【課題】機械的な誤差、光軸ずれ、光学歪み等に起因する電子ビームによる描画位置のずれを補償し、精度の高い描画を実現可能にする。
【解決手段】回転ステージの直線移動方向と回転ステージの直線移動方向に電子ビームを偏向させる第1の指令器４２からの第１の指令信号DO(Y)によって偏向させたときの実際の電子ビームの偏向方向との角度ずれを補償するために、偏向アンプ４６Ｙからの出力信号の他に、偏向アンプ４６Ｘからその角度ずれに相当する信号を出力し、電子ビームの偏向方向を変える（回転させる）。また、電子ビームによって所望のパターンを構成するエレメントを塗り潰すように電子ビームを走査させる、第1の指令器４２からの第２の指令信号MO(X),MO(Y)を、補償回路５２の変換テーブルによって第２の指令信号MO(X)’,MO(Y)’に変換し、電子ビームの指令位置と実際の走査位置とを一致させる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを高い位置精度で試料の所定の位置に照射して情報を記録することができる電子ビーム記録装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム記録装置１０は、電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録するものであって、電子ビームｂを放射する電子源と、電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器３６と、この磁気検出器による磁界情報から、試料の表面に対する電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部２１と、電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段７８とを有する。さらに、収束位置制御部は、補正量に基づいて、収束位置調整手段に電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させる。 （もっと読む）

【課題】スポットビーム型電子ビーム露光装置及び電子ビーム位置変動抑制方法に関し、各種の外乱に起因する電子ビームの位置変動をリアルタイムに抑制する。
【解決手段】電子源１から放出された広い断面積の電子ビームを一つの描画用電子ビーム３とそれを取り囲む四つの検出用電子ビーム４とに分ける五つの孔を配置したビーム制限絞り２と、四つの検出用電子ビーム４を四極子のレンズと双極子の偏向との重畳電場内に通過させる電場発生機構５と、描画用と検出用の双方電子ビームに作用するコンデンサレンズ６と、描画用電子ビーム３を照射面に集束させる対物レンズ８の主面付近の上下に検出エッジ及び検出器の組み合わせからなる電子ビーム検出機構９をｘ，ｙ方向に計四つ配置し、一方の方向から二つの検出信号を処理する検出信号処理回路１１を各々の方向に備え、各検出信号処理回路１１からの出力により描画用電子ビーム３を偏向させる偏向器７を備える。 （もっと読む）

【課題】 高速に位置合わせ可能な描画システムを提供する。

【解決手段】 位置合わせマークを電子ビームEBの走査範囲に移動させ、位置合わせマークを電子ビームEBで走査し、位置合わせマークからの反射電子を検出することを繰り返す電子ビーム照射機構230、反射電子が検出される毎に電子ビーム照射機構230の動作と並行して反射電子の信号を解析し、位置合わせマークの実測位置を算出する位置算出モジュール23、及び実測位置及び位置合わせマークの設計位置の差に従って、電子ビームEBの描画位置を補正する補正モジュール30を備える。 （もっと読む）

【課題】短時間で照射位置の調整が可能な荷電粒子ビーム描画システムを提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを、複数の図形アパーチャのいずれかを透過するように偏向させる第１、第２偏向器２５ａ、２５ｂ、並びにビーム軸に振り戻すように偏向させる第３、第４偏向器２５ｃ、２５ｄを有する荷電粒子ビーム照射装置９０と、第１〜第４信号比から算出した第１〜第４偏向信号を第１〜第４偏向器に印加する図形選択偏向回路４６と、参照図形アパーチャを透過して照射位置を照射するように第１〜第４参照偏向信号を算出し、調整図形アパーチャを透過させる第１調整偏向信号、参照図形アパーチャを透過させる第２調整偏向信号、調整図形アパーチャを透過して照射位置に偏向させる第３調整偏向信号、並びに、調整図形アパーチャを透過して照射位置に偏向させる第４調整偏向信号から第１〜第４信号比を調整する処理ユニット５４とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンの露光精度および露光速度の向上が図られた荷電ビーム露光装置および荷電ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】荷電ビーム検出用マーク１３１が、その主面をウェーハ４の電子ビーム６が照射される側の主面と等しい高さに配置されてウェーハ４付近に設けられている。マーク１３１は、ウェーハ４の主面上に露光されたパターン３３をビーム６を用いて走査する際に発生する反射電子信号および二次電子信号の少なくとも一方を得るとともに、ビーム６が入射する側の主面上に複数の検出用パターン１３２が二次元的に配列されており、かつ、パターン１３２とは二次電子放出効率が異なる異種の材料１３３でパターン１３２間が埋め込まれてビーム６が入射する側の主面が平坦化されている。 （もっと読む）

【課題】 ショット繋ぎを滑らかにする。
【解決手段】 描画パターンデータを第１フィールド分割し、各フィールドに含まれる描画パターンデータをＸ方向に沿って分割してＸ分割データを得る。描画パターンデータを分割境界線が僅かにシフトされる様に第２フィールド分割し、各フィールドに含まれる描画パターンデータをＹ方向に沿って分割してＹ分割データを得る。Ｘ分割データとＹ分割データをショット分割する際、互いのショット分割ラインが異なる様にショット分割して第１ショット分割データと第２ショット分割データを得、各々のショット分割データに基づいて、感光材料を感光させるドーズ量の１／２のドーズ量で描画を行う。 （もっと読む）

【課題】複数個のコラムを一体化させて製造することができるとともに各コラム間の組み立て精度が向上されている荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置１は、荷電ビーム発生装置３、コンデンサーレンズ４、投影レンズ５、複数個のアパーチャー６、複数個のアパーチャー支持具７、ビーム成形用偏向器８、対物レンズ９、対物偏向器１０、複数個のアライナー１１、および複数個の鏡筒１２を具備する。各アパーチャー支持具７には各鏡筒１２の径よりも大きい第１の開口部１９が形成されている。少なくとも１つの鏡筒１２はその一部を第１の開口部１９の内側に通されて配置されている。 （もっと読む）

【課題】ビームの描画位置のずれを低減する描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、試料１０１が載置されたステージを連続移動させながら荷電粒子ビームを用いて試料に描画する荷電粒子ビーム描画方法において、試料上に渦電流による磁場が生じる場合に、渦電流による磁場が生じる領域４２を描画する際のステージの移動速度を低下させることにより、渦電流による磁場の影響を排除することができるので、ビームの描画位置のずれを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】描画位置決め精度が良く、かつ、スループットの高いマルチビーム型露光装置を提供する。
【解決手段】一次元的に配列された複数の電子線源２から放出された電子線３は、照明レンズ４、５によって、開口付遮蔽板６上に、各々の電子線源２の像を結ぶ。開口付遮蔽板６には、開口６ａが一次元的に、等間隔に配置されており、各電子線源２の像２ａが、この開口６ａの周りに形成されるようになっている。開口６ａを透過した電子線３は、投影光学系に入り、投影レンズ７、８によって、開口６ａの像を、感応基板９のレジスト上に結像する。開口６ａの像の倍率、焦点位置、回転を補正するために、倍率補正レンズ１０、焦点位置補正レンズ１１、回転補正レンズ１２が設けられている。さらに、開口６ａの像の位置を、全体として補正するために、偏向器１３が設けられている。 （もっと読む）

【目的】加速度がかかった状態での試料の位置ずれを低減或いは補正した装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の試料移動機構１７０は、試料１０１を水平方向に加速移動させる試料移動機構であって、水平方向に加速移動する支柱２３２と、支柱２３２上に配置され、略重心高さ位置で支柱２３２に支持された台座２１２と、台座２１２の略重心高さ位置に自己の重心高さ位置が配置されるように台座２１２に接続された、レーザー測長用のレーザーを反射する反射ミラー２１４と、を備えたことを特徴する。本発明によれば、台座２１２と反射ミラー２１４の変形を防止することができるので高精度な試料１０１の位置を測長することができる。 （もっと読む）

粒子ビームリソグラフィーのようなシステムにおいて使用される粒子ビームまたはその他のビームのようなビームの形状補正および位置決め補正を決定するシステムおよび方法である。補正された偏向器電圧を提供する方法は、現在の偏向器電圧値から以前の偏向器電圧値を減算することによって、電圧ステップ値を決定すること、電圧ステップ値と現在の偏向器電圧値のための露光時間とを用いて、複数の補正値を決定すること、現在の偏向器電圧値を用いて、複数の補正値から現在の電圧補正値を選択すること、および、現在の電圧補正値を現在の偏向器電圧値に加算することによって、補正された偏向器電圧値を計算することを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの照射位置が所望位置からずれるという問題を効果的に防止することが可能な電子ビーム描画装置の描画方法を提供する。
【解決手段】載置台に載置される描画対象の電子ビーム照射位置に対応する載置台上の位置に応じて載置台の最大移動速度を規定する工程Ｓ２と、電子ビーム照射位置に対応する載置台上の位置に応じて規定された最大移動速度を越えない速度で載置台を移動させながら、載置台に載置された描画対象に電子ビームを照射して描画を行う工程Ｓ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子ビームのウエハ面への垂直性であるテレセントリック度を高精度に検出して校正する電子ビーム装置およびその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハと平行に設けられ、電子ビームを透過する単結晶から成る基板と、基板を透過した電子ビームを検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づいて電子ビームの基板への入射角度を制御する制御手段と、を有するため、信号強度が高く、Ｓ／Ｎの優れたチャンネリング信号が得られ、電子ビームのウエハ面への垂直性であるテレセントリック度を高精度に検出して校正できる。高精度に電子ビームのテレセントリック度を計測できるため電子ビーム描画の描画精度、特に、ＣＤ精度の優れた描画が可能となり、構成がシンプルであるためステージへの設置が容易となる。デバイス製造方法によれば、電子ビーム描画の描画精度、特に、ＣＤ精度の優れた描画が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子ビーム描画装置において、電子ビームの試料上の照射位置をリアルタイムに検出するようにして、再補正のタイミングや異常の検出を可能とし、信頼性を向上させるとともに、スループットを高める効果を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明は、電子ビームが発生する磁場により起電力を誘起する測定子と、前記測定子が誘起した起電力より前記電子ビームの位置を求める演算装置と、求めた前記電子ビームの位置に基づいて前記電子ビームの偏向を制御する制御装置とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 近接効果とフォギー効果との両者を考慮した高精度の描画パターンの寸法補正を可能とする。
【解決手段】 補正対象となる描画パターンをフォギー効果補正用の粗いメッシュと近接効果補正用の細かいメッシュで分割し、各メッシュに対して描画されるパターンが占める面積の割合を求め、計算対象メッシュに対する補正を全く行わない状態で露光した場合のフォギー効果及び近接効果による蓄積エネルギーを計算し、求められた蓄積エネルギーよりフォギー効果及び近接効果の影響を縮小してフォギー効果及び近接効果の影響が無視できるパターンと寸法が一致するように初回計算により近接効果補正用の細かいメッシュにおける露光量を求め、フォギー効果及び近接効果の影響を固定したままフォギー効果及び近接効果の影響が無視できるパターンと寸法が一致するように再計算を行い、この再計算を所望の寸法精度に達するまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム形成部でのビームアライメントを効率よく行うことを可能にする荷電粒子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】
マルチビーム形成部下流でマルチビームを偏向し、縮小光学系内に設置した絞りＢＡ上を走査した像を観察する。絞りの光学的位置を、最上段投影レンズの後側焦点位置ＢＦからずらすことで、マルチビーム数を反映した像が観察できる。マルチビーム形成部内の角度調整機構および像回転調整機構を操作して所望の数のマルチビーム像になるように調整することで、マルチビーム形成部内のビームアライメントを行う。また、ビームアライメントに伴い変化するマルチビーム形成部からの射出角度は、走査像が視野略中心にくるようにアライナを調整することで、下流の投影光学系内で遮蔽されることなく検出できる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線光学系の収差を分離して測定できるようにし、荷電粒子線光学系の有効領域における収差をバランスよく調整することが可能な収差測定装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線光学系の収差を測定するために、複数の荷電粒子線を互いに異なる入射角で前記荷電粒子線光学系の物体面に入射させる荷電粒子生成手段と、前記複数の荷電粒子線が、前記荷電粒子線光学系の像面上に結像する位置を検出する検出手段とを有し、前記荷電粒子生成手段は、各荷電粒子線に対応した電子光学系を有し、各電子光学系の瞳位置に、対応する荷電粒子線が互いに異なる入射角で前記物体面に入射するような開口絞りを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単に、ウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償することができる露光調整方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓みによる露光位置の光軸方向のずれに起因して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、レチクル面の位置ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルの位置に応じて、対応するテーブル化された補正量に基づいて、投影光学系を調整する。 （もっと読む）