【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとチャックピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置のチャック機構は、支持盤の半導体ウェーハ２８が載置される面の反対側の面に、回転体の中心と半導体ウェーハの中心を結ぶ線（対称軸４０）に軸対称に起立して設けられた支軸４２と、支軸回りに回動可能かつ一端部が半導体ウェーハの内周側の周縁部より外側へ突出して設けられたリンク部材４４と、リンク部材の一端部から半導体ウェーハの方向に起立して設けられたチャックピン４６と、リンク部材を時計回りに回動させるチャックバネ４８を備えている。リンク部材は、チャックバネによる回動を妨げる方向に回転体の回転に伴う遠心力を働かせるカウンタウェイト５２が着脱可能になっており、カウンタウェイトの重量を異ならせてこの遠心力を調整可能になっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハと裏面ピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置は、回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに放射状に延在された複数のアームに設けられた半導体ウェーハ２８の支持盤３０と、半導体ウェーハの回転体の回転軸から遠い側の周縁部に当接するように設けられたストッパ３６と、半導体ウェーハの回転体の回転軸から近い側の裏面に当接するように設けられた突起状の裏面ピン３８とを含み、支持盤の盤面が回転軸にほぼ直交する方向に向けられた状態で回転される半導体ウェーハにイオンを注入するものである。特に、裏面ピンの半導体ウェーハとの接触部にシリコーンラバー４０を塗布することにより、半導体ウェーハと裏面ピンとの間の潤滑作用を奏して、両者の接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの落下の防止と、ピンマーク発生の抑制とを両立するイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを保持し円周に沿って旋回させる保持手段１０を備え、所定の位置でウェーハＷを保持すると共に、円周の一部と重なる領域でウェーハＷにイオン注入を行うイオン注入装置であって、保持手段１０は、ウェーハＷを回動させて傾斜させると共に、３つ以上の保持ピン２０でウェーハＷを保持し、保持ピン２０は、樹脂材料を形成材料として含み、側面は逆テーパ形状であり、複数の保持ピン２０は、被さり量が相対的に少ない第１保持ピン２０Ａと相対的に多い第２保持ピン２０Ｂとを有し、傾斜したウェーハＷの面方向において該ウェーハＷの中心よりも上側の保持ピン２０は第２保持ピン２０Ｂであり、ウェーハＷにイオンを注入する位置において、第２保持ピン２０Ｂの側面の傾斜角が、ウェーハＷに対するイオンビームＩＢの入射角以下の角度である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入中におけるウェーハの自転の抑制と、ウェーハ内の均一な温度分布とを両立するイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを保持すると共にウェーハＷを円周に沿って旋回させる保持手段を備え、円周の一部と重なる領域に照射されるイオンビームを用いて、ウェーハＷにイオン注入を行うイオン注入装置において、保持手段は、ウェーハＷの周縁に当接して該ウェーハＷを保持する３つ以上の保持ピン２０を有し、保持ピン２０は、少なくともウェーハの周縁との当接部分が熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を形成材料とする第１保持ピン２０Ａと、少なくともウェーハＷの周縁との当接部分がグラファイトを含む形成材料からなる第２保持ピン２０Ｂと、を含み、複数の保持ピン２０のうち、少なくともウェーハＷの回転方向に対して最も後側に位置する保持ピン２０は、第１保持ピン２０Ａであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置におけるウェハの交換位置を制御するための基準位置の設定を正確に効率良く行う位置調整装置を提供する。
【解決手段】回転する円板（２０）の指定位置（２２）を検出する毎に出力される第１パルスと、円板（２０）の回転と連動する回転軸（３０ａ）が１回転する毎に一つ出力される第２パルスと、回転軸（３０ａ）が１回転する毎に複数出力される第３パルスとを取得し、第１パルスと第２パルスとの間隔を第３パルスのパルス数に基づき計測する計測部（２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】ダミーウエハを使用せずにイオン注入可能なイオン注入装置、及びこれを用いてイオン注入されたウエハを低コストで提供する。
【解決手段】ウエハディスク１２の外周部３３には、１７枚のディスクパッド３２が円形状に等間隔で配置されている。各ディスクパッド３２は、保持部３４ａ，３４ｂによって、ディスク本体３１に対して回転自在に保持されている。１バッチの処理枚数にウエハ枚数が満たない場合、ウエハ１８を各ディスクパッド３２に装着させ、さらに、ウエハ１８が装着されないディスクパッド３２を反転させて固定する。その後、ウエハディスク１２を回転及び並進移動させながら、イオンビームをウエハ１８に照射してイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤３４に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板１０にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ１２５と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ１２６と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材１２８とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段１４０，１４１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ等の被照射物に対するビームの入射角について偏差の発生をできるだけ小さくし、さらには、多方向からのビームの照射を能率的に行えるようにする。
【解決手段】 回転ディスク１における回転中心以外の箇所に半導体ウェハ３の保持をなすペデスタル２を取り付け、回転ディスク１の回転にともなって回転するペデスタル２上のウェハ３の移動経路のうち特定の照射位置でウェハ３にビームを照射する照射手段を設けるとともに、上記照射位置での照射の間、ウェハ３の絶対姿勢を一定に保つための手段を付設している。 （もっと読む）

イオンビーム注入装置は、ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、イオンビームと交差するように加工物が配置されて、イオンビームによって加工物の表面にイオンを注入するための真空室、即ち、注入チャンバーとを含む。さらに、イオンビーム注入装置は、注入チャンバーに連結され、加工物24を支持する加工物支持構造体100を含む。加工物支持構造体は、加工物24を支持するための回転可能な受け台204を含む静電チャック202を有する。さらに、加工物支持構造体は、受け台に連結されて回転可能な第１リール262と、第１リールに連結された冷却ラインおよび電気導体等の設備を担持する屈曲性の中空コードとを含む。その結果、受け台が第１方向に回転すると、第１リールの回りに巻き取られる屈曲可能なコードの長さが増加し、また、受け台が第１方向と反対の方向に回転するとき、第１リールの巻き取られる屈曲可能なコードの長さが減少する。
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