【課題】一般的な平面液晶パネルを湾曲させて構成する湾曲パネル液晶表示装置であって、光線漏れのない優れた表示品質を有する湾曲パネル液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶パネルのうち観察者側であるＣＦ基板側が観察者に向かって凹型となるように液晶パネル全体を湾曲させ、ＣＦ基板上の各画素の水平方向のピッチを、ＴＦＴ基板上の各画素の水平方向のピッチよりも短くなるように構成するか、または、該ピッチは同一とし、凹型に湾曲したＣＦ基板の水平方向の左右の両端部領域に存在するブラックマトリックスの水平方向の幅を、中央部領域に設置されているブラックマトリックスの水平方向の幅より広くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】例えば、相隣接する画素電極間に生じる横電界を低減する。
【解決手段】液晶装置１の駆動時には、第１部分８５ｐ１の電位及び対向電極２１の電位の差に応じて、液晶層５０の層厚方向に沿って画素電極９ａ１及び画素電極９ａ２間の領域、即ち非開口領域において縦電界Ｅｖが生じる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿って９ａ１及び画素電極９ａ２間に横電界Ｅｈが生じた場合でも、縦電界Ｅｖによって横電界Ｅｈを低減できる。加えて、第２中継層８５は、配向膜１６の直下に配置されているため、ＴＦＴアレイ基板１０上において画素電極９ａ１の下層側に第２中継層８５を形成する場合に比べて、第１中継層８５及び対向電極２１の間隔を狭めることができ、液晶の配向不良を生じさせる横電界Ｅｈの影響をより効果的に減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】干渉縞の影響が少ない、両面表示型の電気光学装置、及びそのような電気光学装
置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】光源と、導光板と、第１の表示パネルと、第２の表示パネルと、を備えた電
気光学装置等であって、導光板は、前記光源に向かって、順次厚さが厚くなる傾斜部を端
部に備え、傾斜部を備えた導光板の面側に、第２の表示パネルを配置するとともに、傾斜
部を備えていない導光板の面側に、第１の表示パネルを配置し、かつ、第２の表示パネル
の表示領域の端部位置が、第１の表示パネルの表示領域の端部位置よりも、光源に近い位
置に配置する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルから入射した光がカバー部材によって減衰する減衰量を少なく抑えつつ、表示パネルの輪郭が視認されないようにすることができ、多重映りを防止することができる表示装置を提案する。
【解決手段】有機ＥＬパネル１には、円偏光板２が貼り付けられている。円偏光板２は、パネル側直線偏光板２１と１／４波長板２２とが貼り合わされた構成である。また、有機ＥＬパネル１との間に空間を空けてカバー部材３が設けられる。カバー部材３は、カバー側直線偏光板４とスモークパネル５とが貼り合わされた構成である。カバー側直線偏光板４における偏光軸の方向と、パネル側直線偏光板２１における偏光軸の方向とが一致するように、カバー部材３は配置される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、相隣接するサンプリングスイッチ間の間隙における光抜けの発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）の周辺の周辺領域に、データ線（６ａ）が延びる第１方向に沿ったソース配線（７１Ｓ）に接続されたソース領域（７４Ｓ）と、第１方向に沿ったドレイン配線（７１Ｄ）に接続されたドレイン領域（７４Ｄ）と、チャネル領域（７４Ｃ）とを有する半導体層（７４）を備えると共に、複数のデータ線に対応して配列された複数のトランジスタ（７１）を含むサンプリング回路（７）を備える。更に、半導体層（７４）よりも上層側に、相隣接するトランジスタ間の間隙領域（Ｄ１）の少なくとも一部に設けられると共に、この相隣接するトランジスタが有する半導体層に少なくとも部分的に重なる間隙遮光膜（２１０）を備える。 （もっと読む）

【課題】表示パネルの光漏れを防止しながらも、開口率減少を最少化して、キックバック電圧によるフリッカー不良が発生しない高輝度の表示パネルを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板と共通電極表示板とを有する表示パネルであって、前記薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されるゲート線と、前記基板上に形成され、前記ゲート線と並行する維持電極線と、前記ゲート線と絶縁されて交差するよう形成されるデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線と接続される複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続される第１小電極と、前記ゲート線を挟んで前記第１小電極の反対側に形成される第２小電極とを含む画素電極とを含み、前記薄膜トランジスタ及び前記ゲート線は、前記第１小電極と前記第２小電極との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】高い光利用効率を実現するとともに、光リークに起因する不具合が防止された、
電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】一対の基板１０，２０間に電気光学層５０が挟持され、複数の画素領域を備
えてなる電気光学装置である。一対の基板１０，２０の、光入射側基板１０における光入
射面の反対側に溝状に設けられ、入射光を画素領域内に反射させるプリズム部４５を有し
、プリズム部４５を構成する溝４４内に、少なくともスイッチング素子３０の半導体層１
ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、光による誤動作を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０）と、この透明基板上に設けられた複数の反射型の画素電極（９ａ）と、透明基板上における画素電極よりも下層側に且つ画素電極と重なるように夫々設けられており、画素電極と電気的に接続された複数のトランジスタ（３０）とを備える。更に、透明基板における画素電極が設けられた面とは反対側の面に設けられており、光を吸収する光吸収体（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０に複数の薄膜が積層され、積層された複数の薄膜の一部によってＴＦＴ３０が形成された液晶装置１００であって、ＴＦＴ３０の半導体層１の少なくとも一部を平面視した状態で覆うよう、ＴＦＴ基板１０に複数の薄膜の一部を構成する遮光性の絶縁膜７が積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、ＴＦＴ基板に、走査
線１１ａとデータ線６ａとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線１１ａとデータ線６ａとの交差領域８０に、ＴＦＴ３０の半導体層１が設けられてお
り、対向基板に、ＴＦＴ３０を遮光する、半導体層１と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のＢＭ２５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、フォトエッチング工程によってブラックマトリックスなしで光漏れが防げる光遮断領域または光遮断層を含む液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、レーザー装置のステージ上に透明基板を配置する段階と；第１ないし第３光透過領域を取り囲む光遮断領域を前記透明基板内に形成するために、前記透明基板に所定のパワーを有するレーザービームを照射する段階と；前記第１ないし第３光透過領域各々に位置する赤色、緑色、青色のサブカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を形成する段階と；前記赤色、緑色、青色のサブカラーフィルタの境界部は、前記光遮断領域に対応することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光リーク電流の発生を防止すると共に、実効的な画素開口率を大きくして表示画像の高品位化、及び高輝度化を実現する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に形成された複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａと、この走査線１１ａとデータ線６ａに電気的に接続されたＴＦＴ３０と、このＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａと、このＴＦＴ３０の上方であって入射光側から少なくとも半導体層１ａ上を覆う反射膜９１とを備え、この反射膜９１の側壁を傾斜角度δの傾斜面９１ａとし、傾斜面９１ａに入射した光を画素開口領域方向へ反射させることで、実効的な画素開口率を大きくする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの配線を絶縁する絶縁膜をトランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さに形成する際、トランジスタ特性を劣化させることなく、形成された絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１層間絶縁膜４１は、高密度プラズマＣＶＤによって、ゲート電極３ａを平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜４１ｈと、ゲート電極３ａの形状に起因して形成された第１の絶縁膜４１ｈの少なくとも側壁部４１ｐを平面視した状態で覆う位置に、第１の絶縁膜４１ｈに設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜４１ｔと、により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数のデータ線６ａ及び複数の走査線１１の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａと該半導体層１ａよりも絶縁膜２を介して上層側に配置されると共にチャネル領域１ａ´に重なるゲート電極３１ａを含むＴＦＴ３０とを備える。絶縁膜２には、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が形成されており、ゲート電極３１ａは、チャネル領域１ａ´に重なる部分から溝８１０内の少なくとも一部に延設された溝内部分３３を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴの下側からの光に対する遮光性能とＴＦＴのスイッチング特性とを改善する。
【解決手段】一対の第１及び第２基板（１、２）間に挟持された液晶（５０）と、第１基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備えた液晶表示パネル（１００ｂ）において、ＴＦＴに対向する位置において第１基板とＴＦＴとの間に高融点金属からなる遮光層（３ｂ）を設け、この遮光層に重ねて多結晶シリコン層（４ｂ）を設ける。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、画素ピッチＤ１で配列された画素電極９ａと、Ｙ方向に沿った第１部分５１０とＸ方向に沿った第２部分５２０とを有し、開口領域９ａａを互いに隔てる遮光部５００と、チャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有するＴＦＴ３０とを備える。更に、第１部分５１０は、Ｙ方向に沿った本線部５１１と、該本線部５１１における画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと重なる部分からＸ方向に沿って両側に延在する延在部５１２とを有し、画素ピッチＤ１は３．０〜１２．０ｕｍであり、本線部の幅Ｗ１ａ及び第２部分の幅Ｗ２は０．５〜１．５ｕｍであり、延在部５１２の長さＬ並びに幅Ｗ３は０．８〜３．５ｕｍである。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、チャネル領域（１ａ´）と、データ線（６ａ）に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）と、画素電極（９ａ）に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）とを有する半導体層を含むトランジスタ（３０）を備える。更に、チャネル領域の一部に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域（２１０）が形成されており、高濃度領域における電位を所定電位に固定する電位固定手段（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、チャネル領域（１ａ´）と、データ線（６ａ）に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）と、画素電極（９ａ）に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）とを有する第１の半導体層を含むトランジスタ（３０）を備える。更に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、チャネル領域の少なくとも一部に接触すると共にデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域（２１０）を有する第２の半導体層（１ａａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に第１の接合領域及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）を含むトランジスタを形成する工程と、半導体層よりも上層側に、層間絶縁膜（４１）を積層する工程と、この層間絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、蓄積容量（７０）と半導体層の画素電極線側ソースドレイン領域とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔すると共に、第２の接合領域に沿った長手状の溝（８１０）を掘る工程とを含む。更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 （もっと読む）