【課題】例えば、複数の液晶パネルを相互に積層してなる液晶装置等の電気光学装置を製造する際に、接着剤によるパネル間の接着力を高める。
【解決手段】第１液晶パネル（１００）の対向基板（１２０）の表面、言い換えれば、対向基板（１２０）の両面のうち液晶層（１５０）に面しない側の面に遅延硬化型の光硬化接着剤を塗布し、未硬化の接着層（３００ａ）を形成する。次に、上側から、例えば、ＵＶ光を未硬化の接着層（３００ａ）に照射することによって、光照射済みの接着層（３００ｂ）を形成する。接着層（３００ｂ）は、ＵＶ光が照射されてから所定の時間が経過すると硬化し始める。 （もっと読む）

【課題】複数の発光パターンによって表示する複数の固定画像は、表示部全体で１つの固定画像を分担する分担画像であった。従って、複数の固定画像は、表示される画像の大きさに相当の差が生じてしまうことになる。この結果、複数の固定画像のそれぞれを、表示部全体に表示することはできなかった。
【解決手段】各画素には、Ｘ，Ｙそれぞれの方向に隣り合う２画素ずつの合計４画素を１つの纏まりとして、互いに共通な１つの陽極が形成されている。そして、表示範囲に表示する２つの固定画像の一方を表示するための陽極１０（図中実線）が形成され、他方を表示するための陽極２０（図中破線）が形成されている。そして、陽極１０と陽極２０は、Ｘ，Ｙのそれぞれの方向において、陽極１０同士、および陽極２０同士が隣り合うことがないように交互に形成されている。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに対する光の入射を防止しながら光電変換素子への光の入射を可能とすることができ、かつ、ＩＴＯ膜を用いる場合でも、ＩＴＯ膜が熱劣化を起こすことのない電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置において、対向基板２０の側とは反対側から入射した光を変調して画像を表示するとともに、かかる光を光電変換素子４０に入射させる。電界効果型トランジスタ３０の下層側には、下地絶縁膜７０を介して平面視で重なる遮光性導電膜２が形成され、かかる遮光性導電膜２は、光電変換素子４０の光電変換用下電極としても機能する。光電変換用上電極８ａはＩＴＯ膜であるが、半導体層１ａへの熱処理が終了した後にＩＴＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】隣接画素からの漏れ光の影響による画素トランジスタの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できるようにする。
【解決手段】ＲＧＢの画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂと、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰｒ，Ｐｇ，Ｐｂとの間の距離が各色で均等になるようなレイアウト構造とする。これにより、Ｂの画素２０Ｂからの漏れ光が照射された際に、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのトランジスタ特性が一様に変動する。その結果、トランジスタ特性の変動の色ごとのばらつきを軽減できる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、省スペースを実現しつつ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層の上層側に形成された遮光性を有する上部容量電極（３００）と、上部容量電極の下層側に容量絶縁膜（７５）を介して形成されており、上部容量電極と蓄積容量（７０）を構築する下部容量電極（７１）とを備える。上部容量電極は、半導体層及び下部容量電極と少なくとも部分的に重なる平面部、及び平面部から半導体層と同じ層又は半導体層より下層側の位置にわたって設けられる側壁部を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＣＯＳを大きな光照射部を有する光変調装置に用いると、光照射部内に画素電極接続部が線状の影として現れてしまい、光の反射が不均一になるという不具合があった。また画素電極接続部の周囲からの光漏れにより画素電極を駆動する駆動素子が誤動作してしまうことがあった。
【解決手段】光照射部を有し、短辺同士が対向するように、２列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示内容の識別性をより一層向上させることが可能な発光表示装置を提供する。
【解決手段】発光表示装置１は、絶縁性基板２１に所定の配線パターンが形成された配線基板２と、この配線基板２に搭載された発光素子３と、表示単位である１個の発光素子３ごとに隔離する貫通孔４１ａが設けられた遮光ケース４と、遮光ケース４の上面に設けられたカバーシート５と、配線基板２の裏面に設けられ、ドットマトリクス状に配置された発光素子３を選択的に点灯させるＩＣドライバとを備えている。この貫通孔４１ａの周壁部４１ｂは、発光素子３側より光出射側の方が狭くなるように形成されていると共に、開口形状が円形に形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少ないマスク数による薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１のレジストマスクを用いて遮光層を形成し、遮光層上に下地膜を形成し、下地膜上に第１の導電膜と、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜と、を順に積層し、第２の導電膜上の第２のレジストマスクを用いて、第２の導電膜、不純物半導体膜、半導体膜、第１の絶縁膜に第１のエッチングを行い、第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第３のレジストマスクを用いて、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成し、第１のレジストマスクと第２のレジストマスクは同一のフォトマスクにより形成することで薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。
【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２の上部に形成された隔壁６と、画素電極２０ａの上部に形成された有機化合物層２０ｂと、有機化合物層２０ｂ及び隔壁６の上部に形成された対向電極２０ｄとを備え、隔壁６には、画素電極２０ａの外周部に沿って溝６ｂが形成されているエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル１０である。 （もっと読む）

【課題】内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造を有するＥＬ表示パネルに、内部散乱光を遮光する構造を採用する。すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、発光素子の下部電極材料で構成されるパターン間の隙間を塞ぐようにレイアウトする。これにより、薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖthの低下を加速させる原因であった内部散乱光のチャネル領域への到達を防ぐ又は到達する光量を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造を有するＥＬ表示パネルに、以下の構造を採用することを提案する。すなわち、薄膜トランジスタの閾値電圧を変動させる特性が最も高い発光色に対応する第１の発光領域同士の間に他の発光色に対応する第２の発光領域がレイアウトされている場合に、当該第２の発光領域を駆動する各画素回路内のサンプリングトランジスタが、自発光領域を挟んで隣接する２つの第１の発光領域の一方の外縁部から他方の外縁部までの長さの１／４以上３／４以下の範囲内にレイアウトされる構造を提案する。 （もっと読む）

【課題】湾曲時の２枚の基板の位置ズレに起因する表示ムラの発生を抑制する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の矩形の画素構造を有するアレイ基板１００と、カラーフィルタ２７及びブラックマトリクス２６を有する対向基板１０１と、両基板１００，１０１間に挟持された液晶層１０２とから構成され、湾曲した表示面を有する液晶表示装置において、湾曲方向に沿って複数の第一信号線１４、第一信号線１４に直交する複数の第二信号線１２，１３が配置されており、カラムスペーサ２３は、ＴＦＴ素子を含む第二信号線１２を覆って形成し、かつ第一信号線１４と第二信号線１２が交差する部位には形成しない。 （もっと読む）

【課題】開口率が低下しても厚みを増加させることなく表面輝度の低下を抑制できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】ガラス基板25上に光を透過させない信号線33を形成する。信号線33と平面視で一部が重なる画素電極35を形成する。信号線33の裏面側に、入射した光L1を乱反射させる凸部37を形成する。信号線33の幅寸法を所定の大きさとして開口率が低下した場合でも、凸部37によって乱反射した光L1を再利用することにより、表面輝度の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、ＴＦＴ基板に、走査
線１１ａとデータ線６ａとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線１１ａとデータ線６ａとの交差領域８０に、ＴＦＴ３０の半導体層１が設けられてお
り、対向基板に、ＴＦＴ３０を遮光する、半導体層１と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のＢＭ２５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】横方向あるいは斜め方向から入射する光を充分に遮光可能な電気光学装置を得る。
【解決手段】基板１０と、基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜７３と、第１の遮光膜７３上に形成された第１の層間絶縁膜４１と、第１の層間絶縁膜４１上に形成されたトランジスタ３０と、トランジスタ３０上に形成された第２の層間絶縁膜４２と、第２の層間絶縁膜４２上に形成された第２の遮光膜７０と、を少なくとも備える電気光学装置であって、トランジスタ３０の半導体層１は、基板１０側から第１の遮光膜７３に覆われるように設けられると共に、基板１０とは反対側から第２の遮光膜７０に覆われるように設けられており、第２の遮光膜７０は、第１の遮光膜７３より幅広に形成されており、第１の層間絶縁膜４１の膜厚が最も薄い部分は、平面視で第１の遮光膜７３の端部と第２の遮光膜７０の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】温度ムラの解消と良好な発光や表示を両立する有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】基板２０Ａと、基板２０Ａ上に配置された有効画素Ｐと、基板２０Ａ上で有
効画素Ｐに隣接して発光可能に配置され、発光動作により発生する熱を隣接する有効画素
Ｐに供給するダミー画素Ｄと、有効画素Ｐとダミー画素Ｄとを含み、基板２０Ａ上に積層
する素子層２０Ｂと、を備え、素子層２０Ｂは、有効画素Ｐからの光射出方向であってダ
ミー画素Ｄと平面的に重なる領域に、ダミー画素Ｄから射出される光を遮る遮光膜４０を
備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画素における光透過率、及びＴＦＴ等の半導体素子に対する遮光性の夫々を高めると共に、蓄積容量の容量値を高める。
【解決手段】第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂは、第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々を覆うように第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々に形成されている。第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射した入射光Ｌ１及びＬ２の夫々を画素７２ｇａ及び７２ｇｂに反射できる。加えて、第１反射膜８１ａ及び８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側からＴＦＴ３０に照射される光を遮光できる。したがって、画素７２ｇの輝度を高めつつ、ＴＦＴ３０に生じる光リーク電流を低減できる。加えて、蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して斜めに形成されているため、容量値を高めることが可能である。 （もっと読む）