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Fターム[5C094AA16]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 光漏れ防止 (263)

Fターム[5C094AA16]に分類される特許

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【課題】例えば、液晶装置における光抜けを低減する。
【解決手段】開口領域(10b)の角部(C1)は、データ線(6)及び走査線(11)が相互に交差する交差領域において、曲線部分に規定されることがない。即ち、開口領域(10b)の角部(C1)は、光が透過可能な開口領域(10b)に入射する光の偏光方向に各々沿った方向に延びる縁(10bx)及び(10by)のみによって規定されている。したがって、液晶装置1によれば、開口領域(10b)を透過する光、或いは透過した光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる偏光方向に偏光されることを低減できるため、液晶装置(1)が黒表示をする際に発生する光抜けを低減することができ、液晶装置1が画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造を有するEL表示パネルに、内部散乱光を遮光する構造を採用する。すなわち、画素回路を構成するサンプリングトランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、サンプリングトランジスタのチャネル領域を塞ぐようにレイアウトする。 (もっと読む)


【課題】副画素を形成するトランジスタのチャネルにエネルギーの強い光が入射することによって発生するトランジスタの特性シフトを抑える。
【解決手段】B画素20Bに隣接する例えばG画素20Gについて、B画素20Bとの間に、書込みトランジスタ23のチャネル幅よりも大きい幅の遮光体303Gを設けることで、B画素20Bで発光された青色光が画素20R,20Gに入射するのを阻止(遮光)し、書込みトランジスタ23のチャネルへの青色光の照射の影響による特性シフトを抑えるようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、例えば有機EL素子等の自発光素子を使用したアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、従来に比して筺体設計の制約を低減し、画質の劣化を防止する。
【解決手段】本発明は、画像表示用の自発光素子6とは逆側に、輝度調整に使用するモニタ用の自発光素子26Dからモニタ用光L1Dを出射する。 (もっと読む)


【課題】反射型液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、単結晶シリコンからなる素子基板10と、素子基板上に設けられた複数の反射型の画素電極9と、画素電極毎に設けられており、素子基板上に絶縁膜12を介して配置されると共に多結晶シリコンからなる第1半導体層1aを有する第1トランジスタ30とを備え、これにより、チャネル領域に蓄積されるキャリアのライフタイムを短くすることができる。特に光の照射によって生じ易い、キャリアのライフタイムが長いことに起因するオフリーク電流の発生を低減或いは防止できる。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの光漏洩電流の防止、不良薄膜トランジスタの修理の容易化、外光による周辺領域の光漏れとカラーフィルタの間の光漏れの防止、及び安定したパターン形成工程。
【解決手段】基板、基板上に位置し、薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層、薄膜トランジスタ層上に位置する複数のカラーフィルタ230、薄膜トランジスタ層上に位置し、薄膜トランジスタと重畳する部分を有する第1着色部材220、第1着色部材上に位置し、第1着色部材とは異なる光学密度を有する第2着色部材240を含む薄膜トランジスタ表示板。第2着色部材は、複数のカラーフィルタのうちの少なくとも一つと重畳する第1部分を含み、第1着色部材は前記第1部分と重畳する第2部分を含む。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において各画素でトランジスタの光リーク電流を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)と、画素電極(9a)と、半導体層(1a)及びゲート電極(3a)を含むトランジスタ(30)と、半導体層に第1層間絶縁膜(41)を介して配置され、半導体層に少なくとも部分的に重なるように形成された第1遮光膜(6a)とを備え、基板の表面には、基板における半導体層が形成された領域の少なくとも一部が、半導体層側に向かって局所的に突出する凸部(110)が形成されており、第1遮光膜は、第1層間絶縁膜における凸部に基づく段差形状に沿って、半導体層の上面及び側面の少なくとも一部を、基板とは反対側から覆うように形成される。 (もっと読む)


【課題】例えば、液晶装置において、画素ピッチの微細化に対する要請に応じつつ、当該微細化によって得られるべき表示性能の向上を十分に享受可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン領域(1d)の夫々の幅(W1)は、幅方向に沿って、チャネル領域(1c)の幅(W3)より細い。加えて、ドレイン領域(1d)の夫々の厚み(T1)は、チャネル領域(1c)の厚み(T3)より薄い。したがって、TFT(30)のドレイン領域(1d)の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るTFTのドレイン領域の表面の面積より小さい。よって、TFT(30)によれば、ゲート電極(3a2)で遮光されないドレイン領域(1d)の夫々の表面積を低減することができ、TFT(30)の上側から3次元的に照射される光のうちドレイン領域(1d)が受ける光量を低減することが可能であり、光リーク電流を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において迷光を少なくすることにより高品質な表示を行う。
【解決手段】対向基板20上において画像表示領域10aの周縁に額縁状に形成された第1の遮光膜53と、防塵用基板122上に第1の遮光膜53に対応して形成された第2の遮光膜55とを有する液晶パネル100と、液晶パネル100を収容する実装ケース600とを備えており、実装ケース600において光入射側の表面部分が少なくとも部分的に第1の遮光膜53及び第2の遮光膜55よりも光の反射率の低い材料により形成される。 (もっと読む)


【課題】左右で対をなす縦セグメントに左右それぞれから光を当てて発光させる表示器において、「1」が「11」になるのを防止すること。
【解決手段】縦長セグメント4Rを左側に通り抜けた漏出光は表V谷溝21Rと裏V谷溝22Rとの何れかに入射する。表V谷溝21Rに入射した漏出光の多くは第1のり面21aによって背面側に反射され(矢印W1)、第1のり面21aから出て第2のり面21bに入射しても、第2のり面21bによって前面側に反射される(矢印W2)。裏V谷溝22Rに入射した漏出光の多くは第1のり面22aによって前面側に反射され(矢印W3)、第1のり面22aから出て第2のり面22bに入射しても、第2のり面22bによって背面側に反射される(矢印W4)。漏出光のほとんどが背後側又は前面側に放出されるので、漏出光が縦長セグメント4Lに入射して縦長セグメント4Lを発光させるのは防止される。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、光リーク電流の抑制により高画質化を図ると共に、高精細化に対応する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、画素領域に配列された各画素の開口領域の中央寄りに位置する一の領域における膜厚が、一の領域の周辺に位置する他の領域における膜厚より小さくなるように形成され、一の領域及び他の領域間に介在する境界領域において、斜めに傾いた傾斜面(16a)を表面に有する絶縁膜(16)と、絶縁膜より上層側に前記各画素に配置され、絶縁膜のうち少なくとも傾斜面に重なる領域を含むように夫々形成された複数の画素電極(9)とを備える。 (もっと読む)


【課題】 シール材と重ねられて配置されるブラックマトリックス(遮光膜)において、基板側からの剥離の解消を図るとともに遮光の信頼性をも図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】 液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記液晶の広がり方向に複数の画素の集合から形成される画像表示部と、
前記第1基板および前記第2基板の間に前記画像表示部を囲んで形成され前記液晶を封止するシール材と、
前記第2基板の前記液晶側の面に、前記画像表示部から延在され前記シール材に重なる部分を有して形成され、前記画像表示部において少なくとも前記画素の領域に開口が形成された遮光膜と、を備える液晶表示装置であって、
前記シール材と重なりを有する部分の前記遮光膜は、前記シール材側の面において、前記シール材の周方向に沿って連続的にあるいは断続的に、前記遮光膜の厚さに至ることのない深さを有する凹陥部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】柱状スペーサが画素領域側に侵入することを防ぎ、光漏れを防ぐことで表示不良を防止しうる、高開口率の構造を提供する。
【解決手段】FFS方式の液晶表示装置1であって、一方の基板10に、データ線と走査線とスイッチング素子5とを少なくとも覆う平坦化膜18と、平坦化膜18上に形成された第1電極31と、第1電極31を覆う絶縁膜33と、絶縁膜33上に形成され、第1電極31との間に生じる電界によって液晶層50を構成する液晶分子を駆動する第2電極32と、が設けられ、一対の基板10,20のうちの他方の基板20には、データ線、走査線、スイッチング素子5の少なくともいずれか一つと平面的に重なる位置に、一対の基板10,20間の間隔を保持する柱状スペーサ40が設けられ、一方の基板10の表面に、平坦化膜18を窪ませて形成された凹部41が設けられ、柱状スペーサ40の一部が凹部41の内部に収容されている。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、高開口率・高コントラスト化を達成することにより、より明るいなどの高い品質を備えた画像を表示可能とする。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板上に、TFT(30)、走査線(3a)及びデータ線(6a)、並びに蓄積容量(70)及びシールド層(400)等が積層構造の一部を構成しつつ備えられている。そして、本発明では、これら各種構成要素が、画素電極(9a)の形成領域と相補関係にある遮光領域に形成されている。これにより、画素開口率は高まる。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、サイズの縮小化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板(10)上に形成されており、チャネル領域(30a2)及びソースドレイン領域(30a1、30a3)を有する半導体層と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極(30b)とを備える。基板は、薄膜トランジスタに電気的に接続された配線等のうち少なくとも一つが形成される主表面(12´´)、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面(12´)を有し、半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、傾斜面に形成されている。 (もっと読む)


【課題】過度な荷重が掛かっても塑性変形せずしかも柱状スペーサの滑りによる光漏れ及
び配向乱れを抑制できるようにした液晶パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶パネルで使用する柱状スペーサ20Aは、所定の高さ及び太さ
の柱状体からなる柱状部20aと、この柱状部20aの頂部から立設された柱状部より細
い所定高さの首部20bとを有し、柱状部20aと首部20bとの境界部分に肩段部20
sを形成するとともに首部20bの頂部に小突起20cが設けられている。本発明の液晶
パネルは、この柱状スペーサ20Aの柱状部20aの基部を一方の基板14に固定し、首
部20bの小突起20cを他の基板2の配向膜12に接触するように、両基板が貼り合わ
されている。 (もっと読む)


【課題】ペルチェ素子を備え、画素領域の開口率を低下させることなく、より良い冷却効果が得られる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板10と、素子基板10に配列された画素4と、素子基板10の画素4の領域に設けられた光反射層26と、素子基板10に設けられたペルチェ効果を有するペルチェ素子50と、を備え、ペルチェ素子50は、光反射層26からなる金属層と、金属層51と、金属層52と、光反射層26と金属層51との間に設けられたP型半導体素子53と、光反射層26と金属層52との間に設けられたN型半導体素子54とを含む。 (もっと読む)


【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、TFTにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層(30a)と、チャネル領域に対向するゲート電極(30b)と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びLDD領域より広く形成された上側遮光膜(1)と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びLDD領域より広く形成された下側遮光膜(11)と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともLDD領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜(12)とを備える。 (もっと読む)


【課題】従来の電気光学装置では、製造工程を効率化することが困難である。
【解決手段】第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第1基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第1基板側に向かう光151を前記第2基板側に反射させる画素電極95と、前記画素に対応して前記第1基板及び画素電極95の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う画素電極95同士間に設けられた絶縁膜97と、を有しており、光151の波長をλとし、絶縁膜97の屈折率をnとし、互いに隣り合う画素電極95同士間の間隙の幅をdとしたときに、d<0.61×λ/n(式1)を満たすことを特徴とする電気光学装置。 (もっと読む)


【課題】ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを含む表示装置において、遮光層とゲート電極との間の寄生容量の発生を軽減しつつ、光リーク電流の発生の抑制を図ることが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、半導体層への光の入射を抑制するための遮光層(40)と、第1絶縁膜(31)と、薄膜トランジスタのゲート電極(22)と、第2絶縁膜(32)と、半導体層(21)と、が順次積層された基板を含む。遮光層(40)は、ゲート電極(22)の少なくとも一部が遮光層(40)と第1絶縁膜(31)を介して重ならないようにして形成される。 (もっと読む)


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