【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ライトギャップの測定精度を向上させる薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法を得る。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置にイオンビームを照射してウエハを一部切断し、該切断面を測定対象面とする。次に、測定対象面にカーボンガスを供給しつつイオンビームを照射することにより、測定対象面にカーボンを付着させ、グレインの見えないＳＩＭ像を得る。このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて所定の演算を行い、薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する。 （もっと読む）

【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する
【解決手段】基板に数十Å程度のメタル膜を堆積させる工程と、該メタル膜内部まで化合物絶縁膜とする化合物工程とを交互に繰り返し、前記基板に１００Å程度の化合物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ギャップ間隔を高精度に規定できる垂直磁気記録ヘッドの製造方法を得る。
【解決手段】 先ず、主磁極層上に、非磁性材料からなる下部ギャップ層を所定のギャップ間隔に等しい膜厚で形成する。次に、下部ギャップ層上に、現像液に腐食されず且つ該下部ギャップ層よりもエッチングされやすい非磁性材料で上部ギャップ層を形成する。続いて、上部ギャップ層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術により媒体対向面となる端面から所定のスロートハイトが得られる位置までレジスト層を除去する。続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。そして、露出させた下部ギャップ層、上部ギャップ層及びレジスト層の上にメッキ下地膜を介してリターンパス層をメッキにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 （もっと読む）