【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極を備えている。前記基板は、ＴＦＴ及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線（４００）とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域（５３）上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン（４０６）を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子（１０２Ｑ）に接続された配線（４０４）とも同一膜として形成されている。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、遮光性能を向上させることにより、光リーク電流の抑制を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、半導体層（１ａ）及びゲート電極（３１）を有するトランジスター（３０）と、該トランジスターより上層側に形成された有色絶縁膜（１４）と、トランジスターより層間絶縁膜（１２）を介して下層側に形成された下側遮光膜（１１）を備える。ゲート電極は、層間絶縁膜のうち半導体層に重なる部分の脇に開孔されたコンタクトホール（８１０）の内壁に沿って形成されることにより、下側遮光膜に電気的に接続されている。有色絶縁膜は、ゲート電極のうちコンタクトホールの内壁に沿って形成された部分の表面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びＴＦＴに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第１容量電極（７１）と、画素電極と第１容量電極との間に、容量絶縁膜（７５）を介して第１容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第２容量電極（７２）と、画素電極と第２容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第２容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２容量電極に電気的に接続される遮光膜（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、自己整合的に形成可能なトランジスターを有しつつ、遮光性能を向上させることにより、光リーク電流の抑制を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）に接続されたソース領域（１ｄ）、画素電極（９ａ）に接続されたドレイン領域（１ｅ）、及びチャネル領域（１ａ´）を有する半導体層（１ａ）と、ゲート電極（３１）を有するトランジスター（３０）と、ゲート電極の上層側にゲート電極より広く形成され、上側絶縁膜（４１）に開孔された第１コンタクトホール（８２０）を介してゲート電極に接続された上側遮光膜（７１０）と、半導体層の下層側に形成され、第２コンタクトホール（８１０）を介して上側遮光層と接続された下側遮光膜（１１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、比較的簡単な構成で境界領域付近における光抜けを防止し、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）間に電気光学物質（５０）が挟持されてなり、一対の基板のうち一方の基板上に、各画素に対応して設けられた画素電極（９）と、一方の基板上に設けられており、一対の基板上で平面的に見て、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜（４０１）と、一方の基板上における画素電極及び遮光膜の層間に設けられており、少なくとも遮光膜に対向する部分において電気光学物質に比べて屈折率が高い層間絶縁膜（５０１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ耐光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）に対応して設けられたＴＦＴ（３０）と、このチャネル領域を上側から覆う上側遮光膜（６ｃ）と、これ及びＴＦＴ間に設けられ、上側遮光膜及びＴＦＴ間を電気的に相互接続するためのコンタクトホール（８１ｃ）が形成されていると共にトランジスタの上方に凹部（５０１ｈ）が形成されている、多層構造の層間絶縁膜と、この多層構造をなす複数の膜間に設けられており、凹部の底又は底の周囲に形成されているストッパー膜（５００）の少なくとも一片とを備える。上側遮光膜は、凹部内に形成されている壁部（６ｗ）を含む。 （もっと読む）

【課題】高品位な画像表示が可能な液晶表示装置等の電気光学装置において、比較的簡便にシール材を硬化する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）と、画素領域（１０ａ）の周囲のシール領域（１０ｂ）に配置され、一対の基板を接着する光硬化型のシール材（５２）と、導電層（１１、７１）と、画素領域、及びシール領域の更に周囲に位置する周辺領域（１０ｃ）において遮光性材料で導電層の表面を覆うことにより、導電層のうちシール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように形成された反射防止膜（１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、コントラスト比の高い高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極が配列された画素領域において、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層（２１１）と、導電層の上層に形成された保護層（２１２）と、導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、導電層及び保護層の上層に形成されると共に、導電層及び保護層の端面を少なくとも部分的に覆う反射防止膜（２２０）と、反射防止膜の上層に形成された絶縁膜（４０）と、絶縁膜における導電層及び保護層と平面的に重なる位置に、反射防止膜又は保護層を露出させるように形成されたコンタクトホール（８１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスクシートの使用枚数を削減することで製造工程の効率化を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、チャネル保護膜を形成するチャネル保護膜形成工程と、入力端子の一部を露出させる端子露出工程とで共通のマスクシートを用いる。マスクシートは、チャネル保護膜の設置位置に重ねられる位置に形成された保護膜用遮光部と、入力端子の設置位置に重ねられる位置に形成された端子用遮光部とを有し、前記遮光部以外の領域は透光性を有している。チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。端子露出工程では、マスクシートの上面側から光を照射して保護膜用遮光部及び端子用遮光部に重ねられた部分以外のネガ型フォトレジストを現像し残存させる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、電気光学物質（５０）を挟持した一対の基板（１０，２０）と、一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子（３０）と、一方の基板の少なくともスイッチング素子に対向する位置に設けられており、第１層（１１ｂ）、第２層（１１ａ）及び第３層（１１ｃ）を有する遮光膜（１１）とを備える。遮光膜において、第１層は、第２層の上層において第２層より狭い範囲に設けられ、第３層は、第１層を上層側から覆うように第２層と重なる領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】十分なコントラストが得られる表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る表示装置によれば、間隙Ｄにおいて、容量線７７と走査線１１とが重ねて構成されているため、２本の配線の重なり分、反射電極９間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、Ｘ軸方向における間隙Ｄに露出する配線を容量線７７のみとすることができる。よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減るため、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタへの外部光の入射を遮光できるとともに、画素の開口率の向上を図った液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の画素領域における薄膜トランジスタＴＦＴはゲート電極ＧＴと前記ゲート電極ＧＴの上方に配置した半導体層ＡＳと、前記半導体層ＡＳの上層に配置したドレイン電極ＤＴおよびソース電極を有し、前記半導体層ＡＳは、ドレイン信号線ＤＬの延在方向においてゲート電極ＧＴの形成領域からはみ出して形成される延在部を有し、前記ゲート電極ＧＴは、ゲート信号線の延在方向において前記半導体形成領域からはみ出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを備えた有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ上に形成され、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子を備え、有機発光素子から発散される光が薄膜トランジスタに直接入射されないように、薄膜トランジスタの少なくとも一側には、有機発光素子から発散される光を遮断する光遮断部が配されることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】例えばアクティブマトリクス基板等の半導体装置用基板の製造方法において、省資源及び低コストの要請に対応しつつ基板におけるたわみを抑制すると共に、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、基板（１０）上に、チャネル領域を有するように半導体層（３０ａ）を形成する工程と、基板上に、半導体層に電気的に接続されるように第１の導電膜（８）を形成する工程と、第１の導電膜より上層側に、基板上におけるコンタクトホール（４０）が形成されるべき一の領域を除く他の領域に絶縁材料を塗布することにより、層間絶縁膜（３３）及びコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜より上層側に、コンタクトホールを埋めるように且つチャネル領域に基板上で平面的に見て少なくとも部分的に重なるように第２の導電膜（９）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶ライトバルブ等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を抑制することによって、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、データ線（６）と、第１チャネル領域（３０ａ２）、第１ドレイン領域（３０ａ３）、及びデータ線に接続された第１ソース領域（３０ａ１）を有する第１半導体層（３０ａ）、並びに第１ゲート電極（３０ｂ）を有する第１トランジスタ（３０）と、第２チャネル領域（３１ａ２）、第２ドレイン領域（３１ａ３）、及び第１ドレイン領域に接続された第２ソース領域（３１ａ１）を有する第２半導体層（３１ａ）並びに第２ゲート電極（３１ｂ）を有する第２トランジスタ（３１）と、第１ドレイン領域に接続された第１画素電極（９ｂ）と、第２ドレイン領域に接続された第２画素電極（９ａ）と、第１ドレイン領域に接続された第１蓄積容量（７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大を引き起こさずに、遮光層で囲まれた薄膜トランジスタと同等以上の遮光能力を有する薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極２と、第１のゲート電極２を覆う第１のゲート絶縁層３と、第１のゲート絶縁層３の上の半導体層６と、半導体層６の上の第２のゲート絶縁層７と、第２のゲート絶縁層７の上の第２のゲート電極８と、半導体層６に電気的に接続されたドレイン電極５及びソース電極４を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層６がＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうち少なくとも１種以上を含む非晶質酸化物半導体であり、第１のゲート電極２が下方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８が上方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８は第１のゲート絶縁層３及び第２のゲート絶縁層７を貫通して第１のゲート電極２と電気的に接続され、少なくとも一方の側方から半導体層６に入射する光を遮る。 （もっと読む）

【課題】表示される色の純度を確保し、画質の向上を図る上で有利な表示素子および表示装置を提供する。
【解決手段】表示素子１０は、基板１２と、複数のＬＥＤ１４と、透明板１６と、隔壁１８と、蛍光体２０と、駆動手段３０を含んで構成されている。基板１２は板状を呈している。複数のＬＥＤ１４は、基板１２の前面１２Ａ（一方の面）に実装され近紫外線光または紫外光を発光するものである。透明板１６は、基板１２と同じ輪郭の板状を呈し、基板１２の前面１２Ａに対向して設けられている。隔壁１８は、前面１２Ａと透明板１６との間に設けられている。隔壁１８は、光透過性を有しないものであり、複数のＬＥＤ１４毎にそれらＬＥＤ１４を収容する発光室２４を区画する。蛍光体２０は、発光室２４側に位置する隔壁１８の内面と、透明板１６との双方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素内に光センサ素子と暗電流補償素子を備えるものにあって、当該画素の開口率を向上させ、製造工数の増大を回避させた構成とする表示装置の提供。
【解決手段】基板上に光センサ素子および暗電流補償素子が備えられた画素を備え、
前記光センサ素子および前記暗電流補償素子は、それぞれ、ボトムゲート構造のＭＩＳ型薄膜トランジスタからなり、微結晶半導体と非晶質半導体の順次積層体からなる半導体層の上面に、互いに対向する一対の電極を備えて構成され、
少なくとも、前記暗電流補償素子は、ゲート電極が、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように形成され、前記一対の電極は、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように構成され、
前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間幅は、前記光センサ素子の前記一対の電極離間幅よりも小さく形成され、
前記前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間部に入射する光を遮光する遮光膜を備える。 （もっと読む）

【課題】短絡が発生せず光の漏れ現象が効率的に防止され、画質を向上する。
【解決手段】絶縁第１基板と、走査信号を伝達するゲート線と、画像信号を伝達するデータ線と、第１基板と対向している第２基板と、第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、ゲート線とデータ線とによって区分される画素と、各画素を区画するブラックマトリックスと、画素ごとに別途に形成されている画素電極とを含み、画素電極と前段のゲート線との間で維持容量を形成する液晶表示装置において、第１画素行の各画素の開口率は他の画素行の各画素の開口率と異なるように形成されている。 （もっと読む）