【課題】ディスク媒体に同心円状に形成されたトラックのパターンを、回転ステージの回転同期軸振れの影響を受けることなく、適正に検査できるようにする。
【解決手段】本発明のパターン検査装置１は、レジスト膜への電子ビーム照射によりパターン描画されているとともにパターン描画が周方向への回転動作を利用して行われたディスク媒体４のトラックのパターンを検査するものであって、ディスク媒体４が載せられる回転ステージ１４と、この回転ステージ１４に載せられたディスク媒体４に対して電子ビームを照射する照射光学系２と、この照射光学系２による電子ビームの照射によって回転ステージ１４上のディスク媒体４から発生する電子を検出する電子検出器３とを備え、回転ステージ１４は、ディスク媒体４にパターン描画するときに当該ディスク媒体を回転動作させるために用いた回転ステージと同一の回転ステージで構成されている。 （もっと読む）

【目的】複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置１４２と、複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部１２と、抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部１４と、作成された複数の部分マップを合成する合成部１６と、合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ターゲットに像を、像をターゲットに転送するための複数の荷電粒子小ビームを使用して投影するための、荷電粒子を基本としたリソグラフイシステムであって、このシステムは、荷電粒子源と、コリメータレンズと、アパチャーアレイと、ブランキング手段と、ビーム絞りとを備え、前記複数の荷電粒子小ピームを発生させるための電子光学集合体を有する荷電粒子カラムと、前記ターゲットに前記複数の荷電粒子小ビームを投影させるためのプロジェクターとを具備する。前記プロジェクターは、前記電子光学集合体に対してプロジェクターを移動させるための少なくとも１つのプロジェクターのアクチュエータによりリソグラフイシステム内で移動可能であり、前記プロジェクターのアクチュエータは、前記プロジェクターを機械的に駆動し、移動の少なくとも１自由度をプロジェクターに与え、前記自由度は、システムの光軸を中心とした移動に関連している。 （もっと読む）

【課題】高効率且つ高精度にビーム軸の位置ずれを検出して補正する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビームのビーム軸の位置ずれ補正方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、電子ビームを照射する電子銃２と、電子ビーム１５のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ１４と、ブランキング電極６と、偏向器７と、第１成形アパーチャ１１とを有する。第１成形アパーチャ１１上には、位置ずれ検出電極１３が設けられている。ブランキング電極６と偏向器７を駆動して電子ビーム１５の軌道を制御し、電子ビーム１５を位置ずれ検出電極１３に照射する。位置ずれ検出電極１３を構成する各電極部に流れ込む電流量から電子ビームのビーム軸の位置ずれに関する情報を取得する。この情報は、アライナ１４にフィードバックされて電子ビームのビーム軸が補正される。 （もっと読む）

【課題】高精度な帯電効果補正処理を実行しつつ、処理の所要時間を短縮する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することによりパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度分布算出部10b1b1と、ドーズ量分布算出部10b1b2と、照射量分布算出部10b1b3と、照射量分布とかぶり荷電粒子分布とのコンボリューション計算を実行するかぶり荷電粒子量分布算出部10b1b4と、荷電粒子ビーム10a2bの照射時刻を算出する照射時刻算出部10b1b5と、経過時間を算出する経過時間算出部10b1b6と、帯電量分布算出部10b1b7と、帯電量分布と位置ずれ応答関数とのコンボリューション計算を実行する位置ずれ量マップ算出部10b1b8と、中央演算処理部10b1b9と、算出部10b1b4,10b1b8における演算に用いられ、中央演算処理部10b1b9より高速の高速演算処理部10b1b10とを設けた。 （もっと読む）

【課題】リフォーカス用の静電レンズの電極の配置誤差に起因する収差及び照射位置ずれを補正可能な電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光装置は、電子ビームを放射する電子銃と、電子ビームを試料面上へ結像させる投影レンズと、投影レンズの上方に設置され、電子ビームの焦点を補正する静電多重極電極からなるリフォーカスレンズと、リフォーカスレンズの各電極に対して光軸の回りに回転させて配置した静電多重極電極からなる寄生収差補正用レンズと、電子ビームの断面の面積に応じた電圧を、リフォーカスレンズを構成する電極及び寄生収差補正用レンズを構成する静電多重極電極に印加する制御手段とを備える。寄生収差補正用レンズを構成する多重極電極は、リフォーカスレンズを構成する電極に対し、隣接する２つの当該電極間の角度の１／２だけ光軸の周りに回転させた位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】描画精度を低下させる要因毎の補正係数を効率よく求めて、精度よく描画することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】近接した小パターン１〜４からなる複数のパターン１０ａ〜１０ｄを準備する。ステージを加減速しながら移動させて試料に第１の小パターン１のみをＸ方向に順に描画した後、同様にして第２の小パターン２のみを−Ｘ方向に順に描画する。次に、ステージを等速で移動させながら試料に第３の小パターン３のみをＸ方向に順に描画した後、同様にして第４の小パターン４のみを−Ｘ方向に順に描画する。描画した小パターン１〜４の各位置情報を用いて次式から速度補正係数αと加速度補正係数βを算出する。
Ｐ_１−Ｐ_２＝２αＶ（Ｐ）、（Ｐ_１＋Ｐ_２）−（Ｐ_３＋Ｐ_４）＝２βＡ（Ｐ） （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置を有しない集束イオンビーム装置により断面加工観察を効率よく連続実施が可能な断面加工観察装置の提供。
【解決手段】集束イオンビームによるエッチング加工で試料に断面を形成し、集束イオンビームによる断面観察で断面観察像を取得し、断面を含む領域をエッチング加工して新たな断面を形成し、新たな断面の断面観察像を取得する断面加工観察方法において、試料上のマークと断面を含む領域に集束イオンビームを照射し表面観察像を取得し、表面観察像でマークの位置を認識し、マークの位置を基準にして新たな断面を形成するための集束イオンビームの照射領域を設定して試料断面のエッチング加工を行うことを特徴とする断面加工観察方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】レンズにて球面収差が生じることを防止して、対象物上に荷電粒子線要素を精度よく照射する。
【解決手段】描画装置は、２次元的に配列された複数の出射源から複数の電子ビーム要素をそれぞれ出射する電子ビーム出射部、および、複数の電子ビーム要素を基板上に導く電子光学系を備え、電子光学系は、出射方向に平行な中心軸Ｊ１に対して回転対称のポテンシャルを生成する静電レンズ４１を有する。パターンの描画の際には、中心軸Ｊ１を中心としてリング状に出射される電子ビーム要素群を、リング半径を変更しつつ順次出射させるとともに、リング半径に関わらず電子ビーム要素群が中心軸Ｊ１上の同一の位置を通過するように、静電レンズ４１により電子ビーム要素群に作用する場がリング半径に応じて変更される。これにより、静電レンズ４１にて球面収差が生じることを防止して、基板上に電子ビーム要素を精度よく照射することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストヒーティングによる寸法変動を多重描画で抑制し、それによるスループットの増加を小さくすることのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】所定の多重度で描画したときの試料上での温度分布を予測し、この温度分布に基づいてパターン毎に多重度を決定する。多重度は、描画に必要な荷電粒子ビームの照射量と、各パターンに要求される位置精度とから決定できる。また、パターン毎の多重度は、所定偏向領域内のパターン毎に決定できる。 （もっと読む）

【課題】従来より短時間でビームドリフトを検出することのできるドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】検出器３２は、下地とは反射率の異なる材質からなる基準マークに電子ビーム５４が照射されて発生した反射電子を電流値として検出する。検出器３２からの信号は検出部３３で増幅され、Ａ／Ｄ変換部３４でデジタル変換される。次いで、制御計算機１９で平均化処理された後、描画データ補正部３１で行われるドリフト補正に用いられる。 （もっと読む）

【課題】パターン描画位置を高精度に制御する。
【解決手段】荷電ビーム制御データは、パターンデータに基づいて荷電ビームによる描画シミュレーションを行い、描画領域に設定された各補正点を描画する時点で既に描画が完了している描画完了領域と、まだ描画が行われていない未描画領域とに区分し、描画完了領域に属するパターンデータを使って、各補正点周辺でのフォッギング（fogging）効果による第１の帯電量分布を各補正点ごとに導出し、荷電ビームが照射された位置ではフォッギング効果による帯電量が緩和される効果に基づいて第１の帯電量分布を修正した第２の帯電量分布を各補正点ごとに導出し、第２の帯電量分布に基づいて各補正点におけるパターン位置偏差量を導出し、パターン位置偏差量に基づいてパターン位置の補正パラメータを導出することによって作成される。 （もっと読む）

【課題】荷電ビームのブランキングに伴う偏向誤差を抑制することができ、描画精度の向上をはかる。
【解決手段】試料上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置であって、荷電ビームを発生する荷電ビーム源１１と、荷電ビーム源１１で発生された荷電ビーム１２を試料面１４上に集束するレンズ系２１，２２，２３と、ビームの試料面１４への到達を制御するためのブランキング偏向器４１と、ブランキング偏向器４１へブランキング信号を供給するブランキング偏向制御回路５１と、ブランキング信号の波形、周波数、時比率、ショット時間の少なくとも一つに応じて、ブランキング偏向に伴う偏向誤差を補正するブランキング補正機構とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ブランキングを行う必要をなくすことでビーム電流のロスを無くし、スループットを向上する。
【解決手段】描画パターンが疎である区間Ｒ２は基板周方向の移動速度Ｖsub及びビーム偏向速度Ｖbeamを速くし、密である区間Ｒ１，Ｒ３Ｖsub及びＶbeamを遅くすることで、ブランキング制御部３１によるブランキングをなくす。このとき、描画パターンを径方向に太い大きさで形成したい区間Ｒ６においては、最適速度生成器４７で描画速度Ｖexpを区間Ｒ４，Ｒ５よりも遅く設定し、Ｖexpが略一定の場合よりもＶsubを相対的に遅くすることで、太い描画を実現できる。 （もっと読む）

【課題】サーボ制御により生じる機械振動成分を除去することなく、レーザ干渉計の測定信号に含まれる非線形誤差成分を最大限除去することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】試料が載置されるステージの位置の測定にレーザ干渉計を用いる。レーザ干渉計の測定信号に含まれる非線形誤差成分を除去するフィルタ部のカットオフ周波数を、ステージ移動制御部による制御後のステージ位置を目標位置に近づけるサーボ制御が行われる周期Ｔｓの逆数（１／Ｔｓ）に設定する。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】帯電防止膜が用いられる場合よりも帯電防止膜を塗布・剥離する時間およびコストを削減しつつ、マスク30のレジスト表面30aに照射される荷電粒子ビーム1b1'の描画位置精度を向上させる。
【解決手段】大気圧領域13から真空領域11にマスク30を搬入し、描画室1aのステージ1a1上にマスク30を載置し、荷電粒子銃1b1からの荷電粒子ビーム1b1'によってマスク30のレジスト表面30aにパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置100において、マスク30が真空領域11から大気圧領域13に搬出される前に、マスク30のレジスト表面30aのうち、荷電粒子ビーム1b1'によってパターンが描画された描画済み部分の電荷分布を電荷分布測定手段3b2により測定し、その電荷分布に基づいて荷電粒子ビーム1b1'の描画位置補正量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 コアにコイルを巻いて構成した電磁偏向器により電子ビームを被照射物に照射する際に、所望の位置に正確に電子ビームを照射することが出来る様にする。
【解決手段】
強磁性体をコアに持つ電磁偏向器２のコイルに電流を流すことによって、電子銃５から発生された電子ビームを偏向し、被照射物に照射する様にした電子ビーム照射方法において、前記電磁偏向器２による電子ビームの偏向範囲において、最大偏向させる電流を前記コイルに流す工程と、最小偏向させる電流を前記コイルに流す工程とを、交互に複数回くり返した後に、前記コイルに所望の電流を流す様にした電子ビーム照射方法。 （もっと読む）

【課題】ステージ位置を精度よく測定して、高精度な描画を実現可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザ干渉計４１と第２のレーザ干渉計４２は、それぞれ、光源と、ステージ１０５に取り付けられるミラー１０４と、光源から出射された後にミラー１０４で反射されて戻った光を受光する光学系とを備える。第１のレーザ干渉計４１および第２のレーザ干渉計４２の測定方向は、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でなく、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。 （もっと読む）

【目的】負荷の影響をより少なくしたアンプの異常検出装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアンプの異常検出装置１０は、第１と第２のアナログ信号を互いに同期させて入力し、第１とアナログ信号を増幅して出力するアンプ１２と第２とアナログ信号を増幅して出力するアンプ１４の少なくとも一方の異常を検出する装置であって、アンプ１２の出力と接続されるコンデンサ２０と、アンプ１４の出力と接続されるコンデンサ２２と、コンデンサ２０の応答信号とコンデンサ２２の応答信号とを入力し、コンデンサ２０の応答信号とコンデンサ２２の応答信号とだけの加算値を用いてアンプ１２，１４の少なくとも一方が異常であると判定する判定部と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、負荷の影響を受けていない、或いは影響が実質的に抑制された出力値を用いて、複数のアンプの少なくとも１つが異常であると判定することができる。 （もっと読む）