【課題】 Ａｌ層上にＣｕ層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムの電極パッド５６、５７及び電極層７７上に絶縁層７９を形成する工程と、電極パッド５６、５７及び電極層７７上において絶縁層７９にビアホール７０’を形成する工程と、ビアホール７０’内に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する工程と、無電解Ｎｉメッキ層８１上にＣｕ配線８６を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣ等の半導体装置や、表示装置に用いられるＴＦＴ基板で使用される、Ａｌを含む積層配線の信頼性を高める。
【解決手段】 上層の金属層２２を下層のＡｌ又はＡｌを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させる。この積層配線は、エッチングによりこれを作製する際に、上層の金属層２２よりも下層のＡｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１の方のエッチング速度を大きくして、Ａｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１のサイドエッチングを多くし、上層の金属層２２を下層のアルミニウム又はアルミニウムを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させることで作製できる。 （もっと読む）