【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、第一電極と、第二電極と、少なくとも一つの陰極エミッタと、二次電子放出エミッタと、を含む。前記第一電極及び前記第二電極は、相互に間隔をあけて設置され、前記絶縁基板の一つの表面に設置される。前記陰極エミッタは、前記第一電極に電気的に接続される。前記二次電子放出エミッタは、電子放出面を有する。前記二次電子放出エミッタは、前記陰極エミッタに対向して、該陰極エミッタと間隔をあけて設置される。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出量の低減を抑制し、且つ、静電容量が低減された電子放出素子、該電子放出素子を有する電子線装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、上面、側面、及び、上面と側面との間に形成された窪み部を有する絶縁部材と、側面上に配置され、且つ、側面と窪み部の境界部分に位置する電子放出部を有するカソード電極と、上面上に配置され、且つ、端部が電子放出部と対向するゲート電極と、を有する電子放出素子であって、電子放出部が位置する境界部分は、上面と平行な方向の凹凸を有する。 （もっと読む）

【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、電子が放出される電子放出点を制御して電子放出効率の向上を図る。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向においてゲート５との間隔が１ｎｍ以上５ｎｍ以下となる凸部を、カソード６の幅方向において１０％以下の割合で有する素子とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】電界集中度を大きく劣化させることなく簡単な方法で形成できるとともに、先鋭かつ均一性が高く、しかも機械的強度の大きい電界放出型の電子放出素子、およびこれを備えた平面表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子２２は、基板１２と、基板上に設けられたカソード電極２４と、絶縁体あるいは半導体により基板上に形成されているとともに、基板の表面に対しある角度を持って起立した側壁３１を有する支持体３０と、支持体の側壁上に形成されたエミッタ３４と、エミッタエッジ部に電圧を印加するゲート電極２８と、を有している。エミッタは、カソード電極に電気的に接続された接続部と、基板と反対側に位置したエミッタエッジ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な導電性を備えた蛍光板を供えた電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法を提供する。
【構成】円筒形のカソード電極外面にカーボンナノチューブが配設され、前記円筒形と同軸でかつ外側に略半円筒形金属電極が配設され、前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体が配設されていることを特徴とする電界電子放出ランプ。 （もっと読む）

【課題】
ビーム幅を狭め、直線性を向上した装置の提供。
【解決手段】
スリット１０４が設けられた陽極電極１０３を備え、陽極電極の一側に対向配置される複数のディップ１０１を備え、陽極電極の他側に被加工物を配置し、被加工物には、前記複数のディップ１０１から放出されスリット１０４を通過した電子ビームが照射される。また電子の放出方向に磁場を印加する手段を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】 簡単な製造方法で作製することが可能であり、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途等に適した、十分な量の電子放出電流を安定して低電圧で得ることが可能な電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板を異方性エッチングして作製された柱状の突起の先端部に、電子放出源として円周状のエッジ部を有する電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁層及び第２絶縁層が積層された構造の安定性を確保して電子放出部のエミッション特性及び電子ビーム集束効率を向上させることが可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１０と，前記基板１０上に，第１絶縁層１２を介在して互いに絶縁状態で配置されるカソード電極１１及びゲート電極１３と，前記カソード電極１１に電気的に連結される電子放出部１６と，前記電子放出部１６を開放させるように，前記電子放出部１６上に形成される集束電極１５と，前記カソード電極１１及び前記ゲート電極１３のなかでいずれか１電極と前記集束電極１５間に配置される第２絶縁層１４とを含み，前記第１絶縁層１２と前記第２絶縁層１４がそれぞれ１μｍ以上の厚さを有し，前記第１絶縁層１２が前記第２絶縁層１４の軟化温度より３０℃以上高い軟化温度を有する。 （もっと読む）

【課題】 直管状の照明装置などに好適な電界電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 線状の導線２０に、ネジ切り加工して凹凸を形成し、ＤＣプラズマＣＶＤ装置によって、電子放出部となるカーボンナノチューブ２９を成膜して電子放出部１３を製造する。カーボンナノチューブ２９の成膜の際に、比較的鋭い形状の凹凸によって、核の発生が促進され、発生した核が成長合体してカーボンナノチューブ２９が形成される。凸部２２に形成されたカーボンナノチューブ２９の先端に電界が集中して電子放出が促進される。 （もっと読む）