ビーム検出部５Ｂとを有し、収束レンズ部２は、高さセンサ部４に制御され、偏向部３は、透過ビーム検出部５Ｂに制御される。 （もっと読む）

【課題】 マルチ荷電粒子線装置における接続ずれを高速高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 マルチビームの相対位置を一つのマークによって検出する。そのため、一つのマーク２４と計測対象のビーム２３とをビームの方向と垂直に相対移動させ、ビーム進行方向においてマークの後段に配置した検出器２５により、ビームとマークが交差した位置を検出し、その検出結果よりビームの相対位置を求める。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）