【課題】原子力施設や宇宙空間など高い放射線環境下で使用が可能な高い耐放射線性能を有する耐放射線素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】透光性の窓を有する真空容器と、真空容器内の透光性の窓の内側に配設された透明電極アノードと、透明電極アノードよりも内側に設けられ、透光性の窓を介して受光した光から正孔を発生させるｎ型半導体、ｉ型半導体、ｐ型半導体からなる光電変換膜と、真空容器内において、光電変換膜と間隔をおいて配設された電界放出型の冷陰極電子源と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化ガリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化亜鉛で構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画面欠陥を抑制することができる光導電素子及びその製造方法、撮像デバイス及びその製造方法、並びに導電膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、該透光性基板の上に形成された酸化インジウムを主成分とする導電膜２０と、該導電膜上に正孔注入阻止層３１を介して形成された光導電膜３２とを含む光導電素子４０であって、
前記導電膜は、１μｍ×１μｍの領域における算術平均粗さが０．１５ｎｍ以下の平坦度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームが走査され、入射した光の像を内部光電効果に基づいて電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２の光入射側に、直径５０ｎｍ以下のナノ微粒子２１を含む基板１３を配設することにより、そのナノ微粒子２１に光を吸収させ、この吸収させた光に基づいて近接場光を少なくとも光導電膜１２へ滲出させ、この滲出させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて光導電膜１２における内部光電効果の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜と記透明電極との間の膜剥がれを防止し、光電変換膜の周辺部での表面電位の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】電子を放出する電子放出部が形成された第1の基板と前記第1の基板に対向する位置に設けられた第２の基板とを側面外周部を介して封着させた電界放出型撮像装置において、前記第２の基板の前記電子放出部側の表面に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の外周部と前記透明電極との間に電気絶縁層を配置した電界放出型撮像装置。 （もっと読む）

【課題】撮像動作の際に高電圧が印加される際に光電変換膜の周辺部での表面電位の変動を抑制し、安定した画像信号読み出しを可能にする電界放出型電子源撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換膜と透明電極とから成る光電変換部が電子を放出する電子放出部の電子放出側に対向して設けられた電界放出型撮像装置において、前記光電変換部の外周部を形成する前記光電変換膜と前記透明電極との間に電気絶縁層が挟まれて形成されている電界放出型電子源撮像装置。 （もっと読む）

【課題】画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生することにより画像を検出する画像検出器において、高速読取を可能とし、画質の向上を図る。
【解決手段】画像を担持した記録用の電磁波を透過する電極層１２と電極層１２を透過した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層１４とが積層された画像検出部と、画像検出部に向かって電子ビームを放出する、２次元上に配列された多数の電子放出源１７ａと光導電層１４において記録用の電磁波の照射により発生した電荷に応じた誘導電荷が発生する誘導電荷検出電極１８とを有する画像読取部１６とから構成し、画像検出部を電子放出源１７ａから放出された電子ビームで走査することによって画像検出部で発生した電荷を読み出す。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図ることが可能な電界放出型デバイスを提供すること。
【解決手段】１対の基板１Ａ，１Ｂと、複数の電子放出源２と、アノード電極と、駆動手段６と、を備えている、電界放出型デバイスＡ１であって、複数の電子放出源２は、第１電子放出源グループ２Ａおよび第２電子放出源グループ２Ｂを含んでおり、基板１Ｂのうち第１電子放出源グループ２Ａに正対する部分には、光電変換膜がさらに形成されており、駆動手段６は、第１電子放出源グループ２Ａと上記アノード電極との間に電界放出が可能となる電界放出電圧以上の電圧を印加し、かつ第２電放出源グループ２Ｂと上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以下の電圧を印加する待機モードと、複数の電子放出源２と上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以上の電圧を印加する全面駆動モードと、を切り替えて駆動する構成とされており、上記待機モードから上記全面駆動モードへの切り替えは、上記光電変換膜に対する光の入射を検出したことにより行う。 （もっと読む）

【課題】改善された光電イメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明による光電イメージセンサ１０は、バイアスをかけられるスクリーン（バイアススクリーン）及び電子収集体１１と、バイアススクリーン及び電子収集体の第１の側に配置された電子放出感光材料１２と、を備える。容量性電荷蓄積材料１３が、電子放出感光材料に隣接し、バイアススクリーン及び電子収集体から離隔して配置される。ゲーティング及び読出し回路１４が、バイアススクリーン及び電子収集体に、ならびに容量性電荷蓄積材料に結合される。本発明によってもたらされる改善は、圧電式可変カラーフィルタ１５がバイアススクリーン及び電子収集体の第２の側に配置されること、圧電式分離制御回路１６が圧電式可変カラーフィルタに結合され、それにより、色分離を制御すること、および、電子収集体に接続された電流スイッチ１７、である。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングが可能な光電イメージセンサを提供する。
【解決手段】１つの例示的な光電イメージセンサは、リセットＦＥＴによって接地される電子放出プレートに隣接して配置される、バイアスをかけられる導電性フレームを備える。メタライズドプレートが、電子放出プレートから絶縁され（に容量結合され）、電荷分離ＦＥＴによって接地される。光電イメージセンサにおける電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングは次のように実施される。導電性フレームが所定の量だけバイアスされ、電子放出プレートの表面仕事関数を制御し、光電子が電子放出プレートから放出される入射光周波数を設定し、かくして、光電イメージセンサの電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングを提供する。電子シャッタリングは、電荷分離ＦＥＴを用いて、メタライズドプレートをゲーティングすることによって提供される。 （もっと読む）